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1、光通讯基础知识与产品知识培训,第一大部分：光通讯基础知识 光通讯基本概念 光纤 光缆 光电器件 光纤传输系统 激光器使用注意事项 光纤通信发展方向,大纲：,第二大部分：产品基础知识 TO 光电组件 光电产品的基本参数 器件发展方向,第一大部分：光通讯基础知识,1976年，日本电话电报公司研制出损耗更低的光纤（0.5dB/Km）； 20世纪80年代后期 ，光纤损耗已经降低到0.16dB/Km ； 1982年我国第一条34Mb/s 光纤通信开通； 1988年 ；第一条跨大西洋光缆投入运营 ； 2002年，光纤通信单通道传输速率达到40Gb/s,DWDM传 输光通信容量达10Tb/s； 2002年后
2、，光通信开始向最后一站用户接入网迈进。,二、光纤,1、光纤的分类 按工作波长：短波长（850nm) 长波长（1310nm、1550nm） 按传输模式：多模光纤和单模光纤 按材料：石英光纤、塑料光纤等,2，光纤的拉制,3，光在光纤中的传输 光在光纤中的传输遵循光的反射与折射定律。实际上，光在纤芯中全反射曲折前行。,三、光缆,含有光纤，符合现场实际使用要求的光、机械和环境规范的缆。由光纤、加强件和外护层等组成。 光缆的分类： 按芯数分为单芯、双芯、多芯 按结构分为层绞式、骨架式、带状等 按敷设场合分为架空、直埋、管道、移动、室内、水下、海底等 按用途分为通信用光缆和非通信用光缆,四、光电器件,1、
3、无源光器件 光分路器/耦合器：1xN（树型）、NxN（星型） 波分复用器：合波器和分波器、滤波器 光纤连接器：活动（FC、ST、SC等）、适配器（直通） 光开关 光衰减器：固定、可变 光隔离器：单方向传输光的器件,2、有源光器件 光源：发光二极管（LED） 激光二极管（LD） 光电检测器：PIN光电管、PIN-TIA组件 雪崩光电二极管（APD） 光纤放大器（EDFA）,五、光纤传输系统,1、光纤传输系统新技术 延长中继距离的新技术 光放大器(EDFA) 外调制器(电光晶体LiNbO3) 色散补偿(DCF、Bragg光纤光栅) 提高通信容量的新技术 时分复用技术（TDM） 波分复用技术（WDM
4、） 2、光纤传输系统的基本框图如下,电 端 机,驱 动,光 源,光 检 测,判 决 再 生,光 源,光 检 测,放 大,电 端 机,发 送,光 发 送 机,光纤 光缆,光 中 继 器,光 接 收 机,接 收,光纤 光缆,模拟通信：信噪比和谐波失真 数字通信：误码率和相位抖动,六，激光器使用注意事项,光通信用激光器发射出对人眼有害的、肉眼看不见的红外光，如果近距离正眼观看，可能引起人眼视网膜瞬间的损伤。因此，在观察激光束时，千万不要用肉眼直接观察。 激光器表面贴有激光辐射和方向的“警告标记”和“窗口标记”，如下图示,激光器使用需注意以下几点,a）热的预防 激光器是一种高功率密度的热功耗器件，使用
5、时应尽量远离热源，不得在高于规定的最高工作温度下使用，否则会造成其性能和寿命的快速退化。器件管角的焊接时间有严格限制（一般不得超过10秒钟），焊接温度也必须严格控制在260以内。 b)力的预防 激光器及尾纤都十分脆弱，无论在安装或操作时都必须尽量避免过大的扭绞力、牵引力和扭矩。尾纤不要扭绞，牵引力不得超过500克力（5牛顿），其弯曲半径不得小于30mm。 c) 电的预防 采取静电放电（ESD）防护和电流浪涌防护;对激光器禁止施加反向电压。,1、传输速率达到Tb/s的系统设备 2、掺杂有关化学元素（如铒、镨等）的光纤放大器 3、光交换机 4、密集波分复用（DWDM）设备 5、适用于长距离、高速率
6、、能承受较高光功率密度的新型光纤（如非零色散位移光纤-G.655光纤、无水吸收峰光纤-全波光纤等） 6、集成光学器件及其它光通信元器件 7、能兼容不同速率、协议和制式的全光网络技术等,七、光纤通信发展方向,第二大部分：产品基础知识,一、TO 1、LD TO LD TO主要材料为TO帽、TO座、LD芯片、背光PD芯片等。,1.1 LD TO帽 最常用的有普通球帽、2.0大球帽、非球帽。透镜材料为BK7、SF6、SF8等，帽桶材料为KOVER。 普通球帽的耦合效率大概在10%左右，焦距在6.3mm左右；大球帽的耦合效率大概在15%左右，焦距在6.5mm左右；非球帽的耦合效率大概在35%左右，目前常
7、用的焦距为7.5mm。 普通球帽和2.0大球帽除了一个透镜为1.5一个透镜为2.0一点不同之处外，其他尺寸基本相同。所以这两种TO帽在外观上不好区分。,普通球帽透镜并非标准的圆形，如图所示：,非球透镜帽的结构如下图所示：,非球透镜TO的耦合效率是最高的，但是我们平常用的最多的7.5焦距非球透镜却不是耦合效率最高的一种。 非球TO的耦合效率和TO帽的关系曲线如图：,由此看出非球TO的最大理论耦合效率-2.5dB（56%），此时TO的焦距约为f=1.27（LD芯片距TO底座位置）+3.97-2.27（透镜尺寸）+0.8(L1)+6（L2）=9.77mm。,1.2 LD TO座 最常见的LD TO底
8、座为肖特的TO56底座。下边为肖特一款TO56座的外形图：,1.3 LD芯片 根据芯片性能，LD芯片分为FP和DFB。 FP腔半导体激光器是利用两个端面对光进行集中反馈。,DFB激光器是内含布拉格光栅来实现光的反馈的，因为内含布拉格光栅选择工作波长，所以DFB激光器的谐振器损耗就有明显的波长依存性。所以DFB的单色性和稳定性优于FP。,两种芯片的光谱特性如下,1.4 背光PD芯片 背光PD有PIN200和PIN300。根据受光面积和PD芯片的粘贴位置来决定LD TO的背光电流大小。,2，PD TO PD TO主要材料为TO帽、TO座、PD芯片、TIA、陶瓷电路板和电容。为提高灵敏度，防止串扰，
9、TO封装要求：1，PIN尽可能靠近IC。2，打线尽可能短。,2.1 PD TO帽 探测器的帽子越高，焦点越近，灵敏度越高。最常用的几款PD TO帽的帽高为2.9mm、3.2mm和3.5mm等。 同时，PD芯片的陶瓷垫片的高度也可以调节PD的焦距。陶瓷垫片有0.25mm、0.4mm、0.5mm等。 目前我们使用的帽高2.9的PD TO如图所示。,2.2 PD芯片 探测器芯片分PIN和APD。 对于PIN，光敏面越大耦合时越好找光，但光敏面越大带宽越窄。目前155M和622M的PD光敏面为75、80，1.25G的PD光敏面为55、60。 APD为雪崩二极管，是利用光生载流子的雪崩效应使反向结电流产
10、生倍增。 2.3 TIA TIA是将探测器芯片产生的光电流进行差分放大输出的作用。如图所示。,2.4 PD TO座 最常见的PD TO底座为肖特的TO46底座。下边为肖特一款TO46座的外形图：,二，光电组件 目前的光组件的有TOSA、ROSA、BOSA、Triplexer、蝶形封装光组件等。,TOSA内部结构图,ROSA内部结构图,BOSA内部结构图,Triplexer内部结构图,蝶形封装内部结构图,三，光电产品的基本参数 1，激光器件的最大额定值 1.1 储存温度（Tstg） 器件不工作状态下的最高环境温度。 1.2 工作温度（Top） 器件工作状态下的最大管壳温度。 1.3 正向电流（I
11、f） 可以施加到器件上不引起器件损坏的最大连续正向电流。 1.4 反向电压（Vr） 可以施加到器件上不引起器件损坏的最大反向电压。 1.5 背光PD反向电压（Vd） 可以施加到背光PD上不引起器件损坏的最大反向电压。,2，激光器的光电特性参数 2.1 正向电压（Vf） 当正向驱动电流为一确定值时对应激光二极管的正向电压。 2.2 阈值电流（Ith） 激光二极管开始产生震荡的正向电流。 2.3 输出光功率（P0） 规定调制电流下激光器输出的光功率。 2.4 峰值波长（p） 在规定的输出光功率时，光谱内最大强度的光谱波长为峰值波长。 2.5 中心波长（c） 峰值波长下降3dB的连线中心对应的波长位
12、置。 2.6 谱宽（） 对于FP LD，采用ITU-TG.957建议的最大均方根（RMS）宽度定义光谱宽度。 对于DFB LD，采用ITU-TG.957建议，峰值波长跌落-20dB的最大全宽。 2.7 边模抑制比（SMSR） 在规定的出光功率和调制时，最高光谱峰强度与次高光谱峰强度之比。 2.8 上升/下降时间（tr/tf） 指LD输出光功率的脉冲响应时间。从额定光功率的10%上升到90%的时间为上升时间，从额定光功率的90%下降到10%的时间为下降时间。,2.9 开通延迟（ton） 开通延迟是指调制的光脉冲上升沿在电信号为“开”后到达全幅度的10%对应的时间。,2.10 串联电阻（dV/dI
13、） 指在工作电流处计算器件的电压电流的微分而确定的。对于一个激光二极管，总是希望有较小的串联电阻。高的串联电阻可能时因为器件的P边和N边的低质量金属化欧姆接触的结果。因此串联电阻是评价淀积在激光二极管上金属化接触质量的一个参数。,2.11 背光电流（Im） 规定在LD输出光功率时，背光二极管的光电流。 2.12 背光二极管暗电流（Id） 背光二极管在规定的反向电压和没有光照的情况下的输出电流，单位nA。 2.13 背光PD电容（Ct） 指PD在规定的反向电压下阳极和阴极之间的电容。 2.14 跟踪误差（TE） 不同温度下，背光相同时的出光功率之比。,3，探测器的最大额定值 3.1 正向电流（I
14、f） 指探测器所能承受的最大连续正向电流。 3.2 反向电流（Ir） 指探测器所能承受的最大连续正向电流。 3.3 反向电压（Vr） 指探测器所能承受的最大反向电压。,4，探测器的光电特性参数 4.1 正向压降（Vf） 指在无光照情况下，通过正向电流为规定值时，探测器正负极之间产生的压降。 4.2 响应度（R） 探测器产生的光电流与入射光强度之比。 4.3 APD反向击穿电压（Vbr） APD载流子倍增因子达到无穷大时的电压。在实际定义时把击穿电压定义为在无光照情况下，反向电流达到一个规定值时的反向电压。 4.4 击穿电压温度系数（r） 击穿电压随温度变化的系数。指温度变化时维持一个倍增因子不
15、变的电压随温度变化的系数。 4.5 APD暗电流（Id） 在Vbr-3或90%Vbr情况下在无入射光的情况下，器件内部产生的反向电流。 4.6 灵敏度 在有前置放大器的情况下，灵敏度是依据比特误码率（BER）特性所确定的。在规定波长和速率下，在误码率为某一数值时（BER=10-10或10-9）的最小可接收光功率。,4.7 饱和光功率（Ps） 在工作速率下，误码率为某一数值时的最大接收光功率。 4.8 告警信号阈值 在工作速率下，从大到小的改变输入光功率，当光功率减小到某一数值时，组件的告警输出信号电平出现反转，这是的光功率即为告警信号阈值。,四，器件发展方向 1，光学引擎,2，混合集成方案 这种方案将激光器，探测器芯片，平面光波导，介质膜滤光片在一个光学平台上直接组装在一起它的优点：体积进一步减小，耦合次数减少到1次，适合于大规模化生产，成本可大大降低缺点：光波导与器件的组装对准技术目前还不是很成熟，可靠性方面的研究还需要试验，热干扰和光串扰都需要仔细设计；另外，包括材料，封装设备投入的前期成本很高。,3，单片集成 这种方案是采用有源层对接生长技术，在同一衬底上生长激光器，探测器和光波导，集成度更高，封装成本更低。,谢 谢！,
