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1、1,TFT-LCD工艺技术概要,SVA-NEC,2,主要内容,一、TFT的基本构造 二、4Mask与5Mask工艺对比 三、ARRAY基板的工艺流程 四、TN与SFT工艺对比 五、其他,3,一、 TFT的基本构造,4,一、 TFT的基本构造,GATE,G-SiNx,a-Si,n+ a-Si,DRAIN,SOURCE,P-SiNx,ITO像素电极,GLASS,接触孔,G工程,I 工程,D工程,C工程,PI工程,5,二、4Mask与5Mask工艺对比,6,二、4Mask与5Mask工艺对比,1.节省时间：1462-1398=64min 2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机,7,二、4Mas
2、k与5Mask工艺对比,4 Mask D/I 工程,8,三、ARRAY基板的工艺流程,9,洗净,10,药液,刷子,高圧, ,排 水,排 水,纯 水, ,洗净 功能,洗净对象,作用,药液,刷洗,高 压 喷射,氧化分解,溶解,机械剥离,机械剥离,机械剥离,有机物 (浸润性改善),有机物,微粒子 (大径),微粒子 (中径),微粒子 (小径),/,溶解,接触压,水压,加速度 cavitation,洗净,11,Sputter,TFT中Sputter薄膜的种类和作用,12,Sputter设备,整体图（SMD-1200） 基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2） 搬送室(Tr) 成膜室（X1、X3）,
3、13,PECVD,注：S1所用设备加热装置放在工艺室中，且只有两个工艺室,14,PECVD,15,InlinePR,16,InlinePR,涂布前洗净,HMDS处理,涂布,EBR处理,预烘,光刻胶和基板的密着性改善,腔体,加热盘,OH,H2O,(CH3)3Si-N-Si(CH3)2 I H,O-Si(CH4)3+NH3,基板端面的光刻胶除去减少垃圾,N 洗浄液,排气,光刻胶中的溶剂除去，烧成 改善膜厚均一性和密着性,加热盘,非接触方式改善静电、背面污染、热应力等方面,非接触式栓,气泡发生罐,刷子,超声波喷头,背面,正面,疏水化,旋转cup方式,气流控制、膜厚改善,17,曝光,基板,弓補正,18
4、,显影,显影液回收,清洗槽,风刀干燥,显影槽,基板倾斜，显像液流下,基板全面喷纯水,回收 显影液,19,湿刻,20,干刻,机械手,/,/,工艺腔,工艺腔,转移腔,工艺腔,装料腔,21,干刻,压力控制,气体供给,控制台,除害装置 （scrubber）,汽缸cabinet,Gas box,上部电极 气体吹出,电源 （场合）,下部电极,APC阀,泵,流量控制,RF power,压力检出,真空排气,特气对应,APC 控制,C/M 控制,C/M,等离子体,工艺腔体,M. Box,22,剥离,次剥离,次剥离,次 rinse,次 rinse,干燥,冲淋,循环冲淋,纯水冲淋,剥离液,剥离液,Cascade,循
5、环水,纯水,23,四、TN与SFT工艺对比, Mask Process, Mask Process,工程 （Gate),工程 (Island),工程 (Drain),工程 (Contact),工程 (Pixel),-Pattern 在周边部位,-Pattern 在周边部,I工程和D工程一起进行,24,四、TN与SFT工艺对比,TN： 构造简单 PR数少，成本低，LT短 开口率大 开态时液晶分子不能 完全直立，视角较小 常白模式，不良点多 为明点，易成为点缺陷,SFT： 液晶分子水平排列，视角大 常黑模式，不良点为暗点， 不易发现 电极面积大导致开口率小 Pattern密度高，易受异物影响 为了
6、增加亮度必须增大背光源辉度，功耗较大,25,五、其他-玻璃尺寸比较,26,NEG出展的8代玻璃,五、其他-玻璃尺寸比较,27,五、其他-TFT-LCD产业特性与半导体的异同,TFT-LCD产业与半导体产业最相似之处：在于前段阵列制程，都是设备投资金额昂贵以及进行一连串高精细度的半导体制程。 不同的是： 1TFT是在玻璃上加工，半导体则是在硅晶圆上加工。 2半导体产业的材料成本比例大约仅在8到10%左右；但是TFT的材料成本高达五至六成。所以，DRAM价格可能下杀到原来的一成以下，但TFT 面板的价格走势相对较为平稳。 3半导体产品（如：DRAM）属标准产品，相容性相当高；但是TFT 面板不同客户要求的产品亮度，电路接点等几乎都不尽相同。 4半导体产品的上游材料产业供应链相对地短，但是TFT的上下游产业供应链相当长。 5半导体产业的发展历程较长，欧美日韩台，都具生产半导体相关产品的能力；但TFT目前仅有日韩台厂商有能力生产。,28,Have an insight into future OLED 谢 谢！,
