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1、第 1页 ( 共 3页 )长沙理工大学考试试卷 试卷编号 01 拟题教研室(或教师)签名 电子教研室 教研室主任签名课程名称 (含档次) 模拟电子技术 课程代号专 业 电类相关专业 层次(本、专) 本科 考试方式(开、闭卷) 闭卷一、填空(本题共 一、填空(本题共 一、填空(本题共 一、填空(本题共 20分,每空 分,每空 分,每空 分,每空 1分 分 分 分 ) ) ) ) : : : :1 整流电路的任务是 _;滤波电路的任务是 _。2 在 PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于 而产生的,漂移运动是 _作用下产生的。3 放大器有两种不同性质的失真,分别是 _失真和 _失真。4 在 共
2、 射 阻 容 耦 合 放 大 电 路 中 , 使 低 频 区 电 压 增 益 下 降 的 主 要 原 因 是 _的 影 响 ; 使 高 频 区 电 压 增 益 下 降 的 主 要 原 因 是_的影响。5 在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是 _;引入交流负反馈的作用是 _。6 正弦波振荡电路一般由 _、 _、 _、 _这四个部分组成。7 某 多级 放大 器中 各级 电压 增益 为: 第一 级 25dB、 第二 级 15dB、 第 三 级 60dB, 放大 器的 总增 益为 _, 总的 放大 倍数为 _。8 在双端输入 、 单端输出的差动放大电路中 , 发射极公共电阻 Re对 _信号的放大无
3、影响 , 对 _信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比 KCMR为 _之比。9 某放大电路的对数幅频特性如图 1(在第三页上)所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为 _dB。二、判断(本题共 二、判断(本题共 二、判断(本题共 二、判断(本题共 10分 分 分 分 ,每小题 每小题 每小题 每小题 1分,正确的打 分,正确的打 分,正确的打 分,正确的打 ,错误的打 ,错误的打 ,错误的打 ,错误的打 ) ) ) ) : : : :1、 ( )构成各种半导体器件的基础是 PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。2、 ( )稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。3、 (
4、 )在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。4、 ( )若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。5、 ( )通常,甲类功放电路的效率最大只有 40%,而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。6、 ( )一般情况下,差动电路的共模电压放大倍数越大越好,而差模电压放大倍数越小越好。7、 ( )根据负反馈自动调节原理,交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。8、 ( )要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大,则应引入电流串联负反馈。9、 ( )在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小,在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。
5、10、 ( )在正弦波振荡电路的应用中,通常,当要求振荡工作频率大于 1MHz时,应选用 RC正弦波振荡电路。三、选择(本题共 三、选择(本题共 三、选择(本题共 三、选择(本题共 20分 分 分 分 ,每个选择 每个选择 每个选择 每个选择 2分 分 分 分 ) ) ) ) : : : :1在放大电路中,测得某三极管的三个电极的静态电位分别为 0V, 10V, 9.3V,则此三极管是( )A.NP型硅管; B.NP型锗管; C.PN型硅管; D.PN型锗管;2 为了使放大电路 Q点上移,应使基本放大电路中偏置电阻 Rb的值 ( ) 。A.增大 B.不变 C.减小3 典型的差分放大电路中 Re
6、( ) 。A.对差模信号起抑制作用 B.对共模信号起抑制作用 C.对差模信号和共模信号均无作用4在差动电路中, 若 单 端输入的差模 输入 电压为 20V,则 其共 模 输入 电压为 ( ) 。A.40V B.20V C.1 D.5V5 电流源的特点是 ( ) 。A.交流电阻大,直流电阻小; B.交流电阻小,直流电阻大;C.交流电阻大,直流电阻大; D.交流电阻小,直流电阻小 。6 影响放大电路高频特性的主要因素是 ( ) 。A.耦合电容和旁路电容的存在; B.放大电路的静态工作点不合适;C.半导体管的非线性特性; D.半导体管极间电容和分布电容的存在 ;7 关于理想运算放大器的错误叙述是 (
7、 ) 。A 输入阻抗为零,输出阻抗也为零; B 输入信号为零时,输出处于零电位;C 频带宽度从零到无穷大; D 开环电压放大倍数无穷大8 有 T1、 T2和 T3三只晶体管 , T1的 20, ICEO 20 A; T2的 10, ICEO 10 A; T3的 10, ICEO 10 A, 其它参数基本相同,则实用中应选( )A.T1管 ; B.T2管 ; C.T3管9交流反馈是指( )A只存在于阻容耦合电路中的负反馈; B变压器耦合电路中的负反馈;第 2页 ( 共 3页 )C交流通路中的负反馈; D放大正弦信号时才有的负反馈;10 R桥式正弦波振荡电路是由两部分组成,即 RC串并联选频网络和
8、( )A.基本共射放大电路; B.基本共集放大电路; .反相比例运算电路; D.同相比例运算电路;四、分析与计算(本题共 四、分析与计算(本题共 四、分析与计算(本题共 四、分析与计算(本题共 50分 分 分 分 ) ) ) ) : : : :1 (本小题 10分 )电路如图 2所示, 通过分析判断反馈组态,并 近似计算其闭环电压增益 Ausf。2 (本小题 分 )电路如图 3所示 , u2=10V, 在下列情况下 , 测得输出电压平均值 Uo的数值各为多少? ( 1) 正常情况时 ; ( 2) 电容虚焊时 ; ( 3) RL开路时 ; ( 4)一只整流管和电容 C同时开路时。3 (本小 题
9、12分 )如图 所示电路中 , A为理想运放 , Vc 16V, RL 8, R1 0k, R2 10k, 三极管的饱和管压降 UCES 0V,Uo 10V。 ( )合理连接反馈电阻 R2; ( 2)设 A输出电压幅值足够大,估算最大输出功率 Pom ; ( 3)估算单个三极管的最大集电极耗散功率 PCM值。4 (本小题 18分 )电路图 5中 , C1、 C3和 CE的容量足够大 , 晶体管的 50, rbb 20 , VBEQ 0.7V, RS 2k , RB1 25k , RB2 5k , RC 5k , RL k , RE1 .7k , RE2 30 , VC 12V。 计算 : (
10、1) 电路的静态工作点 ; ( 2) 电压放大倍数 AuS、 输入电阻i和 输出电阻 O。图 1 图 2图 3 图 4图 5第 3页 ( 共 3页 )长沙理工大学考试试卷 试卷编号 02 拟题教研室(或教师)签名 电子教研室 教研室主任签名课程名称 (含档次) 模拟电子技术 课程代号专 业 电类相关专业 层次(本、专) 本科 考试方式(开、闭卷) 闭卷一、填空(本题共 一、填空(本题共 一、填空(本题共 一、填空(本题共 18分,每空 分,每空 分,每空 分,每空 1分 分 分 分 ) ) ) ) : : : :1 本征 半导 体中 ,自 由电 子浓 度 _空 穴浓 度; 在 P型 半导 体中
11、 ,自 由电 子浓 度 _空 穴浓 度; 在 N型 半导 体中 ,自 由电子浓度 _空穴浓度。2 放大电路中 , 测得三极管三个电极 1, 2, 3的电位为 VUVUVU 12,8.2,5.3 321 = ; 则该三极管是 _型 , 电极为 _,为 _,为 _。3射极输出器的特点是:电压放大倍数 _,输入电阻 _,输出电阻 _。4半导体三极管属 _控制器件,而场效应管属 _控制器件。5正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是 =FA_, A+ B=_。6若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流,应选用 _反馈。7文氏电桥正弦波振荡器用 _网络选频,当这种电路产生振荡时,该选频网络的反馈系数 F=_
12、, F=_。二、简答(本题共 二、简答(本题共 二、简答(本题共 二、简答(本题共 10分 分 分 分 ,每小题 每小题 每小题 每小题 5分 分 分 分 ) ) ) ) : : : :1什么是零点漂移,产生的原因是什么,抑制零点漂移最有效的方法是什么?2什么是交越失真,如何克服交越失真?三、分析与计算(本题共 三、分析与计算(本题共 三、分析与计算(本题共 三、分析与计算(本题共 72分 分 分 分 ) ) ) ) : : : :1 (本小 题 15分 )放大电路如图示 , = kRkR bb 52,821 , RC=8.7k , eR=1.3K , = 300rb , +VC=+15V,
13、=20,UBE=0.7V,电容容量足够大,求: 静态工作点; 电压放大倍数 uA; 输入电阻 iR和 Ro; 若 SR=1k ,求 usA; 若 eC开路,求 uA。2 (本 小 题 12分 )电 路 如 图 所 示 , ,k20R,k30RR,k5RR e2C1C2b1b = 1T和 2T的 性 能 一 致 ,V15V,15VEC =+=+ ; =k4rr 2be1be , 5021= ;试求: :求 udA, idR; :电路改成从 2T的集电极与地之间输出时 udA图 1 图 23 (本小题 15分 )电路如图所示,已知: V20V,20V CC = , =8RL ,输入电压 )V(wt
14、sin210ui= , 1T和 2T的性能一致,死区影响和 CESU均可忽略。试求:输出功率 oP,电源消耗功率 VP及能量转换效率 ,每管功耗 TP。第 4页 ( 共 3页 )4 (本小题 15分 )反馈电路如图所示,试回答: :该电路引入了何种反馈(极性和组态 ) ; :该反馈对输入和输出电阻有何影响(增大或减小 ) ; :在深度负反馈条件下,求电压增益 ufA。图 3 图 45 (本小题 15分 )电路如图所示,集成运放均为理想运放,试写出输出电压 o2o1o U,U的表达式。图 5第 5页 ( 共 3页 )长沙理工大学考试试卷 试卷编号 03 拟题教研室(或教师)签名 电子教研室 教研室主任签名课程名称 (含档次) 模拟电子技术 课程代号专 业 电类相关专业 层次(本、专) 本科 考试方式(开、闭卷) 闭卷一、填空(本题共 一、填空(本题共 一、填空(本题共 一、填空(本题共 20分,每空 分,每空 分,每空 分,每空 1分 分 分 分 ) ) ) ) : : : :1、构成各种半导体器件的基础是 PN结,它具有 和 特性。2、稳压二极管根据击穿机理可以分为 击穿和 击穿。3、三极管正常工作(起放大作用)必须具备的两个外部条件是 和 。4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有 耦合、 耦合和 耦合。5、在集成