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1、多数载流子：n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴. 少数载流子：p型半导体中的电子和n型半导体中的空穴. 空间电荷区：电离施主和电离受主所带电荷存在的区域。 表面空间电荷层：表面与内层产生电子授受关系，在表面附近形成表面空间电荷层。 电子耗尽层：空间电荷层中多数载流子浓度比内部少。 电子积累层：空间电荷层少数载流子浓度比内部少。 反型层：空间电荷层中少数载流子成为多数载流子。,光生伏特效应： 1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结； 2）p、n区都产生电子空穴对，产生非平衡载流子； 3）非平衡载流子破坏原来的热平衡； 4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n
2、区扩散； 5）若p-n结开路，在结的两边积累电子空穴对,产生开路电压。,(3) 欧姆接触 也称为非整流接触。 定义：它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从电学上讲，理想欧姆接触的接触电阻与半导体样品或器件相比应当很小，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降，这种接触不影响器件的电流-电压特性。 重要性：在超高频和大功率器件中，欧姆接触时设计和制造中的关键问题之一。 实现的办法：对于Si、Ge、GaAs等重要的半导体材料，一般表面态密度很高。势垒的形成与金属的功函数关系不大，不能通用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。目前，在实际生
3、产中，主要利用隧道效应的原理来实现。,重掺杂的p-n结可以产生显著的隧道电流。 金属与半导体接触时，如果半导体掺杂浓度很高，则势垒区宽度变薄。隧道电流甚至超过了热电子发射电流。使接触电阻很小。,Mn+,On-,p,n,表面空间电荷层：在金属中，自由电子密度很高，表面电荷基本上分布在一个原子层厚度范围内，与金属相比，由于半导体载流子密度要低的多，电荷必须分布在一定厚度的表面层内，这个带电的表面层为表面空间电荷层。 表面电势：表面空间电荷层两端的电势差。 表面电势的正负规定：表面电势比内部高时，其值取正，反之取负。,例如： 一般具有氧化性的分子（如：氧分子）从n型半导体和p型半导体中捕获电子而带负电，引起半导体表面的负电吸附。还原型气体引起半导体表面的正电吸附。 1/2O2(g)+ne Oad n- Oad : 吸附分子 温度对吸附离子形态的影响： 低温高温 O2 1/2O4- O2- 2 O- 2O2 - O:O O:O:O:O: O:O O: :O:,
