工艺流程半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点

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1、工艺流程半导体硅片生产工艺流 程及工艺注意要点 工艺流程半导体硅片生产工艺流 程及工艺注意要点 1. 预热清洗 2. 抵抗稳定退火 3. 背封 4. 粘片 5. 抛光 6. 检查前清洗 7. 外观检查 8. 金属清洗 9. 擦片 10. 激光检查 11. 包装/货运 切片（class 500k） 硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在 将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的 硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程 定义了平整度可以基本上适合器件的制备。 切片过程中有两种主要

2、方式内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原 因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。 切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒 和大量的很浅表面损伤。 硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清 洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。 激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机 用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正 确位置。这一编码

3、应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单 晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒 的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片 上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采 取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。 倒角 当切片完成后，硅片有比较尖利的边缘，就需要进行倒角从而形成子弹式的光滑的边缘。 倒角后的硅片边缘有低的中心应力，因而使之更牢固。这个硅片边缘的强化，能使之在以后 的硅片加工过程中，降低硅片的碎裂程度。图 1.

4、1 举例说明了切片、激光标识和倒角的过程。 图 1.1 磨片（Class 500k） 接下来的步骤是为了清除切片过程及激光标识时产生的不同损伤，这是磨片过程中要完 成的。在磨片时，硅片被放置在载体上，并围绕放置在一些磨盘上。硅片的两侧都能与磨盘 接触，从而使硅片的两侧能同时研磨到。磨盘是铸铁制的，边缘锯齿状。上磨盘上有一系列 的洞，可让研磨砂分布在硅片上，并随磨片机运动。磨片可将切片造成的严重损伤清除，只 留下一些均衡的浅显的伤痕；磨片的第二个好处是经磨片之后，硅片非常平整，因为磨盘是 极其平整的。 磨片过程主要是一个机械过程，磨盘压迫硅片表面的研磨砂。研磨砂是由将氧化铝溶液 延缓煅烧后形成的

5、细小颗粒组成的，它能将硅的外层研磨去。被研磨去的外层深度要比切片 造成的损伤深度更深。 腐蚀（Class 100k） 磨片之后，硅片表面还有一定量的均衡损伤，要将这些损伤去除，但尽可能低的引起附 加的损伤。比较有特色的就是用化学方法。有两种基本腐蚀方法：碱腐蚀和酸腐蚀。两种方 法都被应用于溶解硅片表面的损伤部分。 背损伤（Class 100k） 在硅片的背面进行机械损伤是为了形成金属吸杂中心。当硅片达到一定温度时?，如 Fe, Ni, Cr, Zn 等会降低载流子寿命的金属原子就会在硅体内运动。当这些原子在硅片背面遇到损伤 点，它们就会被诱陷并本能地从内部移动到损伤点。背损伤的引入典型的是通过

6、冲击或磨损。 举例来说，冲击方法用喷砂法，磨损则用刷子在硅片表面磨擦。其他一些损伤方法还有：淀 积一层多晶硅和产生一化学生长层。 边缘抛光 硅片边缘抛光的目的是为了去除在硅片边缘残留的腐蚀坑。当硅片边缘变得光滑，硅片 边缘的应力也会变得均匀。应力的均匀分布，使硅片更坚固。抛光后的边缘能将颗粒灰尘的 吸附降到最低。硅片边缘的抛光方法类似于硅片表面的抛光。硅片由一真空吸头吸住，以一 定角度在一旋转桶内旋转且不妨碍桶的垂直旋转。该桶有一抛光衬垫并有砂浆流过，用一化 学/机械抛光法将硅片边缘的腐蚀坑清除。另一种方法是只对硅片边缘进行酸腐蚀。 图 1.2 举例说明了上述四个步骤： 图 1.2 预热清洗（

7、Class 1k） 在硅片进入抵抗稳定前，需要清洁，将有机物及金属沾污清除，如果有金属残留在硅片 表面，当进入抵抗稳定过程，温度升高时，会进入硅体内。这里的清洗过程是将硅片浸没在 能清除有机物和氧化物的清洗液（H2SO4+H2O2）中，许多金属会以氧化物形式溶解入化学清洗 液中；然后，用氢氟酸（HF）将硅片表面的氧化层溶解以清除污物。 抵抗稳定退火（Class 1k） 硅片在 CZ 炉内高浓度的氧氛围里生长。因为绝大部分的氧是惰性的，然而仍有少数的氧会形 成小基团。这些基团会扮演 n-施主的角色，就会使硅片的电阻率测试不正确。要防止这一问 题的发生， 硅片必须首先加热到 650左右。 这一高的

8、温度会使氧形成大的基团而不会影响电 阻率。然后对硅片进行急冷，以阻碍小的氧基团的形成。这一过程可以有效的消除氧作为 n- 施主的特性，并使真正的电阻率稳定下来。 背封（Class 10k） 对于重掺的硅片来说，会经过一个高温阶段，在硅片背面淀积一层薄膜，能阻止掺杂剂的向 外扩散。这一层就如同密封剂一样防止掺杂剂的逃逸。通常有三种薄膜被用来作为背封材料 ： 二氧化硅（SiO2） 、氮化硅（Si3N4） 、多晶硅。如果氧化物或氮化物用来背封，可以严格地认 为是一密封剂，而如果采用多晶硅，除了主要作为密封剂外，还起到了外部吸杂作用。 图 1.3 举例说明了预热清洗、抵抗稳定和背封的步骤。 图 1.3

9、 预热清洗、阻抗稳定和背封示意图 粘片（Class 10k）在硅片进入抛光之前，先要进行粘片。粘片必须保证硅片能抛光平整。有 两种主要的粘片方式，即蜡粘片或模板粘片。 顾名思义，蜡粘片用一固体松香蜡与硅片粘合，并提供一个极其平的参考表面？。这一表面 为抛光提供了一个固体参考平面。 粘的蜡能防止当硅片在一侧面的载体下抛光时硅片的移动。 蜡粘片只对单面抛光的硅片有用。 另一方法就是模板粘片，有两种不同变异。一种只适用于单面抛光，用这种方法，硅片被固 定在一圆的模板上，再放置在软的衬垫上。这一衬垫能提供足够的摩擦力因而在抛光时，硅 片的边缘不会完全支撑到侧面载体，硅片就不是硬接触，而是“漂浮”在物体

10、上。当正面进 行抛光时，单面的粘片保护了硅片的背面。另一种方法适用于双面的抛光。用这种方法，放 置硅片的模板上下两侧都是敞开的，通常两面都敞开的模板称为载体。这种方法可以允许在 一台机器上进行抛光时，两面能同时进行，操作类似于磨片机。硅片的两个抛光衬垫放置在 相反的方向，这样硅片被推向一个方向的顶部时和相反方向的底部，产生的应力会相互抵消。 这就有利于防止硅片被推向坚硬的载体而导致硅片边缘遭到损坏。？除了许多加载在硅片边 缘负荷，当硅片随载体运转时，边缘不大可能会被损坏。 抛光（Class 1k） 硅片抛光的目的是得到一非常光滑、平整、无任何损伤的硅表面。抛光的过程类似于磨片的 过程，只是过程

11、的基础不同。磨片时，硅片进行的是机械的研磨；而在抛光时，是一个化学/ 机械的过程。这个在操作原理上的不同是造成抛光能比磨片得到更光滑表面的原因。 抛光时， 用特制的抛光衬垫和特殊的抛光砂对硅片进行化学/机械抛光。 硅片抛光面是旋转的， 在一定压力下，并经覆盖在衬垫上的研磨砂。抛光砂由硅胶和一特殊的高 pH 值的化学试剂组 成。这种高 pH 的化学试剂能氧化硅片表面，又以机械方式用含有硅胶的抛光砂将氧化层从表 面磨去。 硅片通常要经多步抛光。第一步是粗抛，用较硬衬垫，抛光砂更易与之反应，而且比后面的 抛光中用到的砂中有更多粗糙的硅胶颗粒。第一步是为了清除腐蚀斑和一些机械损伤。在接 下来的抛光中，

12、用软衬、含较少化学试剂和细的硅胶颗粒的抛光砂。清除剩余损伤和薄雾的 最终的抛光称为精抛。 粘片和抛光过程如图 1.4 所示： 图 1.4 粘片和抛光示意图 检查前清洗（class 10） 硅片抛光后，表面有大量的沾污物，绝大部分是来自于抛光过程的颗粒。抛光过程是一个化 学/机械过程， 集中了大量的颗粒。 为了能对硅片进行检查， 需进行清洗以除去大部分的颗粒。 通过这次清洗，硅片的清洁度仍不能满足客户的要求，但能对其进行检查了。 通常的清洗方法是在抛光后用 RCA SC-1 清洗液。有时用 SC-1 清洗时，同时还用磁超声清洗 能更为有效。另一方法是先用 H2SO4/H2O2，再用 HF 清洗。

13、相比之下，这种方法更能有效清除 金属沾污。 检查 经过抛光、清洗之后，就可以进行检查了。在检查过程中，电阻率、翘曲度、总厚度超差和 平整度等都要测试。所有这些测量参数都要用无接触方法测试，因而抛光面才不会受到损伤。 在这点上，硅片必须最终满足客户的尺寸性能要求，否则就会被淘汰。 金属物去除清洗 硅片检查完后，就要进行最终的清洗以清除剩余在硅片表面的所有颗粒。主要的沾污物是检 查前清洗后仍留在硅片表面的金属离子。这些金属离子来自于各不同的用到金属与硅片接触 的加工过程，如切片、磨片。一些金属离子甚至来自于前面几个清洗过程中用到的化学试剂。 因此，最终的清洗主要是为了清除残留在硅片表面的金属离子。

14、这样做的原因是金属离子能 导致少数载流子寿命， 从而会使器件性能降低。 SC-1 标准清洗液对清除金属离子不是很有效。 因此，要用不同的清洗液，如 HCl，必须用到。 擦片 在用 HCl 清洗完硅片后，可能还会在表面吸附一些颗粒。一些制造商选择 PVA 制的刷子来清 除这些残留颗粒。在擦洗过程中，纯水或氨水（NH4OH）应流经硅片表面以带走沾附的颗粒。 用 PVA 擦片是清除颗粒的有效手段。 激光检查 硅片的最终清洗完成后，就需要检查表面颗粒和表面缺陷。激光检查仪能探测到表面的颗粒 和缺陷。因为激光是短波中高强度的波源。激光在硅片表面反射。如果表面没有任何问题， 光打到硅片表面就会以相同角度反

15、射。然而，如果光打到颗粒上或打到粗糙的平面上，光就 不会以相同角度反射。反射的光会向各个方向传播并能在不同角度被探测到。 包装/货运 尽管如此，可能还没有考虑的非常周到，硅片的包装是非常重要的。包装的目的是为硅片提 供一个无尘的环境，并使硅片在运输时不受到任何损伤；包装还可以防止硅片受潮。如果一 片好的硅片被放置在一容器内，并让它受到污染，它的污染程度会与在硅片加工过程中的任 何阶段一样严重，甚至认为这是更严重的问题，因为在硅片生产过程中，随着每一步骤的完 成，硅片的价值也在不断上升。理想的包装是既能提供清洁的环境，又能控制保存和运输时 的小环境的整洁。典型的运输用的容器是用聚丙烯、聚乙烯或一

16、些其他塑料材料制成。这些 塑料应不会释放任何气体并且是无尘的， 如此硅片表面才不会被污染。 最后六个步骤如图 1. 5 所示。 图 1.5 检查前清洗、外观检查、金属离子去除清洗、擦片、激光检查和包装/货运示意图 硅片制备阶段的问题 在硅片的制造过程中，涉及到许多参数。而且这些参数中有许多会因最终硅片目标不同而发 生变化。对硅片来说，有一些参数始终是很重要的，如平整度、缺陷、沾污等。在下面的章 节中将详细讨论。 当硅片被不正确运行的刀片所切割时，就会造成弯曲的刀口。这些刀口都不会相同，这就使 硅片有不同种类的平面缺陷。能以最好的方式使硅片得到平整的表面是很重要的，因此应以 尽可能平的面去切割硅片。 有不同的测量方法来测试硅片的平整度。一些测量方法给出了圆形的或者说是整个硅片的平 整度而另一些方法只显示出局部的硅片平整度。 整个的平整度对于设计样品时是很重要的，？ 从另一方面说，局部的平整度对于？设计是很重要的，？一些整体平整度测试的术语是弯曲 度（bow） 、翘曲度（warp） 、总厚度超差（TTV） 、总指示读数（TIR）和焦平面背离（FPD） 。 局部平整度测试的术语也与