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1、,三极管的常用 主要参数,三 极 管,三极管的 特性,三极管的 检测,半导体器件的 命名方式,三极管的 外型,导航须知,半导体器件的命名方式,第一部分,数字 字母 字母(汉拼) 数字 字母(汉拼),电极数 材料和极性 器件类型 序号 规格号,2 二极管,3 三极管,第二部分,第三部分,A 锗材料 N 型,B 锗材料 P 型,C 硅材料 N 型,D 硅材料 P 型,A 锗材料 PNP,B 锗材料 NPN,C 硅材料 PNP,D 硅材料 NPN,P 普通管 W 稳压管 K 开关管 Z 整流管 U 光电管,X 低频小功率管,G 高频小功率管,D 低频大功率管,A 高频大功率管,第四部分,第五部分,例
2、:,3AX31 3DG12B 3DD6 PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管 3CG 3AD 3DK PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管,三极管的识别和检测,1. 三极管极性的判别,2. 三极管性能的检测,(2) 用指针式万用表判别极性,(1) 用万用表的 hFE挡检测 值,(2) 用晶体管图示仪或直流参数测试表检测 (略),(1) 目测判别极性,(3) 用指针式万用表检测,穿透电流的检测,反向击穿电压的检测,放大能力的检测,目测判别三极管极性,B,E,C,用指针式万用表判断三极管极性,红表笔是(表内电源)负极 黑表笔
3、是(表内电源)正极,基极B的判断: 当黑(红)表笔接触某一极,红(黑)表笔分别接触另两个极时,万用表指示为低阻,则该极为基极,该管为NPN(PNP)。,在 R100或 R1k 挡测量 测量时手不要接触引脚,C、E极的判断: 基极确定后,比较B与另外两个极间的正向电阻,较大者为发射极E,较小者为集电极C。,用万用表的 hFE挡检测 值,1. 若有ADJ挡,先置于ADJ 挡进行调零。 拨到 hFE挡。 将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的插孔中(TO-3封装的大功率管,可将其3个电极接出3根引线,再插入插孔)。 从表头或显示屏读出该管的电流放大系数 。,三极管放大能力的检测,PNP,NP
4、N,指针偏转角度越大,则放大能力越强,用万用表检测穿透电流 ICEO,通过测量C、E间的电阻来估计穿透电流 ICEO的大小。,一般情况下, 中、小功率锗管C、E间的电阻 10 k; 大功率锗管C、E间的电阻 1.5 k; 硅管C、E间的电阻 100 k(在 R 10 k挡测量)。,检测反向击穿电压 U(BR)CEO,反向击穿电压低于50V的晶体管,可按图示电路检测。,增大电源电压,当发光二极管LED亮时,A、B之间的电压即为晶体管的反向击穿电压。,三极管的特性,输入特性,输出特性,三极管的参数,1. 常用国产高频小功率晶体管的主要参数,部分进口高频小功率晶体管的主要参数,2. 部分国产高频中、
5、大功率晶体管的主要参数,部分进口高频中、大功率晶体管的主要参数,3. 部分国产低频小功率晶体管的主要参数,部分进口中、低频小功率晶体管的主要参数,5. 常用国产低频大功率晶体管的主要参数,6. 常用国产小功率开关晶体管的主要参数,7. 部分高反压大功率开关晶体管的主要参数及封装形式,部分进口中、低频大功率晶体管的主要参数,8. 常用大功率互补对管的主要参数,常用中、小功率互补对管及其主要参数,网 上 查 询 http:/www.changli.org http:/,部分三极管的外型,请根据所要查看的内容,置鼠标于相应文字 上方,凡出现了超级链接的提示(小手),点 击鼠标则进入所要查看的内容或下一级目录。,2. 为了避免迷失查看路径,本课件关闭了点击 鼠标实现翻页的功能(除设置有动画的页面)。,3. 点击页面上的返回按纽,则回到上一级目录。,导航须知,