GPP_制程简介课件

上传人:我*** 文档编号:144991354 上传时间:2020-09-15 格式:PPT 页数:55 大小:424KB
返回 下载 相关 举报
GPP_制程简介课件_第1页
第1页 / 共55页
GPP_制程简介课件_第2页
第2页 / 共55页
GPP_制程简介课件_第3页
第3页 / 共55页
GPP_制程简介课件_第4页
第4页 / 共55页
GPP_制程简介课件_第5页
第5页 / 共55页
点击查看更多>>
资源描述

《GPP_制程简介课件》由会员分享,可在线阅读,更多相关《GPP_制程简介课件(55页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、GPP 制程简介,What is GPP,GPP ( Glass Passivation Pellet ) ? 为使用玻璃作为钝化保护层之小颗粒 引申为使用玻璃作为钝化保护层之元件 GPP,Why GPP,GPP 结构介绍,GPP之结构一般可分为两种: 1.) 单沟 ( SM , Single Moat ) 2.) 双沟 ( DM , Double Moat ),SM,Glass,DM,P+,N,N+,Glass,GPP Process Flow,Wafer Clean,Oxidation,1st Photo,BOE Etch,Grid Etch,PR Strip,Oxide Etch,SIP

2、OS Dep.,2nd Photo,PG Burn off,Glass Firing,LTO,3rd Photo,PG Coating,RCA Clean,进黄光室,PR Strip,Contact Etch,Non SIPOS,Wafer Clean ( 晶片清洗 ),扩散后晶片,晶片清洗,N,N+,P+,磷,硼,检查生产流程卡确认是否料、量、卡是否一致,岑祥科技内训教材,Oxidation (热氧化),排晶片,热氧化完成后出炉状况,灰色表示晶片,白色表示石英舟,热氧化生成之方法与其特性比较,热氧化,于晶片表面形成一层 SiO2,以利于后续黄光作业之光阻涂布,晶片,N,N+,P+,氧化层,1

3、st Photo ( 一次黄光 ),What is PR ( 光阻 ),光阻本身主要成份为: 1.) 树脂 2.) 感光剂 3.) 有机溶剂 光阻可分为: 1.) 正光阻 照射到紫外光後会产生解离现象,接著使用显影液去除 2.)负光阻 照射到紫外光後会产生聚合现象,无法使用显影液去除,一次黄光,晶片,N,N+,P+,氧化層,光阻,BOE Etch ( BOE 蚀刻 ),将晶片送至化学蚀刻站,并以BOE将裸露出来之氧化层去除 BOE ( Buffer Oxide Etchant ): 是一种含有HF / NH4F / H2O 之溶液 优点: 1.) HF 可蚀刻氧化层,而 NH4F 可补充HF蚀

4、刻氧化层所消耗掉之 F- ,故可使蚀刻速率较为稳定 缺点: 1.) 若 NH4F 所占之比例过高时,再低温下 ( 約小於15 ) 反而容易形成结晶,进而造成蚀刻速率不稳定 解决方法: 1.) 再不影响蚀刻速率下,适度的降低 NH4F 含量,BOE 蚀刻,晶片,N,N+,P+,氧化層,光阻,Grid Etch ( 格子蚀刻 ),将 BOE 蚀刻完成之晶片送至格子蚀刻站,准备进行格子蚀刻 利用 HF / HNO3 / CH3COOH 之混合酸将裸露出来之矽进行蚀刻 HF:蚀刻 SiO2 HNO3 :将硅氧化成SiO2 CH3COOH :缓冲剂 ,使蚀刻过程不要太剧烈 控制蚀刻液之温度及稳定度可提升

5、蚀刻之均匀性,格子蚀刻,晶片,N,N+,P+,氧化層,光阻,PR Strip ( 光阻去除 ),将格子蚀刻完成之晶片送至光阻去除站,并准备进行光阻去除 利用硫酸将光阻剂去除干净,光阻去除,晶片,N,N+,P+,氧化層,SiO2 Etch ( 氧化层蚀刻 ),氧化层蚀刻,晶片,N,N+,P+,RCA Clean ( RCA 清洗 ),RCA 清洗,SIPOS Dep. ( SIPOS 沉积 ),SIPOS ( Semi Insolated Polycrystalline Of Silicon ) 半绝缘多晶硅 利用 LPCVD 通入 SiH4 / N2O 在适当的温度时间与气体流量下,於晶片表面

6、形成一层薄膜 目的: 1.) 可适度的提升击穿电压 ( VB ) 缺点: 1.) 反向漏电流较高,SIPOS 沉积,晶片,N,N+,P+,SIPOS,SIPOS,进黄光室,将SIPOS 沉积完成之晶片送至黄光室,准备进行光阻玻璃涂布,2nd Photo ( 二次黄光 ),PG Coating ( 光阻玻璃涂布 ),光阻玻璃 ( PG ): 为光阻与玻璃粉以一定之比例调配而成之胶状溶液,玻璃涂布之方法与差异,光阻玻璃涂布,N,N+,P+,SIPOS,SIPOS,PG,二次黄光完成,N,N+,P+,SIPOS,SIPOS,PG,PG Burn Off ( 光阻烧除 ),排晶片,光阻烧除完成后出炉状

7、况,灰色表示晶片,白色表示石英舟,Glass Firing ( 玻璃燒結 ),灰色表示晶片,白色表示石英舟,玻璃烧结,N,N+,P+,SIPOS,SIPOS,Glass,岑祥科技内训教材,LTO ( 低温氧化层沉积 ),LTO ( Low Temperature Oxidation ) 利用LPCVD於低温下在晶片表面沉积一层氧化层 Why LTO 因为玻璃粉之温度转换点特性之故 ( 依照不同之玻璃粉有不同之温度转换点,大约于 450600 ),低温氧化层沉积,N,N+,P+,SIPOS,SIPOS,Glass,SiO2,3rd Photo ( 三次黄光 ),三次黄光,N,N+,P+,SIPO

8、S,SIPOS,Glass,SiO2,PR,Contact Etch ( 接触面蚀刻 ),接触面蚀刻,N,N+,P+,SIPOS,Glass,SiO2,PR,PR Strip ( 光阻去除 ),将接触面蚀刻完成之晶片送至光阻去除站,并准备进行光阻去除 利用硫酸将光阻剂去除干净,光阻去除,N,N+,P+,SIPOS,Glass,SiO2,1st Ni Plating ( 一次镀镍 ),于晶片表面以无电电镀之方式镀上一层镍,以形成後段封装所需之焊接面,一次镀镍,N,N+,P+,SIPOS,Glass,SiO2,Ni,Ni Sintering ( 镍烧结 ),於一次镀镍完后会安排晶片进炉做烧结之动作

9、 其主要目的为: 1.) 让镍与硅形成合金 2.) 增加焊接之拉力,镍烧结,N,N+,P+,SIPOS,Glass,SiO2,Ni,2nd Ni Plating ( 二次镀镍 ),镍烧结完后晶片表面一样会有多余之镍残留,通常都使用硝酸来去除 处理完之晶片会再镀上一层镍来提供焊接面,二次镀镍 泡完硝酸后,N,N+,P+,SIPOS,Glass,SiO2,Ni,二次镀镍完成后,N,N+,P+,SIPOS,Glass,SiO2,Ni,Au Plating ( 镀金 ),由于镍置于室温中容易氧化,故会在其晶片外表再镀上一层金,以避免氧化现象发生 另外金还有一个优点 于焊接时可让焊锡之流动状况较好,镀金,N,N+,P+,SIPOS,Glass,SiO2,Ni,Au,人有了知识,就会具备各种分析能力, 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书,广泛阅读, 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识, 培养逻辑思维能力; 通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平, 培养文学情趣; 通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操, 给我们巨大的精神力量, 鼓舞我们前进。,

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 办公文档 > PPT模板库 > PPT素材/模板

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号