第5章存储器97521复习课程

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1、第5章:半导体存储器,本章基本要求: 1、存储器基本概念 2、RAM、ROM存储器工作原理- 3、51单片机系统外部存储器的连接*,5.1半导体存储器基础,5.1.1 存储器的分类,单极性MOS存储器分类,MOS存储器按工作特点、作用以及制造工艺可分为:,MOS存储器,RAM,ROM,动态DRAM,静态SRAM,Random Access Memory,掩膜ROM Read Only Memory,现场可编程PROM Programmable ROM,可擦可编程EPROM Erasable PROM,电可擦可编程E2ROM Electrically EPROM,闪速存储器 Flash Memo

2、ry,AT89C51/52,AT89C1051/2051,易失,非易失,程序存储器,数据存储器,二、数据存储器,MCS-51最小系统,MCS-51最大系统:可寻址64KB单元,容量不够时就要扩展片外数据存储器RAM(I/O),系 统 的 扩 展 设 计:,存储器,I/O接口,5.1半导体存储器基础,5.1.2 存储器的技术指标 1、存储容量:是指存储器能够存储信息的容量。可以表示为: 存储容量=字数字长 2、最大存取时间:是指CPU从存储器里读或写一个数据所需要的最大时间。 3、存储器功耗 4、可靠性和工作寿命 5、集成度,5.1半导体存储器基础,5.1.3 存储器的结构 可以分为单译码和双译

3、码编址存储器两类。 注意: 存储器引脚的种类。 存储器容量与引脚的关系。 存储器操作的概念:地址信号、地址译码、数据输入与输出信号。 存储器读写操作过程。,5.1半导体存储器基础,1、单译码编址存储器 如图:注意地址译码器、存储器阵列。,5.1半导体存储器基础,2、双译码编址存储器 如图:注意它的译码与选中单元的过程。,5.2只读存储器ROM,特点:存放的信息是固定的,不会随停电而丢失。在使用过程中,其信息只可以读取,不可以改写。 常用的ROM种类有: 1、掩模ROM,由制造厂家写入信息。 2、PROM,由用户一次性写入信息。 3、EPROM,多次可改写ROM,可由用户使用紫外线灯擦除再次写入

4、信息。 4、EEPROM,可用电脉冲擦除,并再次由用户写入信息。,5.2只读存储器ROM,ROM应用举例:以2764为例。 1、内部结构:如下图。 2、引脚分类和功能。强调:CE 的作用。,常用的EPROM芯片为:,地址输入线 A0Ai,三态数据线 D0D7,片选线,读出选通线,编程脉冲输入线,编程电源线,工作电源线,2764、27128、27256、27512等,地线,8K 8,16K 8,32K 8,64K 8,A0Ai :地址输入线,i=1215,Q0Q7 :三态数据线, 读或编程校验时为数据输出线,,编程时为数据输入线。维持或禁止时,呈高阻态,VPP: 编程电源线,其值因芯片型号和制造

5、商而异,VCC: 电源线,接+5V,GND: 接地线,常用D0D7表示,常用EPROM芯片的技术指标:,nS,mA,mA,EPROM的操作方式有:,编程方式 : 把程序代码固化到EPROM中,读出方式 : CPU从EPROM中读出指令和常数,维持方式 : 数据端呈高阻,EPROM 写入器,读 0 0 1 VCC 5v DOUT,维 持 1 VCC 5v 高阻,编 程 0 1 0 Vpp Vcc DIN,编程校验 0 0 1 Vpp Vcc DOUT,编程禁止 1 Vpp Vcc 高阻,2764A和27128A的操作方式,5.3随即存取存储器RAM,1、特点:存储单元的内容可在操作中随时读写操作

6、,其信息会随停电而丢失。 常用的RAM有:动态和静态两类。 2、RAM举例:以6264(静态)为例。下图为其内部结构。,5.3随即存取存储器RAM,6264引脚说明:注意CS 的作用。,常用数据存储器芯片,常用的静态RAM芯片为:,地址输入线,双向三态数据线,片选线,读出选通线,写允许信号输入线,电源线,静态RAM芯片,6116、6264、62128、62256等,2 KB,8 KB,16 KB,32 KB,地线,11根,13根,14根,15根,上页,下页,回目录,常用静态RAM芯片的技术指标:,6116/6264/62128/62256操作方式,读 0 0 1 输出 DOUT,维持 1 高阻

7、 三态,写 0 1 0 输入 DIN,5.451单片机与外部存储器的连接,5.4.1 51外扩存储器应注意的问题 这些问题也是连接外部存储器时应很好掌握的重要概念。 选取合适的存储器芯片:芯片的存储性质、芯片的容量、芯片的工作速度等。 存储器空间地址的分配:确定各类芯片在存储空间占用的存储地址。 确定芯片译码方式:片内译码、芯片译码。全译码方式、部分译码方式、线选译码方式。 存储器与单片机连线的种类及要求,重点是三总线的结构。,MCS-51系统扩展功能,进行系统扩展时,单片机的引脚可构成三总线结构,1、片外三总线结构,A0A7,D0D7,I/O,控 制 总 线 CB,数据总线 DB,地址总线

8、AB,上页,下页,回目录,RAM,I/O,ROM,CBUS,DBUS,ABUS,CBUS :控制总线 ,方向不确定 DBUS:数据总线,双向三态 ABUS :地址总线,单向三态,利用三总线可方便的进行系 统 的 扩 展 设 计:, 地址总线AB(A0A15)宽16位 片外寻址64KB, 数据总线DB(D0D7)宽8位, 控制总线CB,系统扩展用的控制总线有:,数据总线由P0口提供,该口为三态双向口。,2、总线驱动能力,单向总线驱动器 74LS244,双向总线驱动器 74LS245,当应用系统规模过大,超过总线的驱动能力时,,系统不可能可靠工作,此时应加总线驱动器。,3、常用的地址锁存器,常用的

9、8位地址锁存器有:74LS373、74LS273、8282,74LS373是一种输出带有三态门的8D锁存器,74LS373结构原理图,输入控制端,输出允许端,引脚图,ALE,电路连接图,74LS 373,74LS373的功能表,0 1 直通(Qi=Di),0 0 保持(Qi保持不变),1 输 出 高 阻,工作原理:,输入控制端G,“1” 输出和输入端数据相同,“0” (1D8D)数据锁入(1Q 8Q),“1” 三态门输出呈高阻,三态门开放,其输出为锁存器,的输出,“0”,4、常用的地址译码器,8个输出端,3个选择输入端,3个允许输入端,74LS138译码器真值表,禁止,允 许,1个允许输入端,

10、2个选择输入端,4个输出端,74LS139译码器真值表,5.451单片机与外部存储器的连接,使用三总线进行扩展,5.451单片机与外部存储器的连接,几个重要概念及地址译码方式 分清地址线:片内地址线、片选地址线; 片内地址线的接法:直接与系统的地址线相连。 片选地址线的接法:可用全译码方式、部分译码方式、线选法方式连接。 用地址译码电路产生芯片的选通信号。通常这种选通信号采用集成译码电路产生。,5.4.2 程序存储器扩展设计,一、外部程序存储器操作时序,MCS-51单片机访问外部ROM,使用的控制信号为:,P2口用于送出PCH信息,P0口用于送出PCL信息和输入指令,一个周期内,ALE脉冲两次

11、有效。,一个周期内,PSEN脉冲两次有效。,三、程序存储器扩展设计,程序存储器设计要点:,选择片选信号,1、线地址扩展16KBEPROM,=0,=0,=1,1、线地址译码法扩展16KBEPROM,0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0,0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,基本地址范围:0000H3FFFH,重叠地址范围:4000H7FFFH,结构特点:,地址范围:,27128,8031,A0A7,D0D7,片选0,片选1,片选2,0000H1FFFH,2000H3FFFH,4000H5FFFH,2、部分地址译码法扩展24KB EPROM,2、部分地址

12、译码法扩展24KB EPROM,片,片,片,地址范围:,结构特点:,A0A7,D0D7,片选0,片选1,片选7,0000H1FFFH,2000H3FFFH,E000HFFFFH,3、全地址译码法扩展64KBEPROM, ,D0D7,A0A12,A0A7,2、全地址译码法扩展64KB EPROM,片,片,片, ,所有地址都参加译码选择芯片,叫作全地址译码,地址范围:,74LS138 C B A,A15 A14 A13,A15 A14 A13,5.451单片机与外部存储器的连接,51单片机与外部EPROM的连接 单片机与两片2764相连,如下图。写出各片2764的地址空间。(0000H-1FFFH

13、,2000H-3FFFH),5.4.3 数据存储器扩展设计,一、外部数据存储器操作时序,可寻址256B 外部数据存储器,可寻址64KB 外部数据存储器,访问外部RAM用专门指令MOVX,共4条,MOVX A,Ri,MOVX Ri ,A,MOVX A,DPTR,MOVX DPTR ,A,二、数据存储器扩展设计,1、 MCS-51扩展2KBRAM,1、MCS-51扩展2KBRAM,0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0,1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1,结构特点:,地址范围:,0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1, , ,0000H,0001H,07FFH,6116,8031,

14、A0A7,D0D7,0000H7FFFH,0000H7FFFH,2、 8031扩展32KB EPROM和32KB RAM,基本地址范围:0000H7FFFH,2、8031扩展32KBEPROM和32KB RAM,结构特点:,地址范围:,5.451单片机与外部存储器的连接,51单片机与外部RAM的连接 采用三总线的连接;注意芯片的片选地址。,(4000H-5FFFH),5.451单片机与外部存储器的连接,例题:连接三片8K*8RAM和ROM构成外扩存储空间。 要点:三总线的连接、各片存储器的地址空间。,ROM空间 RAM空间 2764-1 0000H-1FFFH 6264-1 0000H-1FFFH 2764-2 2000H-3FFFH 6264-2 2000H-3FFFH 2764-3 4000H-5FFFH 6264-3 4000H-5FFFH,练习,单片机cpu的地址总线为16条,数据总线为8条,欲扩充内存容量,要求从A000H起,向下扩充4KB容量,用1K 4的RAM芯片组成存储器,画出该存储器的逻辑框图及其与cpu之间的连线图,

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