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1、4.1 晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低，且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,中功率管,大功率管,二、晶体管的电流放大作用,共射极放大电路,PNP接法？,2、电流分配： IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流,穿透电流,集电结反向电流,共射直流电流放大系数,交流电流放大系数,类似：共基电流放大系数等,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为什么UCE增大曲线右移？,对于小功率晶体管，
2、UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。,为什么像PN结的伏安特性？,为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？,1. 输入特性,2. 输出特性,对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。,为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？,饱和区,放大区,截止区,晶体管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,直流参数：,共射直流电流放大系数,共基直流电流放大系数,极间反向
3、电流 集基极反向饱和电流ICBO： 发射极开路，C、B极间加一反向电压时的反向电流。 集射极反向饱和电流ICEO（穿透电流）： 基极开路，C、E间加一反向电压时的反向电流， 又称穿透电流。ICEOICBO（1） 二者都是衡量BJT质量的重要参数。,交流参数：,特征频率（截止频率）fT：使1的信号频率,共射交流电流放大系数,共基交流电流放大系数,通常取,极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO,集电极最大允许电流ICM： 下降到额定值的2/3时的集电极电流 集电极最大允许耗散功率PCM：集电结上允许损耗功率的最大值。PCICUCE,安全工作区,反向击穿电压：三极管的各个电极所允许加的最大反向电压。 U（BR）CEO：集射极反向击穿电压 U（BR）CBO：集基极反向击穿电压 U（BR）EBO：射基极反向击穿电压,清华大学 华成英 ,讨论一,由图示特性求出PCM、ICM、U （BR）CEO 、。,uCE=1V时的iC就是ICM,U（BR）CEO,
