《53寄存器教学案例》由会员分享，可在线阅读，更多相关《53寄存器教学案例（25页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、5.3 寄存器和读/写存储器 (Register and Random Access Memory),5.3.1 寄存器的主要特点和分类,一、 概念和特点,(一) 概念,寄存：,把二进制数据或代码暂时存储起来。,寄存器：,具有寄存功能的电路。,(二) 特点,主要由触发 器构成,一般不对存储内容进行处理。,并行 输入,并行 输出,1 0 1 0,1 0 1 0,0,1,0,1,0,1,0,1,串行 输入,串行 输出,二、 分类,(一) 按功能分,基本寄存器,移位寄存器,(并入并出),(并入并出、并入串出、 串入并出、串入串出),(二) 按开关元件分,TTL 寄存器,CMOS 寄存器,基本寄存器,
2、移位寄存器,多位 D 型触发器,锁存器,寄存器阵列,单向移位寄存器,双向移位寄存器,基本寄存器,移位寄存器,(多位 D 型触发器),(同 TTL),5.3.2 基本寄存器,一个触发器可以存储 位二进制信号；寄存 n 位 二进制数码，需要 个触发器。,1,n,一、4 边沿 D 触发器 (74175、74LS175),保 持,特点：,并入并出，结构简单，抗干扰能力强。,三、 4 4 寄存器阵列 (74170、74LS170),(一) 引脚排列图和逻辑功能示意图,并行数码输入,数 码 输 出,AW0、AW1, 写入地址码,AR0、AR1, 读出地址码, 写入时钟脉冲, 读出时钟脉冲,(二) 逻辑功能
3、,16个D锁存器 构成存储矩阵,能存放4个字: W0、W1、W2、W3,0,0 0,0 0 0 1,0 0 0 1,0 1,0 0 1 0,0 0 1 0,1 0,0 1 0 0,0 1 0 0,1 1,1 0 0 0,1 0 0 0,1, ,写 入 禁 止,0,0 0,0 0 0 1,0 1,0 0 1 0,1 0,0 1 0 0,1 1,1 0 0 0,1,1 1 1 1,特点: 能同时进行读写; 集电极开路输出,每个字有4位：,5.3.3 移位寄存器,一、单向移位寄存器,右移寄存器,时钟方程,驱动方程,状态方程,Di,00001011,0000011,000001,00001,0000,
4、000,00,0,左移寄存器,Di,左移 输入,左移 输出,驱动方程,状态方程,主要特点：,1. 输入数码在 CP 控制下，依次右移或左移；,2. 寄存 n 位二进制数码。N 个CP完成串行输入，并可 从Q0Q3 端获得并行输出，再经 n 个CP又获得串行输出。,3. 若串行数据输入端为 0，则 n 个CP后寄存器被清零。,二、双向移位寄存器(自学),三、集成移位寄存器,(一) 8 位单向移位寄存器 74164,（二）4 位双向移位寄存器 74LS194(略),5.3.4 移位寄存器型计数器,结 构 示 意 图,特点：,电路结构简单，计数顺序一般为非自然态序， 用途极为广泛。,一、环形计数器,
5、(一) 电路组成,(二) 工作原理,1000,0100,0010,0001,有效循环,0000,1111,0101,1010,1100,0110,0011,1001,1101,1110,0111,1011,无 效 循 环,(三) 能自启动的环型计数器,二、扭环形计数器,0000100011001110 0001001101111111,01001010 1101 0110 1001 001001011011,有效循环,无效循环,克服自启动电路：,P326 图5.3.16,三、最大长度移位寄存器型计数器 (略),5.3.5 读/写存储器 RAM,(Random Access Memory),存储
6、单元, 存放一位二进制数的基本单元(即位)。,存储容量, 存储器含存储单元的总个(位)数。,存储容量 = 字数（word） 位数（bit）,地址, 存储器中每一个字的编号,2561，2564 一共有 256 个字，需要 256 个地址,10244，10248 一共有 1024 个字，需要 1024 个地址,地址译码, 用译码器赋予每一个字一个地址,N 个地址输入，能产生 2N 个地址,一元地址译码(单向译码、基本译码、字译码),二元地址译码(双向译码、位译码) 行译码、列译码,一、RAM 的结构,CS,I / O,例 对 256 4 存储矩阵进行地址译码,一元地址译码,8线 256线,缺点:
7、n 位地址输入的译码器,需要 2n 条输出线。,1 0 1 0,二元地址译码,4线 16线,1 0 . . . 0,1 0 0,8 位地址输入的 地址译码器,只有 32 条输出线。,25 (32) 根行选择线,10 根地址线, 2n (1024)个地址,25 (32)根列选择线,1024 个字排列成, 32 32 矩阵,当 X0 = 1，Y0 = 1 时，,对 0-0 单元读(写),当X31 = 1，Y31 = 1时，,对 31-31 单元读(写),例 1024 1 存储器矩阵,二、RAM的存储单元,(一) 静态存储单元,基本工作原理：,T5、T6 门控管 控制触发器与位线的连通,0,读操作时
8、:,写操作时:,T7、T8 门控管 控制位线与数据线的连通,0,MOS管为 简化画法,1. 六管 NMOS 存储单元,1,导通,0,截止,特点：,断电后数据丢失,2. 六管 CMOS 存储单元,N,P,特点：,PMOS 作 NMOS负载，功耗极小，可在交流电源断电后,靠电池保持存储数据.,(二) 动态存储单元,1. 四管动态存储单元,T5、T6 控制 对位线的预充电,VDD,1,导通,0,截止,T3、T4 门控管 控制存储单元 与位线的连通,T7、T8 门控管 控制位线与数 据线的连通,若无预充电，在“读”过程中 C1 存储的电荷有所损失，使数据 “1”被破坏，而预充电则起到给 C1 补充电荷
9、的作用，即进行一次刷新。,2. 三管动态存储单元,读操作:,先使读位线预充电到高电平,当读字线为高电平时 T3 导通,若 C 上存有电荷 (1) 使 T2 导通, 则 CB 放电, 使读位变为低电平 (0),若 C 上没有电荷 (0) 使 T2 截止, 则 CB 不放电, 使读位线保持高电平 (1),写操作:,当写字线为高电平时 T1 导通,将输入信号送至写位线，则将信息存储于 C 中,三、RAM 容量的扩展,(一) 位扩展,地址线、读/写控制线、片选线并联,输入/ 输出线分开使用,如：用 8 片 1024 1 位 RAM 扩展为 1024 8 位 RAM,0 0,1 0,(二) 字扩展,四、RAM 芯片举例,片 选,输出使能,写入控制,
