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1、LTE终端技术交流 天翼电信终端有限公司 2014.1,2,一、殊途同归-无线通信制式演进路线,中国电信,中国联通,随着技术进步，当前主流的三种3G制式WCDMA、CDMA、TD-SCDMA均将演进到LTE制式。,中国移动,3,二、高速、广域、低延时-LTE的技术特点,LTE(Long Term Evolution,长期演进)是3G的下一代演进技术，其特点： 在20MHz频谱带宽能够提供至少下行100Mbps、上行50Mbps的峰值速率； 降低系统延迟，用户平面内部单向传输时延低于5ms，控制平面从睡眠状态到激活状态迁移时间低于50ms，从驻留状态到激活状态的迁移时间小于 100ms； 支持1
2、00Km半径的小区覆盖；改善小区边缘用户的性能；提高小区容量； 能够为350Km/h高速移动用户提供100kbps的接入服务,CDMA,下行3.1Mbps 上行1.8Mbps,WCDMA,下行384kbps 上行64kbps,TD-SCDMA,下行384kbps 上行128kbps,LTE 下行100Mbps 上行50Mbps,高带宽、高品质、实时性的业务 大容量高清实时视频、电视 大型3d在线游戏,较低带宽、实时性较差的业务 文字即时通讯 低画质、实时性差的社区应用,4,三、LTE对中国电信的影响,芯片,小众,LTE时代,芯片,主流,技术,中国电信现状,CDMA是小众群体，在世界范围处于弱势
3、地位，产业链规模小，成本高,LTE终端融入全球产业链，分摊研发成本,实现语音与数据并发，同时保留话音音质好、保密性强,CDMA芯片仅有两家供应商：高通和威盛,LTE芯片供应商有十几家：,CDMA,技术,话音音质好、保密性强、低辐射，但语音与数据不能并发,其他制式,制式统一,5,可穿戴智能设备 随拍随传高清视频 移动医疗监控（心电等） 车载设备 实时更新路况、街景导航 高清实时LTE终端 高清视频点播、高清视频下载 移动高清视频会议 大型3D在线互动游戏,腕带,车载,四、强大、便利-LTE时代的终端与业务,即摄即传设备,6,五、强劲数据处理能力-LTE时代的终端元器件1,芯片性能更加强大 28n
4、m制程，更先进工艺使得芯片功耗更低、面积更小 Cortex A15架构，更先进的架构技术使得芯片运算效率更高、处理能力更强 4+1或4+4协处理器技术及真八核处理技术，多核并行处理，强化多任务能力 支持1080p直至4k*2k视频编解码，从而强化高清视频表现,存储器规格提升 广泛采用ddr3内存直至ddr4内存，新技术内存的运行频率更高、数据存取速度更快，极大优化数据吞吐能力 ROM容量达到32GB乃至更高，同时采用Class10等更高级别的存储元件，读写速度可达到10MB/S,五、高速数据存储能力-LTE时代的终端元器件2,五、更强力的电源-LTE时代的终端元器件3,电池: 更高的能量密度，
5、可达520wh/L 采用新技术，例如升压4.35V，硅碳阳极，纳米陶瓷图层等 最大充电电流能达到2A 一流 的供应商 索尼、松下（三洋）、SDI、LGC等 充电器: 大的充电电流（2.0A） 出色的能量密度0.30w/cm3 出色的ID设计,五、更强大图像处理能力-LTE时代的终端元器件4,摄像头注重平衡像素和效果 大光圈，高动态范围，提升低光时拍照效果 UltraPixel技术降低像素数以获得更好拍摄效果 88超高广角前置摄像头，使得拍照范围更广阔 强化后处理能力，提升用户体验,全景拍照,人脸识别,五、超强多媒体表现能力-LTE时代的终端元器件5,屏幕更注重平衡尺寸和美观 全高清FHD(19
6、20*1080)分辨率 更高PPI带来更细腻画质 屏幕超窄边设计使得握持更容易 显示层与触控层集成：In-cell/On-cell/OGS，使得屏幕更轻薄,通过软件处理使图像呈现更真实 开发图像处理算法，提高图像质量和逼真度 根据以下几方面建立一体式显示解决方案: 显示性能/算法/应用场景,LTE/CDMA终端语音方案 LTE/CDMA终端数据方案 LTE终端方案 LTE终端芯片平台方案,Page 12,不同3G制式演进到LTE网络时，均有FDD、TDD、FDD+TDD三种可能情况，采用不同LTE演进方案的运营商举例如下。,3G与LTE网络组网情况,LTE终端语音承载方案,CDMA/LTE组网
7、一共有5种语音承载形式。,Page 13,SV-LTE 硬件：无改造要求 软件：无改造要求,14,SV-LTE网络架构及软硬件改造说明,SRLTE 硬件：无改造要求 软件：要求LTE/EPC网络支持ESR、承载挂起/恢复功能,15,SRLTE 网络架构及软硬件改造说明,16,VoLTE硬件最简单，单射频芯片、基带不需支持CDMA SVLTE硬件最复杂，双射频芯片，基带需支持CDMA,不同语言方案LTE终端硬件逻辑图,LTE/CDMA终端语音方案 LTE/CDMA终端数据方案 LTE终端方案 LTE终端芯片平台方案,eHRPD是LTE和EVDO互通的桥梁,Page 19,LTE/CDMA终端语音
8、方案 LTE/CDMA终端数据方案 LTE终端方案 LTE终端芯片平台方案,Page 20,中国电信LTE终端要求：手机,模式： 2000元以上：5模7频，T+F+C+W+G，WCDMA和GSM用于国际漫游 2000元以下：4模6频， T+F+C+G， GSM用于国际漫游,频段：,语音方案： SVLTE或SRLTE,Page 21,中国电信LTE终端要求：手机,卡槽： 单卡手机或双卡手机卡槽一尺寸要求为3FF，即 iPhone 4S使用卡的大小 单卡手机或双卡手机卡槽一锁定中国电信卡 双卡手机卡2不锁卡，支持GPRS数据 4G手机不要求兼容3G卡，插入3G卡要求提示用户换卡。,国际漫游： 漫游
9、使用WCDMA或GSM 仅对不支持WCDMA终端，在日韩地区要求支持CDMA漫游 未来，考虑支持LTE到GSM或WCDMA的CSFB,NFC： 必选支持,Page 22,中国电信LTE终端要求：MiFi,模式： 5模7频，T+F+C+W+G，WCDMA和GSM用于国际漫游,频段：,卡槽： 不锁卡 不要求兼容3G卡,Page 23,中国电信LTE终端要求：数据卡,有线电脑接口：USB、PCMCIA或MiniPCI 卡槽： 不锁卡 不要求兼容3G卡,模式： 3模4频，T+F+C,频段：,Page 24,中国电信LTE终端要求：CPE,CPE：Customer Premise Equipment，客
10、户终端设备 中国电信4GCPE终端制式、频段要求如下：,卡槽： 不锁卡 不要求兼容3G卡,基带芯片 GSM+LTE/TDS,用户卡,天线开关,GSM 射频芯片,LTE/TDS 射频芯片,三家运营商的单卡终端方案,基带芯片 LTE/WCDMA/GSM,LTE/WCDMA/GSM 射频芯片,天线开关,用户卡,用户卡,基带芯片 LTE/TD-SCDMA/GSM,LTE/TD/GSM 射频芯片,基带芯片 LTE+CDMA,用户卡,天线开关,CDMA 射频芯片,LTE 射频芯片,天线开关,用户卡,Page 26,高通SV-LTE终端平台方案：单卡,SV-LTE：LTE和CDMA双待双通。 左侧射频通路：
11、LTE 右侧射频通路：CDMA 优势：CDMA语音与LTE数据双通 劣势：终端成本偏高,在国内时，单卡终端实现CDMA和LTE双待双通。,Page 27,高通SR-LTE终端平台方案：单卡,SR-LTE：LTE和CDMA双待单通。 射频通路：LTE或CDMA，CDMA优先级高 优势：终端成本低 劣势：CDMA通话时无法使用LTE，LTE下载速率降低20%左右,在国内时，单卡终端实现CDMA和LTE双待双通。,Page 28,高通SV-LTE终端平台方案：双卡,在国内时，双卡终端实现CDMA、LTE、GSM三待双通，语音优先。,基带支持LTE、CDMA、GSM三待 两套射频最多支持双通 左侧射频
12、通路：GSM(卡2：异网卡)或LTE(卡1：电信卡)，LTE数据下载时监听GSM，收到GSM寻呼切换至GSM 右侧射频通路：CDMA(卡1：电信卡) 支持CDMA+GSM双通 支持CDMA+LTE双通 支持EVDO+GSM双通,Page 29,高通LTE终端平台方案总结,单卡和双卡终端在硬件上基本没有区别，硬件成本差别不大 双卡终端的LTE数据性能由于射频不断监听GSM寻呼有些许下降 由于语音优先，双卡终端在GSM和CDMA同时通话时无法使用数据业务,Page 30,LTE/CDMA终端语音方案 LTE/CDMA终端数据方案 LTE终端方案 LTE终端芯片平台方案,Page 31,数据来源：i
13、Suppli,LTE FDD基带芯片市场份额（全球，2013 Q3）,高通和三星占有LTE FDD基带市场95%以上的市场份额。 高通市场占比超过75%，仍处于绝对领先地位。,Page 32,数据来源：iSuppli,LTE TDD基带芯片市场份额（全球，2013 Q3）,LTE TDD基带芯片市场呈一大三小的格局，高通仍占主导地位。 展讯、Marvell、海思三家约占市场50%的份额。,2核 1.2-1.4GHz LTE FDD/TDD Cat3 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,现有方案以高通方案为主，包括低端的8930、8930AB，高端的8960、8960Pro、8974。 小
14、S样机以8930平台为主，单卡设计，支持CDMA+LTE FDD的SV-LTE。由于高通未提供基于8930、8960的QRD方案，因此只能有实力的厂商自行研发。 VIA+GCT方案需要GCT LTE基带、VIA CDMA基带、应用处理器三颗芯片，成本较高。,2012 2013 Q1 2013 Q2 2013 Q3 2013 Q4,MSM 8960,MSM 8930,高档 LTE,中档 LTE,入门LTE,LTE终端芯片平台方案：现有方案,MSM 8930AB,MSM 8974,单核AP,2核 1.5GHz LTE FDD/TDD Cat3 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,2核 1.7
15、GHz LTE FDD/TDD Cat3 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,4核 2.2GHz LTE FDD/TDD Cat4 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,2核 1.7GHz LTE FDD/TDD Cat3 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,芯片上市,重点方案,2核 1.2-1.4GHz LTE FDD/TDD Cat3 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,Page 34,2012年 2013 Q3 2013 Q4 2014 Q1 2014 Q2 2014 Q3 2014 Q4,MSM 8960/Pro,MSM 8930,MSM 8930AB,重点方案,
16、LTE终端芯片平台方案：高通方案,高通2013年Q4后推出的LTE芯片均支持CDMA+GSM双待双通，WCDMA(GSM)+GSM双待双通 高通2013年Q4后退出的LTE芯片均为4核，支持LTE Cat4，即FDD最大速率150/50Mbps 高通在中低端LTE芯片8926/8928上开发QRD方案。11底CS FDD的SV-LTE方案（该版本无法升级)，2014年2月中CS TDD的SV-LTE方案，3月中CS FDD的SV-LTE方案，4月CS双卡SV-LTE方案。,高档 LTE,中档 LTE,入门LTE,2核 1.5-1.7GHz LTE FDD/TDD Cat3 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,4核 2.2GHz LTE FDD/TDD Cat4 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,2核 1.7GHz LTE FDD/TDD Cat3 WCDMA/GSM/TD CDMA 单卡,4核 1.4-1.6GHz LTE
