第1章集成电路芯片封装技术概述讲义资料

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1、西安邮电大学微电子学系,集成电路芯片封装与测试,课程概况,教师:谢端 电话 :88166173 邮箱: 办公地点: 3#实验楼501 课程性质:系考 学时数: 32,考核方式:闭卷 平时成绩:30% 卷面成绩:70%,集成电路芯片封装与测试,总学时:32 第一章:集成电路芯片封装概述 第二章:封装工艺流程 第三章:印制电路板 第四章:陶瓷封装 第五章:塑料封装 第六章:气密性封装 第七章:封装可靠性工程 第八章:封装过程中的缺陷分析 第九章:先进封装技术 第十章:集成电路测试技术,第一章,集成电路芯片封装技术概述,一、封装技术概论及相关知识 二、封装分类及封装材料 三、微电子封装技术历史和发展

2、趋势,一、封装技术概论及相关知识,微电子学(Microelectronics): 一门研究集成电路设计、制造、测试、封装等全过程的学科。 微电子技术:利用微细加工技术,基于固体物理、器件物理和电子学理论方法,在半导体材料上实现微小固体电子器件和集成电路的一门技术。 集成电路IC(Integrate Circuit):通过半导体工艺技术将电子电路元件(电阻、电容等无源器件)和有源器件(晶体管、二极管等),按照一定的电路互连,“集成”在一块半导体单晶片(如硅或砷化镓)上,封装在一个外壳内,形成完整的有独立功能的电路和系统。 芯片(chip):没有封装的集成电路,通常与集成电路混用,作为集成电路的又

3、一个名称。 集成电路封装(IC Packaging, PKG):是一门将IC芯片加以粘贴固定并密封保护,并与其它必需的元器件组合以成为一项电子产品的科学技术。,集成电路设计与制造的主要流程,芯片的显微照片,集成电路制造流程,Figure 1.6,封装在IC制造流程中的位置,1、芯片封装技术概念,狭义的封装 集成电路芯片封装(Packaging,PKG),是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片布置、粘贴固定及连接在框架或基板上,并引出接线端子。通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。 广义的封装 “电子封装工程”(系统封装)=狭义的封装(芯片封装)+装配和组装 即:将芯片封装体与其它元

4、器件组合、装配成完整的系统和电子设备。,第1階段封裝 第2階段封裝 第3階段封裝,Chip,系统封装,封装工程的技术层次,从系统角度看,微系统封装包括: 芯片级封装(零级) 器件级封装(一级封装) 板级封装 (二级封装) 系统级封装(三级封装),微系统工程中几个封装层次,零级:晶体管级 (芯片级),一级:器件级 (芯片到模块),二级:板级 模块到PCB(卡),三级:系统级 PCB到主板,集成电路的封装层次,Figure 20.3,2.芯片封装的技术领域,芯片封装是一门跨学科的综合学科,也是跨行业的综合工程技术。 涉及了物理、化学、化工、材料、机械、电气与自动化等多门学科; 整合了产品的电气特性

5、、热传导性、可靠性、材料与工艺技术的应用以及成本价格等因素。 使用的材料包括:金属、陶瓷、玻璃、高分子等。,3.封装目的及实现的功能,封装目的:为保护芯片不受或少受外界环境的影响,为之提供一个良好的工作条件,以使集成电路具有稳定、正常的功能。 实现功能: 传递电能 传递电路信号 提供散热途径 结构保护与支持,封装的功能,在集成电路的工艺流程中,封装工艺属集成电路制造工艺的后道工序。所谓“前” 、“后”是以硅圆片(wafer)切成芯片(chip)为分解点。,传统封装的主要流程,封装的主要生产过程包括:晶圆切割,将晶圆上每一晶粒加以切割分离。粘晶,(Die-Attach)将切割完成的晶粒放置在导线

6、架上。焊线,(Wire Bond)将晶粒信号接点用金属线连接至导线架上。封胶,将晶粒与外界隔绝。检切/成型,将封胶后多余的残胶去除,并将导线架上IC加以检切成型。印字,在IC表面打上型号、生产日期、批号等信息。检测,测试芯片产品的优劣。,传统装配与封装流程,Figure 20.1,微芯片封装例子,Figure 1.8,二、封装分类及封装材料,迄今还没有一个统一的封装分类方法,业界常常从封装材料、封装形式、应用对象等角度进行分类。 从以下四个方面进行分类: 按芯片数目; 按材料分类; 按器件与电路板互连方式; 按引脚分布;,1.封装的分类 (2),按互连方式分类:,单边引腳 双边引腳 底部引腳,

7、插入式,SIP ZIP DIP SK-DIP PGA,引脚插入式 PTH(Pin-through-hole),表面贴装式,单边引脚 双边引脚 四边引脚 底部引脚,SVP SOP TSOP SSOP SOI QFP LQFP TQFP QFI 针状 PGA 球状 BGA,表面贴装式:SMT(Surface Mount Technology),典型的集成电路封装形式,主板上采用DIP封装的BIOS芯片,世界上首款BGA封装的主板芯片组i850,BGA可以使芯片做的更小,kingmax最新的彩色Tiny-BGA封装的256MB DDR 400内存,引脚形态分类(2),TO52,LCC,PLCC,SO

8、J,J形引线小外形封装,封装形式(术语)小结:,双列直插式封装-DIP(dual in-line package) 单列直插式封装-SIP(single in-line package) 薄小外型封装-TSOP(Thin small Outline package) 四边引脚扁平封装-QFP(quad flat package) 带引线的塑料芯片载体PLCC(plastic leaded chip carrier) 无引脚芯片载体-LCC(Leadless chip carrier) 插针阵列-PGA(pin grid array) 球栅阵列BGA(Ball Grid Array) 芯片尺寸封

9、装CSP(或称BGA),2. 封装材料分类,芯片封装使用的材料包括:金属、陶瓷、玻璃、高分子等。 金属:电热传导材料 陶瓷、玻璃:陶瓷基板的主要成分 高分子材料:塑料封装、封装工艺添加物,塑料封装-非气密封装,塑料封装一般认为属非气密封装。 特点: 工艺简单、成本低廉、适合自动化大批生产。约占IC市场的的95%。,陶瓷封装:,概念: 与金属封装一样,陶瓷封装也是一种气密性的密封形式。价格低于金属封装。封装体通常采用的材料:Al2O3 特点: 气密性好,封装体的可靠性高; 优良的电性能,导热性能,好具有对复杂器件进行一体化封装的能力; 缺点: 与塑料封装相比,其工艺温度较高、成本较高;,两者都可

10、制成DIP封装,陶瓷封装适用于高可靠性元件制作;塑料封装适用于低成本元器件的批量生产。,三.微电子封装技术的历史和发展趋势,1947年美国贝尔实验室的三位科学家巴丁、布赖顿和肖克莱发明第一只晶体管,1958年科学家研制成功第一块集成电路(IC)。 集成电路的诞生,拉开了集成电路封装的历史,集成电路封装历史大约可分为三个阶段。,微电子技术的发展历史,1947年12月23日,美国贝尔实验室W. Schokley领导的研制小组,设计出世界上第一只晶体三极管,标志着电子技术从电子管时代进入到晶体管时代。 肖力克与布拉顿、巴丁共同获得1956年Nobel物理奖。,第一块集成电路,第一个晶体管,迟到了四十

11、二年的奖,1958年美国德州仪器公司技术专家杰克基尔比(J.S.Kilby)发明第一块集成电路,12个器件,Ge晶片;从此,微电子技术进入了IC时代。2000年获得诺贝尔物理学奖。,贝尔实验室的第一只晶体管,Photo courtesy of Lucent Technologies Bell Labs Innovations,Photo 1.3,Jack Kilbys 第一块集成电路,Photo courtesy of Texas Instruments, Inc.,Photo 1.4,集成电路封装历史发展的三个阶段 数十年来,微电子封装技术一直跟随者IC的发展, 第一阶段:20世纪70年代以

12、前,以插装型为主。从最初的金属圆形封装TO,到随后开发的陶瓷双列直插式封装(DIP), 尤其是后开发出的塑料 DIP,成为70年代中小规模电子封装系列主流产品。 第二阶段:20世纪70年代以后,以表面安装类的四边引线封装为主。表面贴装技术(SMT)称作电子封装的一场革命,得以迅猛发展。如LCCC、PLCC、PQFP、PSOP等,使塑封四边扁平引线封装(PQFP)迅速成为这一时期主导产品。,集成电路封装历史发展的三个阶段,第三阶段:20世纪90年代以后,以面阵列封装形式为主。 90年代初, IC发展到了超大规模阶段,要求封装向更高密度、高速度发展,因此IC封装从四边引线型向平面阵列型发展,发明了

13、新一代微电子封装-球栅阵列封装(BGA), 后来又开发了体积更小的CSP。同一时期,又开发出多芯片组件(MCM)、3D封装和系统封装。 总之,封装技术经历了两边引线、到四边引线、再到面阵引线的封装密度逐步增加过程,目前正进入从平面封装到三维封装的发展阶段。,微电子封装发展历程和趋势,如何衡量一个芯片封装技术是否先进?,硅效率:芯片占封装面积之比,比值越接近1越好。 当比值等于“1”时,称为“裸晶”。即封装的最高境界。 上表中: 硅效率:从2%-75%,双列直插封装DIP,DIP(Dual Inline Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片。绝大多数中小规模集成电路均采用这种封

14、装形式,其引脚数一般不超过100个。 例如采用40根引脚的塑封双列直插式封装(PDIP)的CPU为例, 芯片面积/封装面积=33/15.2450=1:86(1.2%) 离1相差很远。这种封装尺寸远比芯片大,封装效率很低。以下是一颗AMD的QFP封装的286处理器芯片。0.5mm焊区中心距,208根I/O引脚,外形尺寸2828mm,芯片尺寸1010mm,则芯片面积/封装面积=1010/2828=1:7.8(12.8%) 由此可见QFP比DIP的封装尺寸大大减小了。,主板上采用DIP封装的BIOS芯片,芯片面积/封装面积=33/15.2450=1:86(1.2%),AMD的QFP封装的286处理器

15、芯片,芯片面积/封装面积=1010/2828=1:7.8 (12.8%),芯片尺寸型封装CSPChip Size Package,芯片尺寸型封装:它的全称为Chip Scale Package,为芯片级封装,也称BGA。 CSP封装的芯片面积与封装面积之比超过1:1.14。已经非常接近于1:1的理想情况。 新一代的芯片封装技术,在BGA、TSOP的基础上,CSP的性能又有了革命性的提升。 TSOP最多为304根引脚,BGA能达到600根引脚的极限,而CSP理论上可以达到1000根。 新型封装技术,指封装后的IC大小不得超过原芯片Chip面积的 20%以上。,tCSP封装的DDR433内存条,2.微电子发展趋势,微电子技术的发展一直遵循摩(MOORE)定律。特征尺寸每3年缩小1/3,集成度每三年提高4倍。 预计15年内,最大芯片尺寸增大1倍(芯片面积:450-937mm2);最大引脚数:1600-8758个,增加4.47倍; 价格下降:IC产品从0.90-1.90美分/引线下降到0.420.88美分/引线, 下降1/21/5; 芯片尺寸实现12in(1in=2.54cm),65nm的工业化大批量生产。,不断提高产品的性能

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