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1、国际整流器IR IRF3205S/L HEXFET Power MOSFET *先进的加工技术 Thermal Resistance *极低的导通阻抗 VDSS = 55V *动态的dv/dt等级 RDS(on) = 8.0m *175C运行温度 ID = 110A *充分的雪崩等级 TO-262 D2Pak IRF3205L IRF3205S 描述描述 来自国际镇流器公司先进的HEXFET R功率金属氧化物半导体场效应晶体管，利用先进的处理技术达到每个硅片极低的 导通阻抗。这样有益于结合高速的开关和可靠使MOSFETS大量地实用设备上，使设计师能够非常高效，可靠的应用在 各个方面。 D2Pa
2、k表面封装的适合于小功率大面积小HEX-4。它能够提供最大的功率输出和最可能小的导通阻抗在现有的贴片封装 下。D2Pak适合与大电流应用场合，是因为它有低的内部连接阻抗和具有2W的散热能力，是典型的贴片封装应用。 最大额定参数最大额定参数 参数参数 最大值最大值 单位单位 ID TC = 25C 持续漏极电流，Vgs10V 110 A ID TC =100C 持续漏极电流,Vgs10V 80 A IDM 脉冲漏极电流， 390 A PD TC = 25C 功率消散 200 W 线性额定降低因数 1.3 W/C VGS 门极电压 20 V IAR 雪崩电流 62 A EAR 重复雪崩能量 20
3、mJ dv/dt 二极管恢复峰值电压变化率 5.0 V/nS TJ ，TSTG 工作节点温度和保存温度 -55 to +175 C 焊接温度，在10秒内 300（假设为1.6mm） C 封装 扭矩 10 lbfin (1.1Nm) 热阻特性热阻特性 参数参数 典型值典型值 最大值最大值 单位单位 RJC 节点到外壳 0.75 C/W RJA 接点到环境（PCB安装，稳定状态） 40 电气特征电气特征 Tj=25C (除非有其他详细说明除非有其他详细说明) 参数参数 最小最小 典型典型 最大最大 单位单位 测试条件测试条件 V(BR)DSS 55 V VGS = 0V, ID = 250A V(
4、BR)DSS/TJ 击穿电压的温度系数 0.057 V/C 参考为25C,Id=25mA RDS(on) 静态漏源导通电阻 8m VDS = VGS, ID = 250A VGS(th) 门极开启电压 2.0 4.0 V VDS = 25V, ID = 62A. gfs 前向跨导 44 s VDS = 25V, ID = 62A. 100 VDS=25V,VGS=0V,TJ=150IDSS 漏源漏电流 -100 uA VDS=-20V Qg总体门极电荷 146 Qgs门源电荷 35 Qgd门漏电荷 54 nC ID=62A VDS=44V VGS=10V,See Fig.6 and 13 td
5、(on)打开延时 14 tr上升时间 101 td(off)关断延时 50 tf下降时间 65 ns VDD=28V ID=62A RG=4.5 VGS=10V,See Fig.6and 13 LD内部漏极自感 4.5 LS内部源极自感 7.5 nH Between lead, 6mm(0.25in) From package And center of die contact CISS输入电容量 3247 CDSS输出电容量 781 CRSS反向恢复时间 211 pF VGS=0V VDS=25V f=1.0MHz.See Fig.5 EAS反向恢复电荷 1050 6 264 mJ IAS=
6、62A,L=138uH 漏源极限和特征漏源极限和特征 参数参数 最小最小 典型典型 最大最大 单位单位 测试条件测试条件 IS持续源极电流（自身二极 管） 110 ISM脉冲源极电流（自身二极 管） 390 A MOSFET symbol showing the integral reverse p-n junction diode. VSD二极管前向压降 1.3 V TJ=25,IS=62A,VGS=0V 4 trr反向恢复时间 69 104 ns Qrr反向恢复电荷 143 215 nc TJ=25,IF=62A di/dt=100A/us4 ton前向恢复时间 内在打开时间是可以忽略的（
7、打开受控于LS+LD） 注意：注意： 1反复级别： 脉宽小于最大值。 结点温度为。 （看 图.11） . 2开始时 TJ=25，L=138uH RG=25,IAS=62A.(看图 12). 3ISD62A,di/dt207A/us,VDD(BR)DSS,TJ. 4脉宽400us;duty cycle2%. 5适当的连续电流取决于允许结点温度.包装极限温度为 75A. 6在器件毁坏和表现出运行外出点的操作极限的典型值. 7这个适当的极限值为TJ=175. *当裱装在1平方PCB（FR-4 or G-1- Material ）. 被推荐的封装和焊接技术涉及应用技术笔记 #AN-994. 图 1 典
8、型输出特性 图 2 典型输出特性 图 3 典型传输特性 图 4 规格化的阻抗 Vs 温度 图 5 典型电容 Vs 漏源电压 图 6 典型门极电荷Vs门源电压 图 7 典型漏源二极管前向电压 图 8 最大安全工作区域 图 9 最大漏极电流Vs器件温度 图 10a 开关时间测试电路 图 10b 开关时间波形 图 11. 最大有效的热敏阻抗，结点到器件 图 12a 松散的感应测试电路 图 12b 松散的测试波形 图 12c 最大的雪崩能量Vs 漏极电流 图 13a 基本门极电荷波形 图 13b 门极电荷测试电路 二极管峰值 dv/dt 恢复测试电路 图 14 N沟道 HEXFETS D2Pak 包装轮廓包装轮廓 D2Pak 器件记号信息器件记号信息 TO-262 包装轮廓包装轮廓 TO-262 器件记号信息器件记号信息 D2Pak 包装带信息包装带信息 资料和规格的改变不另行通知 本产品是具有设计资格的工业市场 产品的认证标准可以在IR的网页上查询到 International Rectifier IR全球总部： 美国加利福尼亚90245 EI Segundo Kansas ST 233 TEL:(310)252-7105 T AC Fax: (310) 252-7903 访问我们在 与我们取得销售联系
