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1、1-1,2.4 绝缘栅双极晶体管,两类器件取长补短结合而成的复合器件Bi-MOS器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar TransistorIGBT或IGT) GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。 1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。,GTR和GTO的特点双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。,1-2,2.4 绝缘栅双极晶体管,1)
2、IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E,图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号,1-3,2.4 绝缘栅双极晶体管,图1-22aN沟道VDMOSFET与GTR组合N沟道IGBT。 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，具有很强的通流能力。 简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻。,图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c)
3、 电气图形符号,IGBT的结构,1-5,a,),b,),2.4 绝缘栅双极晶体管,2) IGBT的基本特性 (1)IGBT的静态特性,图1-23 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性,转移特性IC与UGE间的关系(开启电压UGE(th),输出特性 分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。,1-6,2.4 绝缘栅双极晶体管,图1-24 IGBT的开关过程,IGBT的开通过程 与MOSFET的相似 开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 开通时间ton uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程； tfv2MOS
4、FET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程。,(2)IGBT的动态特性,1-7,2.4 绝缘栅双极晶体管,图1-24 IGBT的开关过程,关断延迟时间td(off） 电流下降时间tf 关断时间toff 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。 tfi1IGBT器件内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快。 tfi2IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。,IGBT的关断过程,1-8,2.4 绝缘栅双极晶体管,3) IGBT的主要参数,正常工作温度下允许的最大功耗 。,(3) 最大集电极功耗PCM,包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。,(2) 最大集电极电流,由内
5、部PNP晶体管的击穿电压确定。,(1) 最大集射极间电压UCES,1-9,2.4 绝缘栅双极晶体管,IGBT的特性和参数特点可以总结如下：,开关速度高，开关损耗小。 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且 具有耐脉冲电流冲击能力。 通态压降比VDMOSFET低。 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似。 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。,1-10,2.4 绝缘栅双极晶体管,擎住效应或自锁效应：,IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。,最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt
6、确定。,反向偏置安全工作区（RBSOA）,最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。,正偏安全工作区（FBSOA）,动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决。,NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。,1-11,2.4 绝缘栅双极晶体管,4) IGBT的驱动电路 IGBT是电压驱动型器件。 为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使IGBT开通的驱动电压一般15 20V。 关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取-5 -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。,1-12,2.4 绝缘栅双极晶体管,IGBT的保护 过电压保护 措施：主要是利用缓冲电路抑制过电压的产生。 过电流保护 措施：主要是通过检出过电流信号后切断栅极控制信号的办法来实现。,
