202X年模具设计实习报告

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1、模具设计实习报告通过这次模具设计，本人在多方面都有所提高。通过这 次设计，综合运用本专业所学课程的理论和实际知识进行设 计,提高学生独立工作能力，巩固与扩充了ARM等课程所学的内容，掌握 ARM设计的方法和步骤，同时各科相关的课程 都有了全面的复习，独立思考的能力也有了提高。在短短的 一个星期中，让我们初步让理性回到感性的重新认识，也让 我们初步的认识了这个社会，对于以后做人所应把握的方向 也有所启发 , 体现出团队课程设计的能力以及综合运用知识 的能力，体会了学以致用、突出自己劳动成果的喜悦心情， 从中发现自己平时学习的不足和薄弱环节，从而加以弥补。本次实习使我亲身感受了所学知识与实际的应用

2、，理论 与实际的相结合，让我们大开眼界，也算是对以前所学知识 的一个初审吧 ! 这次生产实习对于我们以后学习、工作也真 是受益菲浅。通过这次为期一周的课程设计，在不断的失败 和努力中，锻炼了我们的动手能力，培养了团队协作及永不 放弃、不屈不挠的精神。并且使我们对ARM的知识得到了进一步的提高，同时也补充了我们对电机控制的相关知识。这次课程实际仅仅是基于 ARM微处理器应用的一个开端， 在这期间我们还有很多的不足，比如不能完成引脚的最优连 接，不能完成硬件系统和软件程序的自主设置和编写，但我 相信通过以后对 ARM嵌入式系统的继续学习，自己会得到进一步的提高。我会把这此实习作为我人生的起点，在以

3、后的工作学习中不断要求自己，完善自己，让自己做的更好。ARM嵌入式系统综合设计一、实习时间和地点安排1、实习时间：XX年12月03日XX年12月14日， 共两周的时间。2、每天的实习时间安排：上午： 8： 3011： 30下午： 13： 3015： 303、实习地点：校内。二、实习目的1 、掌握电子元器件的焊接原理和方法。2、掌握 ARM7 LPC2132控制程序的编写方法。3、掌握调试软件和硬件的方法。三、实习内容与要求1 、根据设计要求焊接好电路板并测试焊接无误。2、绘制流程图并编写程序。3、 编译通过后，将程序下载到LPC2132进行调试。4、调试成功后编写实习报告。四、LPC2 1 3

4、2芯片介绍LPC2132最小系统图及其介绍概述LPC2132 是基于一个支持实时仿真和嵌入式跟踪的32/16 位ARM7TDMI-STM CPU的微控制器，并带有 32kB、 64kB、512 kB 的嵌入的高速Flash 存储器。 128 位宽度的存储器接口和独特的加速 结构使 32 位代码能够在最大时钟速率下运行。对代码 规模有严格控制的应用可使用 16 位 Thumb? 模式将代码规模降低超过30%，而性能的损失却很小。较小的封装和极低的功耗使 LPC2131/2132/2138 可理 想地用于小型系统中，如访问控制和 POS 机。宽范围的串 行 通 信 接 口 和 片 内 8/16/3

5、2kB 的 SRAM 使 LPC2131/2132/2138 非常适用于通信网关、协议转换器、软 modem、声音辨别和低端成像，为它们提供巨大的缓冲区空 间和强大的处理功能。多个 32 位定时器、 1 个或 2 个 10 位8 路ADC、10位DAC、PWM通道和47 个GPIO 以及 多达 9 个边沿或电平触发的外部中断使它们特别适用于工 业控制和医疗系统。特性1、小型 LQFP64 封装的 16/32 位 ARM7TDMI-S 微控制 器。2、8/16/32kB 片内静态 RAM 。3、片内 Boot 装载软件实现在系统 /在应用中编程。扇区擦除或整片擦除的时间为 400ms ，1ms

6、可编程 256 字节。4、EmbeddedlCE?RT和嵌入式跟踪接口可实时调试和高 速跟踪执行代码。5、1 个或 2 个 8 路 10 位 A/D 转换器共包含 16 个 模拟输入，每个通道的转换时间低至 。6、1 个 10 位 D/A 转换器，可提供不同的模拟输出。7、2个32位定时器/计数器、PWM单元和看门狗。8、实时时钟具有独立的电源和时钟源，在节电模式下 极大地降低了功耗。9、多个串行接口， 包括 2 个 16C550 工业标准 UART 、 2 个高速 l2C 接口、 SPlTM 和 SSP。10 、向量中断控制器。可配置优先级和向量地址。11、多达 47 个 5V 的通用 l/

7、O 口。12、9 个边沿或电平触发的外部中断引脚。13、通过片内 PLL 可实现最大为 60MHz 的 CPU 操作 频率， PLL 的稳定时间为 100us 。14、片内晶振频率范围： 130 MHz。15、2 个低功耗模式：空闲和掉电。16、可通过个别使能 / 禁止外部功能和降低外部时钟来 优化功耗。17、通过外部中断将处理器从掉电模式中唤醒。18、单个电源供电，含有上电复位和掉电检测电路：CPU操作电压范围： V ( V+/ 10%) ， I/O 口可承受 5V 的最大电压。结构概述LPC2132包含一个支持仿真的 ARM7TDMI-S CPU、与片 内存储器控制器接口的 ARM7 局部

8、总线、与中断控制器接口的 AMBA 高性能 总线 和连接片内外设功能的 VLSI 外设总线 。LPC2131/2132/2138 将 ARM7TDMI-S 配置为小端字节 顺序。 AHB 外设分配了 2M 字节的地址范围， 它位于 4G 字 节 ARM 存储器空间的最顶端。每个 AHB 外设都 分配了 16k 字节的地址空间。 LPC2131/2132/2138 的外设功能 都 连接到 VPB 总线。 AHB 到 VPB 的桥将 VPB 总线与 AHB 总 线相连。 VPB 外设也分配了 2M 字节的地址范围，从 地址 点开始。每个 VPB 外设在 VPB 地址空间内都分配了 16k 字节地址

9、空间。片内外设与器件管脚的连接由管脚连接模块控制。该模 块必须由软件进行控制以符合外设功能与管脚在特定应用 中的需求。ARM7TDMI-S 处理器ARM7TDMI-S是通用的32位微处理器，它具有高性能 和低功耗的特性。ARM结构是基于精简指令集 计算机(RISC) 原理而设计的。指令集和相关的译码机制比复杂指令集计算 机要简单得多。这样使用一个小的、廉价的处理器核就可实 现很高的指令吞吐量和实时的中断响应。由于使用了流水线技术，处理和存储系统的所有部分都 可连续工作。通常在执行一条指令的同时对下 ，一条指令 进行译码，并将第三条指令从存储器中取出。ARM7TDMI-S处理器使用了一个被称为

10、THUMB的独特结构化策略，它非常适用于那些对存储器有限制或者需要较 高代码密度的大批量产品的应用。在 THUMB 后面一个关键的概念是“超精简指令集” 。基 本上，ARM7TDMI-S处理器具有两个指令集： 标准32位ARM 指令集、16位THUMB指令集THUMB指令集的16位指令长度使其可以达到标准ARM代码两倍的密度，却仍然保持 ARM的大多数性能上的 优势，这些优势是使用 16 位寄存器的 16 位处理器所不具 备的。因为THUMB代码和ARM代码一样，在相同的 32位 寄存器上进行操作。THUMB代码仅为ARM代码规模的65%， 但其性能却相当于连接到 16 位存储器系统的相同 A

11、RM 处 理器性能的 160%。片内 FLASH 程序存储器LPC2131/2132/2138 分别含有 32kB 、 64kB 和 512kB 的 FLASH 存储器系统。该存储器可用作代码和数据的存储。 对 FLASH 存储器的编程可通过几种方法来实现：通过内置 的串行 JTAG 接口，通过在系统编程和 UART0 ，或通过在 应用编程。使用在应用编程的应用程序也可以在应用程序运 行时对 FLAH 进行擦除和 / 或编程，这样就为数据存储和现 场固件的升级都带来了极大的灵活性。如果 LPC2131/2132/2138 使 用 了 片 内 引 导 装 载 程 序 ， 32/64/512kB

12、的 Flash 存储器就可用来存放用户代码。 LPC2131/2132/2138 的 Flash 存 储 器 至 少 可 擦 除 / 编 程 10,000 次，保存数据的时间长达 10 年。 片内静态 RAM 片内静态 RAM 可用作代码和 / 或数据的存储，支持 8 位 、 16 位 和 32 位 的 访 问 。 LPC2131/2132/2138 含 有 8/16/32kB 的静态 RAM。LPC2131/2132/2138 SRAM是一个 字节寻址的存储器。对存储器进行字和半字访问时将忽略地 址对准，访问被寻址的自然对准值。因此，有效的读写操作 要求半字数据访问的地址线 0 为 0 ，字

13、 数据访问的地址线 0 和 1 都为 0 。该原则同样用于片外和片内存储器。 SRAM 控制器包含一个回写缓冲区，它用于防止 CPU 在连续的写 操作时停止运行。回写缓冲区总是保存着软件发送到 SRAM 的最后一个字节。该数据只有在软件请求下一次写操作时才写入SRAM。如果发生芯片复位，实际的 SRAM内容将 不会反映最近一 次的写请求。任何在复位后检查 SRAM 内 容的程序都必须注意这一点。通过对一个单元执行两次相同 的写操作可保证复位后数据的写入。或者，也可通过在进入 空闲或掉电模式前执行虚写操作来保证最后的数据在复位 后被真正写入到 SRAM。LPC2132管脚分布五、硬件原理图其中

14、K1-K6 为六个按键，分别对应清零键、减号键、第 二个数字键、等号键、加号键和第一个数字键，接到 I/O 口 的脚。号脚接段码，分别是GF、E、D、CB、A、DP。三个数码管的位选通端接到三个管脚上，用于选通数码管。ULN2803应用电路介绍ULNXXULN2800是高压大电流达林顿晶体管阵列系列产 品, 具有电流增益高、工作电压高、温度范围宽、带负载能 力强等特点 , 适应于各类要求高速大功率驱动的系统。ULNXXA电路是美国 Texas Instruments 公司和 Sprague公司 开发的高压大电流达林顿晶体管阵列电路 , 文中介绍了它的 电路构成、特征参数及典型应用。功率电子电路

15、大多要求具有大电流输出能力 , 以便于驱 动各种类型的负载。功率驱动电路是功率电子设备输出电路 的一个重要组成部分。在大型仪器仪表系统中 , 经常要用到 伺服电机、步进电机、各种电磁阀、泵等驱动电压高且功率 较大的器件。ULNXX ULN2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品就属于这类可控大功率器件 , 由于这类器件功能强、 应用范围语广。因此 , 许多公司都生产高压大电流达林顿晶 体管阵列产品，从而形成了各种系列产品，ULNXX ULN2800系 列就是美国 Texas Instruments 公司、美国 Sprague 公司开 发的高压大电流达林顿晶体管阵列产品。它们的系列型号分 类如表 1所列 , 生产 XX、2800 高压大电流达林顿晶体管阵列 系列产品的公司与型号对照表如表 2 所列。在上述系列产品 中,ULNXX系列能够同时驱动7组高压大电流负载,ULN2800系列则能够同时驱动 8 组高压大电流负载。美国 Texas Instruments 公司、美国Sprague公司生产的 ULNXXA由 7组 达林顿晶体管阵列和相应的电阻网络以及钳位二极管网络 构成, 具有同时驱动 7组负载的能力 , 为单片双极型大功率高 速集成电路。以下介绍该电路的构成、性能特征、电参数以 及典型应用。 XX、 2800 高压大电流达林顿晶体管阵列系列中 的其它产品的性能特性