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1、IC製作流程(I),IC製作流程(II),電路設計的主要目的在產生佈局圖layout，它能定義出晶圓加工製程中所需要的各層圖案pattern。藉由佈局圖，可做成晶圓加工製程中所需要的各道光罩mask or reticle 晶圓加工製程是要將上一個設計程序所設計出來的電路及電子元件，能在晶圓上加以實現。而電路上所用到的電子元件電晶體、電阻、電容、電感.及其間的連線interconnection，則必須靠各單元製程氧化、黃光微影、薄膜沉積、蝕刻、參雜.間的反覆配合才能完成。光罩在此的功用在於能定義出各層薄膜的圖案、元件區域，或元件間的連線情形，以達所要的電路功能及規格 晶圓加工完後的晶圓，一般會經
2、過晶圓針測wafer probe的過程，將失敗的晶粒加以標記ink dot。後將晶圓切割成一小片一小片的晶粒，好的晶粒才會送到構裝packaging廠加以構裝。 構裝的材料一般為陶瓷或塑膠，而構裝的目地在保護其內的晶粒不會受到外界的機械性破壞刮痕.或免於水氣微塵的滲入。除此以外，它還要提供內部晶粒電極和外部電路板相連的管道藉由內部打線，再用IC外殼的pin和電路板接通。隨著IC功能的提升，構裝的散熱能力和尺寸大小都是構裝技術必須考量的。 構裝後的IC為了品質的確認，會進行測試test的步驟。在這裡會進行一連串的電氣測試，如速度、功率消耗.等,晶圓 (Wafer),矽晶圓來源是石英主成份為氧化矽
3、經過純化、高溫溶解、蒸溜、沉積等步驟，得到所謂高純度的矽棒silicon rod再以單晶成長方法來得到所需的單晶矽,經過grinding、slicing、lapping、etching、polishing、cleaning及inspection步驟，最後一片片的晶圓才會被包裝起來 晶圓的大小指其直徑由早先的三吋約7.5公分到目前的八吋約20公分，未來將朝的十二吋、十六吋等大尺吋方向前進，主要是為了提高VLSI的產能且提升IC的良率，以增加廠商自身的競爭力。,Wafer Testing,WAT(Wafer Accept Test):每個Lot抽幾片wafer判定是否整個Lot 允收 CP1(Ch
4、ip Probe):100%screen,test 晶圓的好壞 Laser Repair:晶圓修復 CP2:每個Lot抽1到2片wafer看repair狀況 Mapping:使用此方法看wafer上哪些晶圓是好哪些是壞的,封裝(Assembly),IQC(incoming quality control) 晶圓研磨Grinding 晶圓切割Dicing Die Attach(lead frame/substrate) Wire bond(gold) Molding P1 laser marking for BGA Plating(IC 腳電鍍)/Ball Mount IC 腳切割/清除助焊劑
5、成型,Package Design Flow,產品尺寸,晶片尺寸及銲墊位置,耗電量,預算申請,電性及熱傳的模擬分析,銲線圖,設備的採購,驗收報告,Package Outline,Chip Size and Bondpad Location,Budget Application,Electrical and Thermal Simulation,Bonding Diagram,Equipment preparation,Buy-off report,試產報告,SAT分析,材料清單,Qual Run Assembly Report,可靠性測試報告,Trial Run Report,SAT Anal
6、ysis,BOM,Qual Run Assembly Report,Reliability Test Report,為了確保電子元件能符合電性需求，在產品開發時就導入電性模擬分析，可以先期分析RLC數值，有效達到最佳化的設計。 主要分析： 1. Package電氣模型(Electrical Model)： 提供RLC數值及Transmission Line的參數(Parameters)。 2. 電性分析(Electrical Performance Analysis)： 瞭解電子元件是否合乎系統在時序(Time)，速度(Speed)，及信號完整度(Signal Integrity)上的要求。,
7、為了確保電子元件能符合散熱需求，能將熱量從元件傳遞至系統，在產品開發時就導入熱傳模擬分析，可以有效達到最佳化的設計。 主要目的： 1. 確保元件能符合功能和溫度限制 2. 確保元件的工作溫度符合可靠性的要,TSOP IC Package Flow,BGA IC Package Flow,BGA Outline,BGA Package,Package Performance Comparison,Final Testing,Advantest 5581/5585/5593 日本愛德萬公司生產 5581 for SDRAM 一次可測64顆DRAM 一台1億 5585 for DDR SDRAM 一
8、次可測128顆DRAM 一台2億 可做高低溫,高低電壓,功能,速度測試 5593 for DDRII,FT flow,FT1:常溫25度先做基本功能測試,如open/short,basic read/write,Pattern Burn-In(燒機):125度,高電壓長時間read/write test,主要是將早夭期的IC給提早死亡 FT2:低溫-10度基本功能測試 FT3:高溫75度基本功能測試及速度分類,IC BURN-IN BASIC THEORY,Defect Rate,Burn-in Hour,1.Burn-In is a easy way to screening laten defect IC. 2.Cost Issued:Decide Optimal Burn-In Condition. 3.Find Optimal Curve fitting Burn-In Model. Decide : VCC/HOUR/TEMP/Wave Form.,
