电子技术及其应用基础模拟部分李哲英02anal23教学提纲

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1、电子工程系,2-1-1,第2章 基本放大器电路,2-1、放大器电路的基本概念与分析方法,2-2、三极管基本放大电路, 用三极管或场效应管组成的放大器电路 放大器是组成各种应用电路的基础 学习和掌握基本放大器模块电路的分析方法 和设计方法,2-3、场效应管基本放大电路,2-4、基本放大电路仿真分析,电子工程系,2-1-2,2-3、FET Amplifier Circuits,2-3-1、共源极交流放大电路,2-3-2、共漏电极交流放大电路,2-3-3、共栅极交流放大电路,共源电路,d,g,s,共栅电路,g,d,s,共漏电路,g,d,s,2-3-4、场效应管差分放大电路,电子工程系,2-1-3,2

2、-3-1Common Source Amplifier, 输入输出反相 电路增益大 输入电阻大 输出电阻较小,Rg保护电阻 Rd电流放大转变为电压放大 C隔离直流分量,一、工作原理,二、静态工作点分析,三、交流分析,四、电路特点,Read 8.10 p391,电子工程系,2-1-5,Vg = Vgs,Vd = VDD IdRd,Vs = 0,Id = gmVg,Is = Id,2-3-1Common Source Amplifier,二、静态工作点分析,电子工程系,2-1-6,Vd = VDD(Id + Id)Rd,v0 = vc = IdRd = gmVgsRd,v0 = gmviRd,AV

3、 = v0 /vi = gmRd (无负载),Vd = VDDIdRd,2-3-1Common Source Amplifier,三、交流分析_电压放大倍数,AV = v0 /vi = gmRd /RL (有负载),电子工程系,2-1-7,Ri =VT /IT,Ri = ,2-3-1Common Source Amplifier,三、交流分析_输入电阻,电子工程系,2-1-8,Ro =VT /IT,Vgs = 0,Id = 0,Ro = rds/Rd,Ro = Rd (rdsRd),2-3-1Common Source Amplifier,三、交流分析_输出电阻,电子工程系,2-1-9, 电压

4、放大倍数与低频跨导gm和Rd成正比。, 电压放大倍数具有较大的分散性。, 由于温度特性,电压放大倍数受温度影响较大。, 输入输出反相, 电路增益大, 输入电阻大, 输出电阻较低,AV = v0/vi = -gmRd,Ri = ,Ro = rds/Rd,低频小信号,2-3-1Common Source Amplifier,四、电路特点,电子工程系,2-1-10,2-3-1Common Drain Amplifier, 输入输出同相 电路增益约为1 输入电阻大 输出电阻较小,一、工作原理,二、静态工作点分析,三、交流分析,四、电路特点,电子工程系,2-1-11,Vgs(V),id mA,绝缘栅耗尽

5、型,2-3-1Common Drain Amplifier,一、工作原理,Vgs(V),id mA,绝缘栅增强型,Vgs,电子工程系,2-1-12,2-3-1Common Drain Amplifier,二、静态工作点分析,Vd = VDD,Vs = IsRs,Id = gmVg,Is = Id,Vg = Vgs +IsRs,电子工程系,2-1-13,2-3-1Common Drain Amplifier,三、交流分析_电压放大倍数,电子工程系,2-1-14,Ri =VT /IT,Ri = ,2-3-1Common Drain Amplifier,三、交流分析_输入电阻,电子工程系,2-1-1

6、5,Ro =VT /IT,Ro = Rs/rds/1/gm,2-3-1Common Drain Amplifier,三、交流分析_输出电阻,电子工程系,2-1-16, 电压放大倍数略小于1。, 电压放大倍数具有较大的分散性。, 电压放大倍数受温度影响较大。, 输入输出同相, 输入电阻大, 输出电阻较低,Ri = ,Ro = rds/Rs/1/gm,低频小信号,2-3-1Common Drain Amplifier,四、电路特点,电子工程系,2-1-17,2-3-1Common Gate Amplifier, 输入输出同相 电路增益高 输入电阻小 输出电阻较小,一、工作原理,二、静态工作点分析,

7、三、交流分析,四、电路特点,电子工程系,2-1-18,Vgs(V),id mA,绝缘栅耗尽型,2-3-1Common Gate Amplifier,一、工作原理,Vgs(V),id mA,绝缘栅增强型,电子工程系,2-1-19,2-3-1Common Gate Amplifier,二、静态工作点分析,Vd = VDD - IdRd,Vs = -Vgs,Id = gmVg,Is = Id,Vg = 0,电子工程系,2-1-20,2-3-1Common Gate Amplifier,三、交流分析_电压放大倍数,电子工程系,2-1-21,Ri =VT /IT,2-3-1Common Gate Amp

8、lifier,三、交流分析_输入电阻,电子工程系,2-1-22,Ro =VT /IT,2-3-1Common Gate Amplifier,三、交流分析_输出电阻,电子工程系,2-1-23,电压放大倍数与低频跨导gm和Rd成正比。, 电压放大倍数具有较大的分散性。, 电压放大倍数受温度影响较大。, 输入输出同相, 输入电阻小, 输出电阻主要取决于Rd,低频小信号,2-3-1Common Gate Amplifier,四、电路特点,电子工程系,2-1-24,2-3-4 MOS Differential Amplifier,一、工作原理,二、静态工作点分析,三、差模放大分析,四、共模放大分析,五、

9、共模抑制比,电子工程系,2-1-25,2-3-4 MOS Differential Amplifier,一、工作原理,电子工程系,2-1-26,没有输入信号时,两个场效应管工作状态不确定,两输入端接地,Vg1= Vg2=0,Id1= Id2= gmVgs = Is /2,Is =Is1 + Is2,Vd=VDD Id1Rd =VDD Id2Rd,静态时,差分输出电压为0。,2-3-4 MOS Differential Amplifier,Is,二、静态工作点分析,电子工程系,2-1-27,V0=V+-V-=(Id1 Id2)Rd,设Vi1=V1+VCOM,Vi2=V2+VCOM,V0=gmRd

10、(Vi2 Vi1),V0=gmRd(Vi2 Vi1),Ad = V0/Vi = -gmRd,2-3-4 MOS Differential Amplifier,三、差模放大分析,电子工程系,2-1-28,对于直流共模输入信号,Is = Is1 + Is2 = 2Is1 = 2Is2,V+oCOM =V-oCOM =VDD - RdIs /2,2-3-4 MOS Differential Amplifier,四、共模放大分析,Vo = V+oCOM - V-oCOM = 0,电子工程系,2-1-29,对于交流共模输入信号,gm1(Vg1-Vs)+ gm2(Vg2-Vs) = Is,Id1 + Id2 = Is,2gmVg-2gmVs=Is,Vs = Vg - Is/2gm,Rd,Id,T1,ViCOM,+,-,+,-,ViCOM,T2,+,-,+,-,Is2,Rd,Id,VOCOM,VOCOM,Is1,2-3-4 MOS Differential Amplifier,四、共模放大分析,电子工程系,2-1-30,差模信号放大倍数与共模信号信号放大倍数之比。,2-3-4 MOS Differential Amplifier,五、共模抑制比 Common Rejection Ratio,Home work: 8.28, 8.33,

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