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1、电子材料测试技术（2）,讲义可以在课后到 电子信息材料系205房间领取,课程内容,实验部分 调研学习部分,实验部分,实验1 硅单晶导电类型测定方法（冷热探笔法）/（点接触整流法） 实验2 直流四探针法测量硅单晶电阻率 实验3 矩形六面体样品的霍尔系数测量 实验4 电容电压法测试载流子浓度分布 实验5 高频光电导衰减测量硅单晶寿命 实验6 深能级瞬态谱法测硅中深能级中心,调研学习部分,实验B1汞探针电容-电压法测净载流子浓度的纵向分布 实验B2任意形状的薄片的电阻率和霍尔系数的测量方法范德堡法 实验B3激光测定硅单晶晶轴 实验B4深能级瞬态谱法测硅中深能级中心,课程要求,实验部分 预习（进入实验
2、室前必须先交预习报告） 预习报告格式 测量目的 简单原理 实验条件 实验步骤 实验数据记录表格,2.实验,实验报告格式 测量目的 实验原理 实验设备 实验条件 实验步骤 实验数据表格 分析计算 简答题,调研学习部分 实验原理 实验设备 实验对样品的要求 样品的测试范围,课程安排,分组 第一组A 07120223-08120150 12 第一组B 08120152-08120171 12 第二组A 08120176-08120209 12 第二组B 08120210-09170065 12,实验日程安排,第一周 3月30日 实验要求,实验原理,实验注意事项,预习报告和实验报告等 实验准备 第二周
3、：4月6日 周三 做 实验1、实验2，实验前交本次实验的预习报告 第一组A 8：00 进实验室 第一组B 9：00 进实验室 第三周：4月13日 周三做 实验1、实验2，交本次预习和上次实验报告和实验B1报告 第二组A 8：00 进实验室 第二组B 9：00 进实验室 第四周：4月20日 周三做 实验3，交本次预习和上次实验报告和实验B1报告 第一组A 8：00 进实验室 第一组B 9：00 进实验室 第五周：4月27日 周三做 实验3，交本次预习和上次实验报告和实验B2报告 第二组A 8：00 进实验室 第二组B 9：00 进实验室,第六周：5月4日 周三做 实验4，交本次预习和上次实验报告
4、和实验B2报告 第一组A 8：00 进实验室 第一组B 9：00 进实验室 第七周：5月11日 周三做 实验4，交本次预习和上次实验报告和实验B3报告 第二组A 8：00 进实验室 第二组B 9：00 进实验室 第八周：5月18日 周三做 实验5、6，交本次预习和上次实验报告和实验B3报告 第一组A 8：00 进实验室 第一组B 9：00 进实验室 第九周：5月25日周三做实验5、6，交本次预习和上次实验报告和实验B4报告 第二组A 8：00 进实验室 第二组B 9：00 进实验室 第十周：6月1日 补做实验，第一组交实验B4报告，全体交最后次实验报告并交回实验讲义,实验地点,电子信息材料系4
5、19室,实验1 硅单晶导电类型测定方法（冷热探笔法）/（点接触整流法）,导电类型测量方法比较,单探针点接触整流法,三探针整流法（用高阻直流电压表）,三探针整流法（用检流计）,实验仪器P N - 3 0 型导电类型鉴别仪,温差法冷热探笔,整流法探笔,实验2 直流四探针法测量硅单晶电阻率,实验仪器RTS-9型双电测四探针测试仪,RTS-9型双电测四探针软件测试系统,RTS-8 型四探针测试仪,R T S - 8 型四探针测试仪前面板,R T S - 8 型四探针软件测试系统,实验5 高频光电导衰减测量硅单晶寿命,LT-2 型单晶少子寿命测试仪，该仪器参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅
6、单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶的寿命测量等。,LT-2 型单晶少子寿命测试仪,实验4 电容电压法测试载流子浓度分布,作为组成半导体器件的基本结构的PN 结具有电容效应（势垒电容）。加正向偏压时，PN 结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压时，PN 结势垒区变宽，势垒电容变小。 CV-2000 型电容电压特性测试仪是测试频率为1MHz 的智能化数字的电容测试仪器，专用于测试半导体器件PN 结的势垒电容在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。,CV-2000 型电容电压特性测试仪,深能级瞬态谱法测硅中深能级中心,DLTS测试方法的基本思想就是: 如果一些深能级中心存在于半导体材料pn结、肖特基结或MOS结构的空间电荷区中，则可以通过外加反向脉冲电压从一个较低的值向较高的值转化，最终通过测试电容或电流的瞬态变化，来确定深能级中心的能级和浓度。,涡流法测定电阻率,涡流法测定电阻率,知识回顾Knowledge Review,祝您成功！,
