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1、第 1页 （ 共 3页 ）长沙理工大学考试试卷 试卷编号 01 拟题教研室（或教师）签名 电子教研室 教研室主任签名课程名称 （含档次） 模拟电子技术 课程代号专 业 电类相关专业 层次（本、专） 本科 考试方式（开、闭卷） 闭卷一、填空（本题共 一、填空（本题共 一、填空（本题共 一、填空（本题共 20分，每空 分，每空 分，每空 分，每空 1分 分 分 分 ） ） ） ） ： ： ： ：1 整流电路的任务是 _；滤波电路的任务是 _。2 在 PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于 而产生的，漂移运动是 _作用下产生的。3 放大器有两种不同性质的失真，分别是 _失真和 _失真。4 在 共
2、 射 阻 容 耦 合 放 大 电 路 中 ， 使 低 频 区 电 压 增 益 下 降 的 主 要 原 因 是 _的 影 响 ； 使 高 频 区 电 压 增 益 下 降 的 主 要 原 因 是_的影响。5 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 _；引入交流负反馈的作用是 _。6 正弦波振荡电路一般由 _、 _、 _、 _这四个部分组成。7 某 多级 放大 器中 各级 电压 增益 为： 第一 级 25dB、 第二 级 15dB、 第 三 级 60dB， 放大 器的 总增 益为 _， 总的 放大 倍数为 _。8 在双端输入 、 单端输出的差动放大电路中 ， 发射极公共电阻 Re对 _信号的放大无
3、影响 ， 对 _信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比 KCMR为 _之比。9 某放大电路的对数幅频特性如图 1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为 _dB。二、判断（本题共 二、判断（本题共 二、判断（本题共 二、判断（本题共 10分 分 分 分 ,每小题 每小题 每小题 每小题 1分，正确的打 分，正确的打 分，正确的打 分，正确的打 ，错误的打 ，错误的打 ，错误的打 ，错误的打 ） ） ） ） ： ： ： ：1、 （ ）构成各种半导体器件的基础是 PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。2、 （ ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。3、 （
4、 ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。4、 （ ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。5、 （ ）通常，甲类功放电路的效率最大只有 40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。6、 （ ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。7、 （ ）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。8、 （ ）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。9、 （ ）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。
5、10、 （ ）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于 1MHz时，应选用 RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共 三、选择（本题共 三、选择（本题共 三、选择（本题共 20分 分 分 分 ,每个选择 每个选择 每个选择 每个选择 2分 分 分 分 ） ） ） ） ： ： ： ：1在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为 0V， 10V， 9.3V，则此三极管是（ ）A.NP型硅管； B.NP型锗管； C.PN型硅管； D.PN型锗管；2 为了使放大电路 Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻 Rb的值 （ ） 。A.增大 B.不变 C.减小3 典型的差分放大电路中 Re
6、（ ） 。A.对差模信号起抑制作用 B.对共模信号起抑制作用 C.对差模信号和共模信号均无作用4在差动电路中， 若 单 端输入的差模 输入 电压为 20V，则 其共 模 输入 电压为 （ ） 。A.40V B.20V C.1 D.5V5 电流源的特点是 （ ） 。A.交流电阻大，直流电阻小； B.交流电阻小，直流电阻大；C.交流电阻大，直流电阻大； D.交流电阻小，直流电阻小 。6 影响放大电路高频特性的主要因素是 （ ） 。A.耦合电容和旁路电容的存在； B.放大电路的静态工作点不合适；C.半导体管的非线性特性； D.半导体管极间电容和分布电容的存在 ；7 关于理想运算放大器的错误叙述是 （
7、 ） 。A 输入阻抗为零，输出阻抗也为零； B 输入信号为零时，输出处于零电位；C 频带宽度从零到无穷大； D 开环电压放大倍数无穷大8 有 T1、 T2和 T3三只晶体管 ， T1的 20， ICEO 20 A； T2的 10， ICEO 10 A； T3的 10， ICEO 10 A， 其它参数基本相同，则实用中应选（ ）A.T1管 ； B.T2管 ； C.T3管9交流反馈是指（ ）A只存在于阻容耦合电路中的负反馈； B变压器耦合电路中的负反馈；第 2页 （ 共 3页 ）C交流通路中的负反馈； D放大正弦信号时才有的负反馈；10 R桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即 RC串并联选频网络和
8、（ ）A.基本共射放大电路； B.基本共集放大电路； .反相比例运算电路； D.同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共 四、分析与计算（本题共 四、分析与计算（本题共 四、分析与计算（本题共 50分 分 分 分 ） ） ） ） ： ： ： ：1 (本小题 10分 )电路如图 2所示， 通过分析判断反馈组态，并 近似计算其闭环电压增益 Ausf。2 (本小题 分 )电路如图 3所示 ， u2=10V， 在下列情况下 ， 测得输出电压平均值 Uo的数值各为多少？ （ 1） 正常情况时 ； （ 2） 电容虚焊时 ； （ 3） RL开路时 ； （ 4）一只整流管和电容 C同时开路时。3 (本小 题
9、12分 )如图 所示电路中 ， A为理想运放 ， Vc 16V， RL 8， R1 0k， R2 10k， 三极管的饱和管压降 UCES 0V，Uo 10V。 （ ）合理连接反馈电阻 R2； （ 2）设 A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率 Pom ； （ 3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率 PCM值。4 (本小题 18分 )电路图 5中 ， C1、 C3和 CE的容量足够大 ， 晶体管的 50， rbb 20 ， VBEQ 0.7V， RS 2k ， RB1 25k ， RB2 5k ， RC 5k ， RL k ， RE1 .7k ， RE2 30 ， VC 12V。 计算 ： （
10、1） 电路的静态工作点 ； （ 2） 电压放大倍数 AuS、 输入电阻i和 输出电阻 O。图 1 图 2图 3 图 4图 5第 3页 （ 共 3页 ）长沙理工大学考试试卷 试卷编号 02 拟题教研室（或教师）签名 电子教研室 教研室主任签名课程名称 （含档次） 模拟电子技术 课程代号专 业 电类相关专业 层次（本、专） 本科 考试方式（开、闭卷） 闭卷一、填空（本题共 一、填空（本题共 一、填空（本题共 一、填空（本题共 18分，每空 分，每空 分，每空 分，每空 1分 分 分 分 ） ） ） ） ： ： ： ：1 本征 半导 体中 ，自 由电 子浓 度 _空 穴浓 度； 在 P型 半导 体中
11、 ，自 由电 子浓 度 _空 穴浓 度； 在 N型 半导 体中 ，自 由电子浓度 _空穴浓度。2 放大电路中 ， 测得三极管三个电极 1， 2， 3的电位为 VUVUVU 12,8.2,5.3 321 = ； 则该三极管是 _型 ， 电极为 _，为 _，为 _。3射极输出器的特点是：电压放大倍数 _，输入电阻 _，输出电阻 _。4半导体三极管属 _控制器件，而场效应管属 _控制器件。5正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是 =FA_， A+ B=_。6若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用 _反馈。7文氏电桥正弦波振荡器用 _网络选频，当这种电路产生振荡时，该选频网络的反馈系数 F=_
12、， F=_。二、简答（本题共 二、简答（本题共 二、简答（本题共 二、简答（本题共 10分 分 分 分 ,每小题 每小题 每小题 每小题 5分 分 分 分 ） ） ） ） ： ： ： ：1什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？2什么是交越失真，如何克服交越失真？三、分析与计算（本题共 三、分析与计算（本题共 三、分析与计算（本题共 三、分析与计算（本题共 72分 分 分 分 ） ） ） ） ： ： ： ：1 (本小 题 15分 )放大电路如图示 ， = kRkR bb 52,821 ， RC=8.7k ， eR=1.3K ， = 300rb ， +VC=+15V，
13、=20，UBE=0.7V，电容容量足够大，求： 静态工作点； 电压放大倍数 uA； 输入电阻 iR和 Ro； 若 SR=1k ，求 usA； 若 eC开路，求 uA。2 (本 小 题 12分 )电 路 如 图 所 示 ， ,k20R,k30RR,k5RR e2C1C2b1b = 1T和 2T的 性 能 一 致 ，V15V,15VEC =+=+ ； =k4rr 2be1be ， 5021= ；试求： ：求 udA， idR； ：电路改成从 2T的集电极与地之间输出时 udA图 1 图 23 (本小题 15分 )电路如图所示，已知： V20V,20V CC = ， =8RL ，输入电压 )V(wt
14、sin210ui= ， 1T和 2T的性能一致，死区影响和 CESU均可忽略。试求：输出功率 oP，电源消耗功率 VP及能量转换效率 ，每管功耗 TP。第 4页 （ 共 3页 ）4 (本小题 15分 )反馈电路如图所示，试回答： ：该电路引入了何种反馈（极性和组态 ） ； ：该反馈对输入和输出电阻有何影响（增大或减小 ） ； ：在深度负反馈条件下，求电压增益 ufA。图 3 图 45 (本小题 15分 )电路如图所示，集成运放均为理想运放，试写出输出电压 o2o1o U,U的表达式。图 5第 5页 （ 共 3页 ）长沙理工大学考试试卷 试卷编号 03 拟题教研室（或教师）签名 电子教研室 教研室主任签名课程名称 （含档次） 模拟电子技术 课程代号专 业 电类相关专业 层次（本、专） 本科 考试方式（开、闭卷） 闭卷一、填空（本题共 一、填空（本题共 一、填空（本题共 一、填空（本题共 20分，每空 分，每空 分，每空 分，每空 1分 分 分 分 ） ） ） ） ： ： ： ：1、构成各种半导体器件的基础是 PN结，它具有 和 特性。2、稳压二极管根据击穿机理可以分为 击穿和 击穿。3、三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是 和 。4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有 耦合、 耦合和 耦合。5、在集成
