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1、光电技术 第六讲,光电发射器件 Photoemissive Device,真空光电器件是基于外光电效应的光电探测器。,真空光电器件,光电管,光电倍增管,特点：灵敏度高、稳定性好、响应速度快和噪声小,缺点：结构复杂，工作电压高，体积大,4.1 光电发射阴极,4.1.1 光电发射阴极的主要参数,光电发射阴极的主要特性参数为灵敏度、量子效率、光谱响应和暗电流等。,1. 灵敏度 光电发射阴极的灵敏度应包括光谱灵敏度、积分灵敏度和色光灵敏度。,1) 光谱灵敏度 定义在单色（单一波长）辐射作用于光电阴极时，光电阴极输出电流Ik与单色辐射通量e,之比为光电阴极的光谱灵敏度Se,。,其量纲为A/W或A/W。,
2、量纲为mA/W或A/W。,2) 积分灵敏度,定义：在某波长范围内的积分辐射作用于光电阴极时，光电阴极输出电流Ik与入射辐射通量e之比为光电阴极的积分灵敏度Se。,在可见光波长范围内的“白光”作用于光电阴极时，光电阴极电流Ik与入射光通量v之比为光电阴极的白光灵敏度Sv。,量纲为mA/lm,2.量子效率,定义在单色辐射作用于光电阴极时，光电阴极发射单位时间发射出去的光电子数Ne,与入射的光子数之比为光电阴极的量子效率（或称量子产 额）。即 。,量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法。它们之间的关系为,3. 光谱响应,光电发射阴极的光谱响应特性用光谱响应特性曲线描述。光电发射阴极的光谱灵敏
3、度或量子效率与入射辐射波长的关系曲线称为光谱响应。,4. 暗电流 光电发射阴极中少数处于较高能级的电子在室温下获得了热能产生热电子发射，形成暗电流。光电发射阴极的暗电流与材料的光电发射阈值有关。一般光电发射阴极的暗电流极低，其强度相当于10-1610-18Acm-2的电流密度。,1、银氧铯(Ag-O-Cs)光电阴极,350nm,800nm,4.1.2 光电阴极材料,2、单碱锑化物光电阴极,金属锑与碱金属锂、钠、钾、铷、铯中的一种化合，能形成具有稳定光电发射的发射体。最常用的是锑化铯，其阴极灵敏度最高，广泛用于紫外和可见光区的光电探测器中。,3、多碱锑化物光电阴极,当锑和几种碱金属形成化合物时，
4、具有更高的响应率,锑铯(Cs3Sb)光电阴极是最常用的，量子效率很高的光电阴极。长波限约为650nm，对红外不灵敏。锑铯阴极的峰值量子效率较高，一般高达20%30%，比银氧铯光电阴极高30多倍。两种或三种碱金属与锑化合形成多碱锑化物光阴极。其量子效率峰值可高达30% 。,4、负电子亲和势光电阴极,常规的光电阴极属于正电子亲和势(PEA)类型，即表面的真空能级位于导带之上。如果给半导体的表面作特殊处理，使表面区域能带弯曲，真空能级降低到导带之下，从而使有效的电子亲和势为负值，经过特殊处理的阴极称作负电子亲和势光电阴极(NEA)。,1963年Simon根据半导体物理的研究提出了负电子亲和势的理论，
5、1965年J.J.Scheer和J.V.Laar首先研制出了GaAsCs负电子亲和势阴极。,Si-CsO2光电阴极：在p型Si基上涂一层金属Cs，经过特殊处理而形成n型Cs2O。 在交界区形成耗尽层，耗尽区的电位下降Ed,造成能带弯曲。,对于P型Si的发射阈值是 Ed1=EA1+Eg1,电子进入导带后需要克服亲和势EA1才能逸出表面。由于表面存在n型薄层，使耗尽区的电位下降，表面电位降低Ed。光电子在表面受到耗尽区电场的作用。,从Si的导带底部漂移到表面Cs2O的导带底部。此时，电子只需克服EA2就能逸出表面。对于P型Si的光电子需克服的有效亲和势为 EAe=EA2-Ed 由于能级弯曲，使Ed
6、EA2,这样就形成了负电子亲和势。,负电子亲和势阴极与正电子亲和势阴极的区别在于：,1)参与发射的电子是导带的热化电子，或称为“冷”电子；,)NEA阴极中导带的电子逸入真空不需作功。,特点：,1.高吸收，低反射性质； 2.高量子效率，50%60%; 3.光谱响应可以达到1um以上； 4.冷电子发射光谱能量分布较集中，接近高斯分布 5.光谱响应平坦； 6.暗电流小； 7.在可见、红外区，能获得高响应度； 8.工艺复杂，售价昂贵。,一、真空光电管工作原理,1、结构与工作原理,真空光电管构造示意图,真空光电管由玻壳、光电阴极和阳极三部分组成 。,4.2 真空光电管与光电倍增管的工作原理,(photo
7、tube),光电阴极即半导体光电发射材料，涂于玻壳内壁，受光照时，可向外发射光电子。阳极是金属环或金属网，置于光电阴极的对面，加正的高电压，用来收集从阴极发射出来的电子。,特点：光电阴极面积大，灵敏度较高，一般积分灵敏度可达20200A/lm；暗电流小，最低可达10-14A；光电发射弛豫过程极短。,缺点：真空光电管一般体积都比较大、工作电压高达百伏到数百伏、玻壳容易破碎等,光照生电子在电场的作用下运动，途中与惰性气体原子碰撞而电离，电离又产生新的电子，它与光电子一起都被阳极收集，形成数倍于真空型光电管的光电流 。,充气型光电管的工作原理,4.2.2 光电倍增管组成及工作原理,光电倍增管(Pho
8、tomultiplier Tube (PMT) 是一种真空光电发射器件。,光入射窗,光电阴极,电子光学系统,倍增极,阳极,工作原理：,1.光子透过入射窗口入射在光电阴极上;,2.光电阴极上的电子受光子激发，离开表面发射到真空中;,3.光电子通过电场加速和电子光学系统聚焦入射到第一倍增级上，倍增级将发射出比入射电子数目更多的二次电子。入射电子经N级倍增极倍增后，光电子就放大N次；,4.经过倍增后的二次电子由阳极收集，形成阳极光电流。,1）倍增极材料,锑化铯（CsSb）材料具有很好的二次电子发射功能，它可以在较低的电压下产生较高的发射系数，电压高于400V时的二次发射系数值可高达10倍。,氧化的银
9、镁合金材料也具有二次电子发射功能，它与锑化铯相比二次电子发射能力稍差些，但它可以工作在较强电流和较高的温度（150）。,1. PMT的入射窗结构,2. 倍增极结构,4.2.3 光电倍增管的结构,铜-铍合金（铍的含量为2%）材料也具有二次电子发射功能，不过它的发射系数比银镁合金更低些。 新发展起来的负电子亲和势材料GaPCs，具有更高的二次电子发射功能，在电压为1000V时，倍增系数可大于50或高达200。,（2） 倍增极结构 光电倍增管按倍增极结构可分为聚焦型与非聚焦型两种。非聚焦型光电倍增管有百叶窗型（图4-4（a）与盒栅式（图4-4（b）两种结构；聚焦型有瓦片静电聚焦型（图4-4（c）和圆
10、形鼠笼式（图4-4（d）两种结构。,4.3 光电倍增管的基本特性,4.3.1 灵敏度,1、阴极灵敏度,定义光电倍增管阴极电流Ik与入射光谱辐射通量之比为阴极的光谱灵敏度，并记为,若入射辐射为白光，则以阴极积分灵敏度，IK与光谱辐射通量的积分之比，记为Sk,10-510-2lm,2、阳极灵敏度,定义光电倍增管阳极输出电流Ia与入射光谱辐射通量之比为阳极的光谱灵敏度，并记为,若入射辐射为白光，则定义为阳极积分灵敏度，记为Sa,10-1010-6lm,4.3.2 电流放大倍数（增益）,电流放大倍数表征了光电倍增管的内增益特性，它不但与倍增极材料的二次电子发射系数有关，而且与光电倍增管的级数N有关。理
11、想光电倍增管的增益G与电子发射系数的关系为,当考虑到光电阴极发射出的电子被第1倍增极所收集，其收集系数为1，且每个倍增极都存在收集系数i，因此，增益G应修正为,对于非聚焦型光电倍增管, 1近似为90%。 i要高于1 ，但小于1；,对于聚焦型的，尤其是在阴极与第1倍增极之间具有电子限束电极F的倍增管，其1i 1。,倍增极的二次电子发射系数可用经验公式计算，对于锑化铯（Cs3Sb）倍增极材料有经验公式,对于氧化的银镁合金（AgMgO）材料有经验公式 =0.025UDD,对于锑化铯倍增极材料,对银镁合金材料,光电倍增管在电源电压确定后，电流放大倍数可以从定义出发，通过测量阳极电流Ia与阴极电流Ik确
12、定。,4.3.3 暗电流,光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电流，记为ID。光电倍增管的暗电流值在正常应用的情况下是很小的，一般为nA，是所有光电探测器件中暗电流最低的器件。,影响暗电流的主要因素：,1. 欧姆漏电 欧姆漏电主要指光电倍增管的电极之间玻璃漏电、管座漏电和灰尘漏电等。欧姆漏电通常比较稳定，对噪声的贡献小。在低电压工作时，欧姆漏电成为暗电流的主要部分。,2. 热发射 由于光电阴极材料的光电发射阈值较低，容易产生热电子发射，即使在室温下也会有一定的热电子发射，并被电子倍增系统倍增。,降低光电倍增管的温度是减小热发射暗电流的有效方法。,3. 残余气体放电 光电倍增管中高速运动
13、的电子会使管中的残余气体电离，产生正离子和光子，它们也将被倍增，形成暗电流。这种效应在工作电压高时特别严重，使倍增管工作不稳定。,4. 场致发射 光电倍增管的工作电压高时还会引起管内电极尖端或棱角的场强太高产生的场致发射暗电流。显然降低工作电压场致发射暗电流也将下降。,5. 玻璃壳放电和玻璃荧光 当光电倍增管负高压使用时，金属屏蔽层与玻璃壳之间的电场很强，尤其是金属屏蔽层与处于负高压的阴极电场最强。在强电场下玻璃壳可能产生放电现象或出现玻璃荧光，放电和荧光都要引起暗电流，而且还将严重破坏信号。因此，在阴极为负高压应用时屏蔽壳与玻璃管壁之间的距离至少为1020mm。,4.3.4 噪声,光电倍增管
14、的噪声主要由散粒噪声和负载电阻的热噪声组成。负载电阻的热噪声为,散粒噪声主要由阴极暗电流Id，背景辐射电流Ib以及信号电流Is的散粒效应所引起的。阴极散粒噪声电流为,散粒噪声电流将被逐级放大，并在每一级都产生自身的散粒噪声。如第1级输出的散粒噪声电流为,第2级输出的散粒噪声电流为,第n级倍增极输出的散粒噪声电流为,为简化问题，设各倍增极的发射系数都等于（各倍增极的电压相等时发射系数相差很小）时，则倍增管末倍增极输出的散粒噪声电流为,通常在36之间， 接近于1，并且，越大， 越接近于1。光电倍增管输出的散粒噪声电流简化为,总噪声电流为,在设计光电倍增管电路时，总是力图使负载电阻的热噪声远小于散粒
15、噪声,设光电倍增管的增益G=104，阴极暗电流Idk=10-14A，在室温300K情况下，只要阳极负载电阻Ra满足,当然，提高光电倍增管的增益（增高电源电压）G，降低阴极暗电流Idk都会减少对阳极电阻Ra的要求，提高光电倍增管的时间响应。,4.3.5 伏安特性,1. 阴极伏安特性,当入射光电倍增管阴极面上的光通量一定时，阴极电流Ik与阴极和第一倍增极之间电压(简称为阴极电压Uk)的关系曲线称为阴极伏安特性，,图4-6为不同光通量下测得的阴极伏安特性。从图中可见，当阴极电压较小时阴极电流Ik随Uk的增大而增加，直到Uk大于一定值(几十伏特)后，阴极电流Ik才趋向饱和，且与入射光通量成线性关系。,
16、2. 阳极伏安特性,当入射到光电倍增管阴极面上的光通量一定时，阳极电流Ia与阳极和末级倍增极之间电压(简称为阳极电压Ua)的关系曲线称为阳极伏安特性，图4-7为3组不同强度的光通量的伏安特性。,当阳极电压增大到一定程度后，被增大的电子流已经能够完全被阳极所收集，阳极电流Ia与入射到阴极面上的光通量成线性关系而与阳极电压的变化无关。,4.3.6 线性,光电倍增管的线性一般由它的阳极伏安特性表示，它是光电测量系统中的一个重要指标。线性不仅与光电倍增管的内部结构有关，还与供电电路及信号输出电路等因素有关。,内因，即空间电荷、光电阴极的电阻率、聚焦或收集效率等的变化， 外因，光电倍增管输出信号电流在负载电阻上的压降对末级倍增极电压产生负反馈和电压的再分配都可能破坏输出信号的线性。,4.3.7 疲劳与衰老,光电阴极材料和倍增极材料中一般都含有铯金属。当电子束较强时，电子束的碰撞会使倍增极和阴极板温度升高，铯金属蒸发，影响阴极和倍增极的电子发射能力，使灵敏度下降。甚至使光电倍增管的灵敏度完全丧失。因此，必须限制入射的光通量使光电倍增管的输出电
