DDR SDRAM在嵌入式系统中的应用.doc

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1、DDR SDRAM在嵌入式系统中的应用 很多嵌入式系统,特别是应用于图像处理与高速数据采集等场合的嵌入式系统,都需要高速缓存大量的数据。DDR(DoubleDataRate,双数据速率)SDRAM由于其速度快、容量大,而且价格便宜,因此能够很好地满足上述场合对大量数据缓存的需求。但DDRSDRAM的接口不能直接与现今的微处理器和DSP的存储器接口相连,需要在其间插入控制器实现微处理器或DSP对存储器的控制。 随看密度与性能的不断提升,现场可编程门阵列(FPGA)已被广泛应用于各种嵌入式系统中。而且,现在很多的FPGAs都提供了针对DDRSDRAM的接口特性:其输入输出引脚都与SSTL一II电气

2、特性相兼容,内部提供了DDR触发器、锁相环等硬件资源。使用这些特性,可以更加容易地设计性能可靠的高速DDRSDRAM存储器控制器。 1 DDR SDRAM在嵌入式系统中的应用 图1是DDR SDRAM在高速信号源系统中的应用实例。 在该系统中,由FPGA完成各模块之间的接口控制。FPGA接收从前端传送过来的高速数字信号,并将其存储在DDRSDRAM中;13SP通过FPGA读取DDR中的数据处理后再送回到DDRSDRAM,最后由FPGA负责将数据分两路输出。 该系统对存储器的要求是能够高速地存储大量的数据,DDRSDRAM正好能满足这一要求。此时,FPGA是否能对DDRSDRAM进行有效控制就成

3、为影响系统性能的关键。最后的试验结果表明,FPGA是能够胜任这一任务的。 2 DDRSDRAM的工作方式 在DDRSDRAM能够被存取数据之前,需要先对其初始化。该初始化流程是预先定义好的,不正确的操作将导致无法预料的结果。初始化的过程中将设置DDRSDRAM的普通模式寄存器和扩展模式寄存器,用来制定DDRSDRAM的工作方式。这些设置包括突发长度、突发类型、CAS潜伏期和工作模式以及扩展模式寄存器中的对DDRSDRAM内部DLL的使能与输出驱动能力的设置。模式寄存器可以被再编程,这时需要DDRSDRAM的各个区(bank)处于空闲状态,从而改变存储器的工作模式。如果操作正确,对模式寄存器的再

4、编程不会改变存储器内存储的数据。 初始化完成之后,DDRSDRAM便进入正常的工作状态,此时便可对存储器进行读写和刷新。DDRSDRAM在一对差分时钟(CLK与CLKn;CLK的上升沿与CLKn的下降沿的交点被认为是CLK的上升沿)的控制下工作。命令(地址和控制信号)在每个时钟(CLK)的上升沿被触发。随着数据一起传送的还包括一个双向的数据选通信号,接收方通过该信号来接收数据。DQS作为选通信号在读周期中由DDRSDRAM来产生,在写周期中由存储器控制器来产生。该选通信号与数据相关,其作用类似于一个独立的时钟,因此也需要满足相应的时序要求。读周期中,DQS与数据是边沿对齐的;写周期中,DQS与

5、数据是中心对齐的。存储器输入的数据在DQS的两个沿都触发输出的数据也是以DQS的两个沿作为参考,同时还要以时钟CLK的两个沿作为参考。因此,由于接口在时钟的两个沿的触发下工作,其数据宽度(n)是存储器数据宽度(2n)的一半。图2描述了DDRSDRAM的工作方式。 对DDRSDRAM的读和写操作是基于突发的:从一个选定的地址单元开始,连续存取设置好长度的地址单元。该长度就是所谓的突发长度。DDRSDRAM提供的可编程的读或写的突发长度为2,4或8。数据的存取以一个激活命令(ACTlVEcommand,RAS_nlow)开始,接着便是读(CAS_nlow)或写(CAS_nlowandWE_nlow

6、)命令。与激活命令一起被触发的地址位用来选择将要存取的区(bank)和页(或行)与读或写命令一起触发的地址位用来选择突发存取的起始列单元。使用控制器读取DDRSDRAM的仿真波形示意图如图2所示。读命令被触发后,数据将在1.53个时钟周期之后出现在数据总线上。这个延迟就是所谓的CAS潜伏期(CASlatency),即从DRAM内核读出数据到数据出现在数据总线上所需要的时间。CAS潜伏期的大小与SDRAM的速度和存储器的时钟频率有关。 当要存取一个不同行的地址单元时,需要通过一个预充电(PRECHARGE)操作关闭当前行。自动刷新(AUTO-REFRESH)命令用来周期性地刷新DDRSDRAM,

7、以保持其内部的数据不丢失。 3 DDRSDRAM控制器的设计 DDRSDRAM控制器的功能就是初始化DDRSDRAM;将DDRSDRAM复杂的读写时序转化为用户方简单的读写时序,以及将DDRSDRAM接口的双时钟沿数据转换为用户方的单时钟沿数据,使用户像操作普通的RAM一样控制DDRSDRAM;同时,控制器还要产生周期性的刷新命令来维持DDRSDRAM内的数据而不需要用户的干预。 3.1 DDRSDRAM控制器的控制流程 DDRSDRAM提供了多种命令,整个控制状态机非常复杂。但很多应用场合中,并不需要用到所有的命令,因此为了简化设计,但同时又兼顾尽可能多的应用场合,在控制器的设计中制定了如下

8、几种功能:DDRSDRAM的初始化,可变长度的突发读写,自动刷新功能,预充电以及模式寄存器的重置(reload)。图3是控制器整个状态转移图。 系统上电后,DDRSDRAM处于空闲状态(Idle),在对存储器进行读写操作之前,需要先对其进行初始化。初始化的过程中,将设置突发长度,突发类型,CAS潜伏期等参数。DDRSDRAM的初始化有一个固定的步骤,错误的操作将导致DDRSDRAM进入不确定状态。在控制器中使用了一个专门的初始化状态机来对DDRSDRAM进行初始化。 初始化完之后便可对DDRSDRAM进行读、写或其他操作。在执行读(写)命令之前,先要激活(Active)将要读(写)的行,之后便

9、可对该行进行突发读(写)。在控制器的设计中,所有的读写命令都是不带预充电的,因此,某一行被激活之后将一直处于激活状态,直到用户发送突发终止命令,此时控制器将自动产生一个预充电命令来关闭当前行。这样,某一行被激活之后用户便可进行连续的突发读(写)操作,从而节省了每次突发读写所需要的激活时间,提高了系统的数据吞吐率。 控制器同时提供了一个自动刷新(autorefresh)计数器,每隔一定的时间间隔(即DDRSDRAM的刷新周期,根据所使用的存储器而定,可在控制器中设定),便会产生一个刷新请求。如果此时DlDRSDRAM处于空闲状态,控制器便会发出一个自动刷新命令来对DDRSDRAM进行刷新;如果此

10、时DDRSDRAM正在进行读(写)操作,控制器将会等到当前的读(写)操作完成之后再发送刷新命令。在刷新过程中,用户如果有读(写)请求,控制器将在当前刷新周期完成之后再响应用户的请求。 正常的操作过程中,当DDRSDRAM处于空闲状态时,用户还可以根据实际的需要来重置存储器的控制寄存器,重新设定存储器的突发长度、突发类型、CAS潜伏期等参数。 3.2 控制器数据通道的结构 图4是DDRSDRAM控制器数据通道的结构图。 图4中完整地显示了控制器读和写数据通道上DQ与DQS的结构关系。前面提到过,Cyclone系列FPGA没有带DDR触发器的输入输出单元,但完全可以用靠近输入输出引脚处的逻辑资源来

11、实现DDR触发器,而且最后的结果表明,这种实现方式可以满足时序要求。 从图4中也可以看到,控制器内部有两个时钟,clk和clk_90,两者之间的相位差为90。图中将面向存储器的时钟命名为clk。它是clk_90时钟的90相位延迟后的信号。clk_90作为系统时钟来驱动整个FPGA,clk时钟驱动存储器接口电路。 3.2.1 DQS相位延迟电路 在读周期中,DDRSDRAM输出的DQ和DQS信号是边沿对齐的。为了使用DQS作为选通信号来捕获DQ,DQS信号需要在FPGA内部相对于DQ信号作90的相位延迟。但是这个延迟不能使用锁相环(PLL)来完成,因为DQS信号不具有时钟的特性。因此,需要在DQ

12、S和读数据时钟之间加一个延迟链(delaychain),如图4中所示。 前面提到过,Cyclone系列FPGA在其DQS输入引脚上有一个专用的延迟单元,用来使DQS相对于DQ信号产生一个90的相移。因此,可以使用该硬核资源来完成对DQS的相移,而不必通过内部的逻辑来搭建这样一个延迟电路。从而可以获得更好的时序性能。 3.2.2 再同步 读周期中,从DDRSDRAM来的数据信号首先通过延迟后的DQS锁存到DDR触发器中。为了在FPGA内部能够使用该数据,还要将其同步到FPGA内部的时钟域上,这个过程称为再同步(resynchronization)。如图4所示,对于前一级DQS延迟后的信号锁存的数

13、据再通过clk-90同步之后才送到内部数据总线上。 在写周期中,DQS与DQ必须是中心对齐的(centerahgn)。我们用clk_90时钟触发的DDR触发器产生DQS信号,因此,为了满足时序要求,从内部来的数据通过clk_90时钟锁存后再由clk触发的DDR触发器将其输出,从而保证DQs与DQ是中心对齐的。 4 控制器的实现 该控制器针对16位宽512Mb的DDRSDRAM设计,在Altera公司的QuartusII42环境中采用Cyclone系列的EPlC6Q2410C6来实现,总共使用了729个逻辑单元,占FPGA可编程逻辑资源的12,此外还使用了1个锁相环(PLL)。最后,在Model

14、sim58中对整个工程进行布局一布线后仿真(Post-P1ace&RouteSimulation),采用的模型为Micron公司的512Mb的DDRSDRAMMT46V32M16的仿真模型,时钟为133MHz,图2是控制器读取DDRSDRAM的时序仿真波形。 5 结论 本文给出了一种通过FPGA控制将DDRSDRAM应用在嵌入式系统中的方法。设计中采用Altera公司性价比较高的Cyclone系列FPGA,并充分利用片内提供的锁相环、DDR触发器以及DQS延迟链等硬件资源,占用的逻辑资源少。该设计可以很容易地移植到Altera公司其他系列的FPGA上,经过适当的修改还可以用来控制64位宽的DIMM型的DDRSDRAM,因此可以很好地应用在需求高速度、大容量存储器的场合中。

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