特征半导体基本知识资料教程

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1、1,2006-7-12,半导体基本知识,2006-7-12,2,半导体材料的特征,自然界的物质，按其导电强弱，一般可分为三大类，即导体、半导体和绝缘体。容易导电的物质称为导体，如金、银、铜、铝等各种金属与合金都是良导体，它们的电阻率一般在104欧姆厘米以下。不容易导电的物质称为绝缘体，如橡胶、玻璃、陶瓷和塑料等，它们的电阻率在109欧姆厘米以上。顾名思义，半导体的导电性介于导体和绝缘体之间。它具有如下的主要特征。 （l）杂质影响半导体导电性能 在室温下，半导体的电阻率在 104109欧姆厘米之间。而且，加入微量杂质能显著改变半导体的导电能力。掺入的杂质量不同时，可使半导体的电阻率在很大的范围内

2、发生变化。另外，在同一种材料中掺入不同类型的杂质，可以得到不同导电类型的材料。 （2）温度影响半导体材料导电性能 温度能显著改变半导体的导电性能。在一般的情况下，半导体的导电能力随温度升高而迅速增加，也就是说，半导体的电阻率具有负温度系数。而金属的电阻率具有正温度系数，且随温度的变化很慢。 （3）有两种载流子参加导电 在半导体中，参与导电的载流子有两种。一种是为大家所熟悉的电子，另一种则是带正电的载流子，称为空穴。而且同一种半导体材料，既可以形成以电子为主的导电，也可以形成以空穴为主的导电。在金属中则仅靠电子导电，而在电解质中，靠正离子和负离子同时导电。 （4）其它外界条件对导电性能的影响 半

3、导体的导电能力还会随光照而发生变化。例如一层淀积在绝缘基板上的硫化镉薄膜，其暗电阻约为数十兆欧，当受光照后，其电阻可下降到数十千欧。这种现象称为光电导效应。此外，半导体的导电能力还会随电场、磁场、压力和环境的作用而变化，具有其它特性和效应。,2006-7-12,3,半导体材料的类别,元素半导体 元素周期表中, 已经知道有十来个元素具有半导体性质，其中，形态稳定、工艺成熟的只有硅、锗、硒三种。硅具有优良的半导体性质，是现代最主要的半导体材料，已在晶体管、集成电路及其它器件中大量使用。锗也具有良好的半导体的性质，是重要的半导体材料之一。硒的半导体性质发现得很早，用于制作整流器、光电导器件等。其它元

4、素半导体都还未获得实际应用。 化合物半导体 化合物半导体可分为无机化合物半导体和有机化合物半导体两种。有机化合物半导体仍处研究探索阶段，一般所说的化合物半导体指无机化合物半导体。无机化合物半导体由两种（二元系）或多种（多元系）元素组成。由III族和V族元素组成的III-V族化合物半导体GaAs是应用最广的化合物半导体，用于制作微波器件、激光器和集成电路。其它如InP、AlP、GaP、InAs、InSb等III-V族化合物半导体，ZnS、CdS、ZnSe、HgSe等II-VI族化合物半导体、IV-IV族化合物半导体材料SiC等都有一定的应用。多元系化合物半导体用途较少。 固溶半导体 由两个或两个

5、以上具有足够含量的的元素构成的固体溶液，如果具有半导体性质，就称为固溶半导体，简称固溶体或混晶。半导体材料中提纯残留的杂质和有意掺入的杂质与本体材料也形成固溶体，但因这些杂质的含量很低，在半导体材料的分类中不属于固溶半导体。另一方面，固溶半导体又与化合物半导体有区别，后者是靠其价键按一定化学配比构成，而固溶体组成元素的含量在其固溶度范围内可连续变化，其半导体及有关性质也随之变化。利用固溶半导体的这一特点可得到性质多样的半导体材料以满足不同的应用要求。主要的固溶体半导体有：元素固溶体Ge-Si，III-V族固溶体Ga1-xAlxAs，II-VI族固溶体HgxCd1-xTe等。,2006-7-12

6、,5,多晶体和单晶体,晶体有多晶体和单晶体之分。单晶体内的原子（或离子）都按同一规律周期性地排列。常用的半导体材料锗、硅、砷化镓都制成单晶体。多晶体则由许多取向不同的小单晶体（又称晶粒）组成，多晶体内的原子（或离子）呈局部周期性规则排列，不同的局部区域中原子排列的方向不同。,2006-7-12,6,N型半导体和P型半导体,掺杂半导体分为N型半导体和P型半导体两类。在锗和硅中掺入磷、砷、锑等V族元素时，这些杂质在锗和硅中起提供电子的作用，使这些半导体以电子导电为主。这类杂质叫做施主杂质。以电子导电为主的杂质半导体称为N型半导体，相应的杂质也叫做N型杂质。而在锗和硅中掺入硼、铝、镓或铟等族元素时，

7、这些杂质在锗和硅中起提供空穴的作用，使这些半导体以空穴导电为主。这类杂质叫做受主杂质。以空穴导电为主的杂质半导体称为P型半导体。相应的杂质也叫做P型杂质。 一般说，施主和受主杂质均为替位式杂质。它们掺入晶体后，要取代晶格中硅原子的位置。见图4- 2。 图4- 2 硅中施主杂质和受主杂质,2006-7-12,7,N型半导体和P型半导体（续）,图4- 2（a）中，磷原子有五个价电子，由于硅晶体中每个原子只有四个近邻原子，因此，在硅原子位置上的磷原子在同周围硅原子组成共价键结合时，只需四个电子，还多一个电子。这个多余的电子不受共价键束缚，因此容易挣脱束缚，变成导带电子。这种能释放电子的杂质称为施主杂

8、质或N型杂质。使这个多余电子激发到导带所需的能量称为施主杂质电离能。 图4- 2（b）中，硼原子有三个价电子，它同周围硅原子组成共价键时，还缺一个电子，需要从附近硅原子价键中夺取一个电子补充，原子便多一个电子，成为负离子，同时，在晶体中产生一个空穴。空穴容易挣脱硼离子的束缚成为价带中的导电空穴。这种接受电子而产生空穴的杂质称为受主杂质。使空穴挣脱束缚成为价带导电空穴所需能量称作受主杂质电离能。 由于杂质能级靠近导带底和价带顶，所以电离能远小于禁带宽度。室温下几乎所有杂质都是电离的，而本征激发要难得多。通常情况下，杂质半导体载流子浓度比本征半导体载流子浓度高得多，导电能力因此也强得多。,2006

9、-7-12,8,多数载流子与少数载流子,在杂质半导体中，电子与空穴的浓度不再相等。在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子；P型半导体则相反，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。多数载流子简称多子，是杂质激发载流子与本征激发载流子之和。少数载流子简称少子，只由本征激发产生。 在室温下，杂质全部电离，每个杂质均提供一个载流子。一般情况下，由于掺杂浓度远大于本征载流子浓度，所以多子浓度远大于少子浓度。,2006-7-12,9,杂质补偿,本征半导体中掺入N型杂质就成为N型半导体，掺入P型杂质就成为P型半导体。在实际的半导体中，如果同时存在受主杂质和施主杂质，受主杂质所产生的空穴通过复合与施

10、主杂质所提供的电子相抵消，将使总的载流子数减少，这种现象称为杂质补偿。决定补偿后半导体导电类型和载流子浓度的是两种杂质补偿后的净浓度，即（NDNA）或（NAND）。其中ND为施主杂质浓度，NA为受主杂质浓度。当NDNA时，半导体呈N型；反之，当NAND时，半导体呈P型。若NDNA，施主杂质产生的电子与受主杂质产生的空穴刚好全部复合而抵消。这时，不管半导体中杂质有很多，载流子却很少，基本上只有本征激发产生。这种情况称为高度补偿。 利用杂质补偿可以任意改变半导体的导电类型。但补偿度过大对材料和器件的电学性能会产生不良影响。,2006-7-12,10,电阻率,电阻率是常用的半导体材料参数，它反映了半

11、导体内杂质浓度的高低和半导体材料导电能力的强弱。 对纯半导体材料，电阻率主要由本征载流子浓度决定。本征载流子浓度随温度的上升而急剧增加，而迁移率变化的影响只是次要的因素。本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降。 对杂质半导体，有杂质电离和本征激发两个因素存在，又有电离杂质散射和晶格散射两种散射机构存在，因而电阻率随温度的变化关系要复杂些。,2006-7-12,11,电阻率（续）,图4- 3 表示一定杂质浓度的半导体硅材料的电阻率和温度的关系。 图4- 3 硅电阻率与温度关系示意图 从上图可以看出，一定杂质浓度的硅材料的电阻率和温度的关系曲线大致可分为三段。在曲线的AB段，本征激发可忽略，载流子

12、主要由杂质电离提供，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率也随温度升高而增大。所以，电阻率随温度升高而下降。BC段为包括室温在内的一段温度范围，杂质全部电离，本征激发还不显著，载流子基本上不随温度变化；在这段温度范围，晶格散射为主要的散射机构，迁移率随温度升高而降低。所以，电阻率随温度升高而增大。当温度继续升高到曲线的CD段时，本征激发很快增加，大量产生的本征载流子的作用远远超过迁移率减小对电阻率的影响，表现出与本征半导体相似的特性。显然，杂质浓度越高，进入本征导电占优势的温度也越高。,2006-7-12,12,附录,硅在300K的物理常数,2006-7-12,13,硅在常温下电阻

13、率 与杂质浓度的关系,2006-7-12,14,2006-7-12,15,CZOCHRALSKI（CZ） 单 晶 生 长 法,这 个用 其 发 明 者 的 名 字 命 名 的 生 长 法， 就 是 在 界 面 上使 原 子 从 液 相 晶 体 凝 固。 生 产 CZ 硅 的 基 本 生 产 方 法 自 从 五十 年 代 早 期 由 Teal 和 其 它 人 首 创 后 就 没 有 明 显 的 改 变（。 简 单 易 行 的 方 法 和 相 当 高 的 晶 体 纯 度 使 CZ 法 成 为 半导 体 产 业 早 期 主 要 的 晶 体 生 长 技 术。 六 十 年 代 晚 期 无 位 错晶 锭

14、生 长 和 自 动 直 径 控 制 的 发 展， 导 致 了 晶 锭 直 径 和 晶 体溶 液 尺 寸 的 迅 速 变 大。 在 经 济 效 益 的 驱 使 下， 对 于 更 大 的晶 锭，在 炉 料 尺 寸 和 直 径 方 面 需 要 进 一 步 增 加。 如 图7 所 示，到 1985 年 已 经 有 了 直 径 150mm 的 晶 体 和 60kg 的 炉 料 （标 准 的工 业 用 晶 锭 长 0.52.5m， 每 60kg 炉 料 能 生 长 大 约 长 为 1m 直 径150mm 的 晶 锭）。,2006-7-12,16,2006-7-12,17,Czochralski 晶 体 生

15、 长 步 序,上 图 中 一 组 连 续 的 照 片 显 示 了 CZ 硅 晶 体 生 长 的 步 骤，首 先装 载 盛 有 无 掺 杂 EGS 炉 料 和 精 确 数 量 的 低 硅 合 金 的 熔 融 石英 坩 埚。 然 后 从 生 长 室 中 抽 出 空 气， 再 充 以 惰 性 气 体（为 限制在 生 长 时 空 气 中 的 气 体 混 入 溶 液）， 然 后 熔 化 炉 料（硅 的 熔点 是1412C）。 下 一 步 将 有 精 确 取 向 裕 度 的 细 籽 晶（大 约 直 径5mm、 长100300mm) 放 入 熔 融 的 硅。 然 后 以 控 制 的 速 度 抽 回 籽晶。

16、在 拉 取 过 程 中，籽 晶 和 坩 埚 都 在 旋 转， 但 方 向 相 反。当 初 始 拉 的 速 率 相 当 快，可 以 形 成 一 个 细 颈。Dach 发 现 如果 形 成 这 个 细 颈， 生 长 的 晶 锭 就 可 以 达 到 宏 观 无 位 错 的 晶态。 此 时， 熔 融 温 度 下 降 并 且 稳 定， 所 需 晶 锭 的 直 径 可 以 形成 （放 肩 步 骤）， 通 过 精 确 调 控 拉 取 速 率， 可 以 使 直 径 大 小持 续 保 持。 拉 取 一 直 持 续 到 炉 料 接 近 耗 尽，此 时，晶 锭 被 回 拉成 扁 尾 形（tang）（收 尾）。 工 序 的 最 后 一 步 是 停 炉 过 程。 冷 的 籽 晶 刚 刚 浸 入 溶 液 时， 在 晶 体 被 加 热 的 外 部 和还 冷 的 内 部 之 间 会 有 很 大 的 应 力。 这 些 应 力 大 得 足 以 引起 塑 性 变 形， 从 而 导 致 晶 体 中 的 宏 观 位 错。 当 从 溶 液 中 快速 拉 取 细 颈 区 时， 这 些 位 错 被 驱 赶 到 细 颈