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1、第四章 场效应管放大电路,Field Effect Transistor (FET),4.1 结型场效应三极管(JFET),(1)结型场效应三极管的结构 JFET的结构如图所示，它是在N型半导体硅片 的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N 型沟道的结构。一个P区即为栅极，N型硅的一端是 漏极，另一端是源极。 (动画2-8）,(2) 结型场效应三极管的工作原理, 漏源电压对沟道的控制作用,当VDS增加到使VGD=VGS-VDS= VP时，在紧靠漏 极处出现预夹断。当VDS继续增加，漏极处的夹断继续向源极方向延长。,在栅极加上电压，且VGSVP，若漏源电压VDS 从零开始增加，则VGD=
2、VGS-VDS将随之减小。使靠近漏 极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分布。,(3)结型场效应三极管的特性曲线,JFET的特性曲线有两条，一是转移特性曲线， 二是输出特性曲线。,(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 N沟道结型场效应三极管的特性曲线 动画（2-6） 动画（2-7）,N沟道增强型MOSFET 的结构示意图和符号如图 。其中： D(Drain)为漏极,相当于c； G(Gate)为栅极，相当于b； S(Source)为源极,相当于e。 N沟道增强型 MOSFET结构示意图（动画2-3）,4.3 金属 氧化物 半导体场效应管,Metal Oxide Semicondu
3、ctor FET (MOSFET)。 又称绝缘栅型场效应三极管 分为 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道,一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的 绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为 衬底，用符号B表示。,(1)N沟道增强型MOSFET 结构,N沟道增强 型MOSFET基本上是一种左右对称的结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，,当栅极加有电压时，若 0VGSVT 时，通过栅极和 衬底间的电容作用，将靠近栅极 下方的P型半导体中的空穴向下 方排斥，出现了一薄层负离子的 耗尽层。耗尽层中的少子将
4、向表 层运动，但数量有限，不足以形 成沟道，将漏极和源极沟通，所以不可能形成漏极电流ID。,工作原理 1栅源电压VGS的控制作用,当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。,VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线。,进一步增加VGS，当VGS VT 时（ VT 称为开启电压)，由于此 时的栅极电压已经比较强，在靠近 栅极下方的P型半导体表层中聚集较 多的电子，可以形成沟道，将漏极 和源极沟通。如果此时加有漏源电 压，就可以形成漏极电流ID。在栅 极下方形成的导电沟道中的电子， 因
5、与P型半导体的载流子空穴极性 相反，故称为反型层。 (动画2-4）,随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS VT 后才会出现漏极电流，这种MOS管称为 增强型MOS管。,VGS对漏极电流的控制特性转移特性曲线,转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压 对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以 gm也称为跨导。跨导的定义式如下 gm=ID/VGS VDS=const (单位mS),ID=f(VGS)VDS=const,2漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用,当VGS VT ，且固定为某一值时，来分析漏源电 压VDS对漏极电流ID的影响。VDS
6、的不同变化对沟道的影 响如图所示。根据此图可以有如下关系,VDS=VDGVGS =VGDVGS VGD=VGSVDS,当VDS为0或较小时，相当VGS VT ，沟道分布如图，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。,漏源电压VDS对沟道的影响,(动画2-5),当VDS为0或较小时，相当VGS VT ，沟道分布 如图，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。,当VDS增加到使VGS= VT 时，沟道如图所示。这相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的 情况，称为预夹断。,当VDS增加到VGS VT 时，沟道如图所示。此时预 夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本
7、降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。,当VGS VT ，且固定为某一值时， VDS对ID的影响， 即ID=f(VDS)VGS=const这一关系曲线如图所示。这一曲线称 为漏极输出特性曲线。,漏极输出特性曲线,ID=f(VDS)VGS=const,(2)N沟道耗尽型MOSFET,当VGS0时，将使ID进一步增加。VGS0时， 随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对 应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示， 有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特 性曲线如图所示。,N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图 所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘
8、层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经在感应出反型层，在漏源之间形成了沟道。于是只要有漏源电压，就有漏极电流存在。,(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线,(3)P沟道耗尽型MOSFET,P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流 子不同，供电电压极性不同而已。这如 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。,伏安特性曲线,场效应三极管的特性曲线类型比较多， 根据导电沟道的不同，以及是增强型还是耗 尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线， 其电压和电流方向也有所不同。如果按统一 规定正方向
9、，特性曲线就要画在不同的象限。 为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过 来设定。有关曲线绘于图中。,各类场效应三极管的特性曲线,绝缘栅场效应管,N 沟 道 增 强 型,P 沟 道 增 强 型,绝缘栅场效应管,N 沟 道 耗 尽 型,P 沟 道 耗 尽 型,结型场效应管,N 沟 道 耗 尽 型,P 沟 道 耗 尽 型,场效应三极管的参数和型号,(1) 场效应三极管的参数 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。, 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极
10、电流为零。, 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。, 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是1091015。, 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 ，这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。, 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。,(2) 场效应三极管的型号,场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。其 一是与双极型三极管相同，第三位字母
11、J代表结型场 效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟 道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。,第二种命名方法是CS#，CS代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。,几种常用的场效应三极管的主要参数见表。,表02.02 场效应三极管的参数,双极型和场效应型三极管的比较,双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型耗尽型 N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用
12、D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流输入 电压输入 控制 电流控制电流源CCCS() 电压控制电流源VCCS(gm),双极型三极管 场效应三极管 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，可有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成,4.4 场效应管放大电路,共源组态基本放大电路,对于采用场效应三极管的共源基本放大电路，可以与共射组态接法的基本放大电路相对应，只不过场效应三极管是电压控制电流源，即VCCS。共源组态的基本放大电路如图所示。,(a)采
13、用结型场效应管,(b)采用绝缘栅场效应管,共源组态接法基本放大电路,比较共源和共射放大电路，它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出，就是一个解电路的问题了。,(1)直流分析,将共源基本放大电路的直流通道画出,如图所示。,共源基本放大 电路的直流通道,图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作，无栅流，那么JFET和MOSFET的直流通道和交流通道是一样的。,可写出下列方程 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VGVS= V
14、GIDQR IDQ= IDSS1(VGSQ /VP)2 VDSQ= VDDIDQ(Rd+R) 于是可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。,微变等效电路,(2)交流分析,画出微变等效电路，如图所示。,与双极型三极管相比，输入电阻无穷大，相当开路。VCCS的电流源 还并联了一个输出电阻rds，在双极型三极管的简化模型中，因输出电阻很大视为开路，在此可暂时保留。其它部分与双极型三极管放大电路情况一样。,电压放大倍数 如果有信号源内阻RS时 =gmRLRi / (Ri +RS) 式中Ri是放大电路的输入电阻。,输出电阻,为计算放大电路的输出电阻，可按双口网络计算原则将放大电路画成下图的形式。,将负载电阻
15、RL开路，并想象在输出端加一个电源 , 将输入电压信号源短路，但保留内阻。然后计算 ，于是,共漏组态基本放大电路,共漏组态放大电路 直流通道,其直流工作状态和动态分析如下。,(1)直流分析 将共漏组态基本放大电路的直流通道画于图之中，于是有 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGSQ= VGVS= VGIDQR IDQ= IDSS1(VGSQ / VP)2 VDSQ= VDDIDQR 由此可以解出VGSQ、IDQ和VDSQ。,(2)交流分析,将CD放大电路的微变等效电路画出，如图所示。,共漏放大电路的微变等效电路,电压放大倍数,输入电阻,输出电阻,计算输出电阻的原则与其它组态相同， 改画为下图。,求输出电阻的微变等效电路,第四章结束,
