《{企业效率管理}晶体硅太阳电池设计转换效率极限》由会员分享，可在线阅读，更多相关《{企业效率管理}晶体硅太阳电池设计转换效率极限（17页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、转换效率极限与太阳电池设计原理,光生电流极限,一个自身能量高于带宽的光子产生一对或多对电子空穴对。 能量阀值： 1.124eV 300K 1.052eV 单声子辅助吸收 0.987eV 双声子辅助吸收 自由载流子吸收 晶格吸收,光生电流极限,最大光生电流（纯硅）51.5mA/cm2，受自由载流子吸收的限制，要得到这样的电流，硅片的厚度需几米厚。 对于正常厚度的太阳电池（1mm），光的有限吸收对电流的限制远远大于自由载流子吸收对电流的影响。,开路电压的极限,两个本征的复合原理：辐射复合，俄竭复合。,开路电压的极限,低注入情况：少子的的浓度远低于电池内的多子浓度。在假设电池前、后表面复合速率为零的
2、情况下，俄竭复合的极限暗电流为：,开路电压的极限,高注入薄电池,随着掺杂浓度的降低,由俄竭复合限制的Voc将提高，掺杂浓度进一步降低使得电池进入高注入状态,此时Voc将处于由上式表示的饱和状态。,开路电压的极限,高注入情况,低注入 薄电池,低注入 厚电池,填充因子极限,俄竭复合：低注入n=1 高注入 辐射复合：低注入和高注入 n=1 缺陷复合：低注入n=1 高注入n=2 最大FF极限：高注入薄电池,转换效率极限,VOC和ISC 随电流厚度的变化趋势相反，所以对于转换效率存在着一个最佳的厚度值：80m, 28.8%。,Isc的损失,表面反射损失 10% 表面电极遮光损失 515% 不能充分吸收光
3、的能量 体内复合 表面复合,VOC的损失,电池内的复合过程（表面、体内、p-n结区）决定了VOC的大小,VOC的损失,FF的损失,Rsh,Rs,Suns/Voc 准I-V曲线， 准转换效率（Rs=0) Rs:Voc处的斜率 Rsh:Isc处的斜率,太阳电池设计原理,为什么太阳电池的颜色是深蓝色的？ 为什么需做绒面？ 为什么要控制好方块电阻？ 为什么要在电池背面印刷Al浆？ 正面电极栅线间的间距是如何决定的？ 为什么有时Rs很大，且通过烧结条件不能改善？,太阳电池设计原理-需要考虑的因素：,少数载流子的收集几率 p-n结的深度 n-型发射结的横向电阻 衬底的掺杂 Al背场 n-型发射结的限制 电极的设计 光学的优化设计,
