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1、一 寸 光 阴 不 可 轻第一章 半导体器件基础 讨论题与思考题 PN结的伏安特性有何特点？ 二极管是非线性元件,它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档的不同量程测出的二极管阻值也不同？ 硅二极管和锗二极管的伏安特性有何异同？ 在结构上，三极管是由两个背靠背的PN结组成的，那么，三极管与两只对接的二极管有什么区别？ 三极管是由两个背靠背的PN结组成的，由很薄的基区联系在一起。那么，三极管的发射极和集电极是否可以调换使用？ 场效应管的性能与双极型三极管比较有哪些特点？ 作业题题1.1 在硅本征半导体中掺入施主杂质，其浓度为，分别求出在250
2、K、300K、350K时电子和空穴的浓度。题 1.2 若硅PN结的，求T=300K时PN结的内建电位差。题1.3 流过硅二极管的电流ID=1mA时，二极管两端压降UD=0.7V，求电流ID=0.1mA和10mA时，二极管两端压降UD分别为多少？题1.4 电路如图题1.4中二极管是理想的，： 画出该电路的传输特性； 画出输出电压波形。 题图1.4题1.5 题图1.5中二极管是理想的，分别求出题图1.5(a)、(b)中电压U和电流I的值。 (a) (b)题图1.5题1.6 在图题1.6所示电路中，取VUI5V。 二极管是理想的，导通电压UD(on)=0.6V，画出传输特性曲线(UI UO)； 若二
3、极管的导通电压UD(on)=0.6V，导通电阻RD=100, 画出其传输特性曲线。题图1.6题1.7 一PNP型晶体三极管，其ICBO=10A。工作在放大区且IE=3mA时，IC=2.98mA。若连接成共发射极组态，调整发射结电压，使三极管IB=30A，则此时的IC为多大？题1.8 在图题1.8所示电路中，已知=100，UI = 5V，VCC=10V，RC=4.66k，UBE(on)=0.7V，试求晶体三极管进入饱和区所需RB的最大值。题图1.8题1.9 两个三极管工作在放大区，看不出它们的型号，测得各管脚的电位分别如题图1.9所示，判断它们是NPN管还是PNP管，是硅管还是锗管，识别管脚并分
4、别标上E、B、C。题图1.9题1.10 题图1.10电路中，测得UE=-0.7V，若三极管=50，求IE、IB、IC和UC。题图1.10第二章 放大器基础 讨论题与思考题 为什么放大电路能把小能量的电信号放大到所要求的程度？试说明组成放大电路的基本原则？ 在阻容耦合放大电路中，耦合电容有何作用？若耦合电容采用电解电容，其极性应如何安排？ 什么是放大电路的静态分析？静态分析时依据什么电路？ 什么是放大电路的动态分析？进行动态分析时依据什么电路？ 放大电路的输出动态范围也可以通过实验的方法测得。怎样用示波器观察基本共射放大电路的最大不失真输出电压波形？ 场效应管的工作原理与普通三极管不同，那么场效
5、应管放大电路的偏置电路有何特点？它有几种偏置方式？ 为提高电压放大倍数和改善电路性能指标，放大电路中往往采用由多个单级放大电路级连而成的多级放大器。多级放大器有那几种耦合方式？它们各有什么特点和问题？ 为什么说频率响应是放大器的一项重要性能指标？ 作业题题2.1 单管放大电路与三极管特性曲线如题图2.1(a)、(b)所示。 用图解法确定静态工作点Q； 当RC由4kW增大到6kW时，工作点Q将怎样移动？ 当RB 由200kW变为100kW时，工作点Q将怎样移动？ 当-Vcc由 -12V变为 -6V时，工作点Q将怎样移动？ (a) (b)题图2.1题2.2 放大电路如题图2.2(a)所示，三极管的
6、输出特性曲线如题图2.2(b)所示。用图解法： 画出直流负载线并确定工作点Q(设UBEQ=0.7V)； 画出交流负载线，并确定对应iB由0100A变化时，uCE的变化范围，并计算输出正弦电压有效值。 (a) (b) 题图2.2题2.3 题图2.3 所示电路中，三极管=100，100，UBEQ=0.7V 。 求三极管的静态工作点Q； 求电压增益Au、输入电阻Ri、输出电阻Ro。 题图2.3题2.4 题图2.4 所示放大电路中，三极管=100，UBEQ=0.6V ，C1、C2、Ce可视为交流短路。 求静态工作点Q； 用等效电路法求电压增益Au=uo/ui、源电压增益Aus=uo/us； 求输入电阻
7、Ri、输出电阻Ro。题图2.4题2.5三极管=100，C1、C2可视为交流短路。 求集电极直流电流IC和电位UC； 求电压增益Au=。题图2.5题2.6 题图2.6 所示放大电路中，三极管=100，UBEQ= 0.6V ，200。 求电压放大倍数Au ； 求输入电阻Ri、输出电阻Ro 。题图2.6题2.7 在题图2.7 所示放大电路中，已知管子=50，300，UBEQ=0.7V ，电容C1、C2、C3可视为交流短路，Rs=500。 计算电压增益Au1=、Au2=，输入电阻Ri、输出电阻Ro1、Ro2。 说明此放大电路的功能。 题图2.7题2.8 在题图2.8所示共集电路中，输出电压通过耦合电容
8、C3加到RB3的下端，已知300，1k，gm=100mS，RB1=RB2=20k，RB3=100k，RE=RL=1k，所有电容可视为短路，、可忽略，求输入电阻Ri 。题图2.8题2.9 题图2.9中FET的UGS(off) = -2V，IDSS= 1mA。求： 为使静态时IDQ= 0.64mA，源极电阻R应选多大？ 电压放大倍数Au，输入电阻Ri，输出电阻Ro； 若C3虚焊开路，则Au、Ri、Ro为多少？题图2.92.10 题图2.10所示放大电路中，场效应管跨导gm=2mS，50k，三极管的=100，1k，=，电容C1、C2、C3、C4可视为交流短路。 画出放大器的微变等效电路； 计算放大器
9、的中频电压增益Au=、输入电阻Ri和输出电阻Ro。题图2.10题2.11 已知单管放大器的中频电压增益=-200，fL=10Hz，fH=1MHz，试 画出放大器的渐近伯德图。 f=fL和f=fH时，电压放大倍数的模和相角各为多少？题2.12 单管放大器如题图2.12所示，已知IC=2.5mA，=50，C=4pF，fT=50MHz，50，求放大器的下限频率fL和上限频率fH。题图2.12第三章 集成运算放大器 讨论题与思考题 在集成电路中广泛使用各种具有很大交流电阻的电流源电路，三极管电流源电路的交流等效电阻与哪些参数有关？如何改进？ 恒流源在集成电路中除作偏置电路外，还可作为放大电路的有源负载
10、，以提高电压增益。试说明恒流源作负载，对放大器的动态性能有何改善？ 集成运算放大器实际上是一个高增益的多级直接耦合放大电路，直接耦合放大电路存在零点漂移问题。什么是零点漂移？怎样衡量放大器的零点漂移？ 什么是差动放大电路？差动放大电路有何特性？ 电流源电路在差动放大电路中起什么作用？ 通常集成运算放大器由哪几部分组成？各部分电路具有哪些主要性能？ 集成运算放大器技术参数与选择方法？ 集成运放理想化的条件？ 作业题题3.1 在题图3.1所示的电路中，T1、T2、T3的特性都相同，且1=2=3很大，UBE1=UBE2=UBE3=0.7V，请计算u1u2=?题图3.1题3.2 对称三极管组成题图3.
11、2所示的微电流源电路，设三极管相等，UBE=0.6V，VCC=+15V。 根据三极管电流方程导出工作电流IC1与IC2之间的关系式。（设漏电流IS1=IS2） 若要求IC1=0.5mA，IC2=20A，则电阻R、RE各为多大？题图3.2题3.3 在题图3.3所示的一种改进型镜像电流源中，设U1=U2=10V，R1=8.6k，R2=4.7k，三个晶体管的特性均相同，且=50，UBE=0.7V。求晶体管T2的集电极电位（对地）UC2。题图3.3题3.4在题图3.4的电路中，设+VCC=+12V，VEE=6V，RB=1k，RC=15k，RE=7.5k，RW=200且滑动端位于中点，RL=，晶体管T1
12、、T2的特性相同，=100，rbb=300，UBE=0.7V。 求静态电流ICQ1、ICQ2以及集电极静态电位（对地）UCQ1和UCQ2。 若ui1=20mV，ui2=15mV，且共模电压放大倍数的影响可忽略不计，求两管集电极对地电压uC1（即uA）和uC2（即uB）。题图3.4题3.5 在题图3.5所示的电路中，直流电流表的满偏电流为100A，电表支路的总电阻为2k，两管的=50，rbb=300。试计算： 当ui=0时，每管的IB、IC各是多少？ 为使电流表指针满偏，需加多大的输入电压（直流）？ 如果ui=0.7V，这时会发生什么情况？试估计流过电流表的电流大概有多少？如果ui=2V，又会出现什么情况？流过电流表的电流有变化吗？ 题图3.5题3.6 恒流源式差动放大电路如题图3.6所示，已知三极管的UBE=0.7V，=50，rbb=100，稳压管的UZ=+6V，+VCC=+12V，VEE=12V，RB=5k，RC=100k，RE=53k，RL=30k。 简述恒流源结构的优点； 求静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）； 求差模电压放
