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1、非晶硅薄膜电池激光工艺介绍,目录,设计基本介绍 激光机简介 激光器介绍 工艺标准具体介绍 附件,芯片段工艺流程图,磨边,清洗一,PECVD,二维码/P1,清洗二,预热,清洗那边三,P4,P3,PVD,P6,退火,反压,P2,芯片电性能测试,芯片段,P5激光绝缘刻线,磨边清洗,P7异形激光扫边,P8激光打孔,芯片切割,组件最终电性能测试灌胶,中空工艺,修边,高压釜,层压/辊压,自动/手动组装,组件段工艺流程图,装接线盒,清洁包装,BIPV工艺流程与相关工段,P1,P2,P3,激光在工艺过程中作用： 分割标准件成子电池； 让子电池形成串联； 绝缘和可靠性处理； 形状切割需求,激光 气浮支撑基片 采
2、用检测级大理石作为主体基座，确保整机刚性和消除工作台对激光头的震动干涉；,加工系统,CCD(Charge Coupled Device)图像智能定位系统 P2、P3刻蚀时，以P1第一条线为定位基准； CCD定位系统保证三层膜相邻三条线的平行度,激光机构成介绍,定位系统,TCO、a-Si和背电极分别对应1064nm红外激光和532nm绿激光。1064nm红外激光器可调功率9-11W，532nm红外激光器可调功率0.6-0.9W,激光系统,刻蚀区一侧采用吹气设备把刻蚀产生的尘埃吹离刻蚀区域，在相反的一侧采用吸气设备吸收气体及尘埃,激光机构成介绍,除尘系统,PC主控制系统，人机界面友好 配备警示灯、
3、蜂鸣器、急停、激光安全锁等安全警示、开关；电源：三相380+/-38VAC，12kW，50/60Hz；压缩空气压力5kg/cm2以上,控制系统,激光刻划示意,进料,P2/P3刻划,出料,定位,捕捉P1,刻划P2P3,激光器具体介绍,基本组成 泵浦源 工作物质 谐振腔,激光产生的过程 1、泵浦源发出强光照射工作物质，工作物质吸收光子，电子经过能级跃迁，发出另一种波长的光。 2、新产生的光在谐振腔内往复震荡，得到高能量密度和高指向性的光。 3、通过Q开关，倍频晶体，光路等过程，对光进行调整得到我们需要的激光。 我们现场所用激光泵浦源发出808nm的光，工作物质发出1064nm的光,激光器具体介绍,
4、特点 单色性、相干性、方向性、高亮度,分类 气体激光器:长范围紫外到远红外阶段 液体激光器:在医疗或物质分析方面有广泛作用，波长覆盖范围321nm-1.168um 固体激光器:以红宝石和石榴石两类激光为代表，通常有较大的功率输出。波长范围可见光、近红外波段.例掺钕钇铝石榴石（简称Nd:YAG，波长1.064um） 半导体激光器:一般为0.61.55微米，主要在近红外波段。,激光器关键参数对工艺影响,工作物质 P1，P2，P3激光器所需波长不同，但可用同一物质通过倍频器实现频率变化 调Q与锁模作用 普通脉冲激光器输出波形由一系列不规则的尖峰脉冲组成,通过调Q压缩脉冲宽度，提高峰值功率 波长与能量
5、匹配于切割材料的选择 切割材料与不需切割材料的晶体性质决定激光波长与能量选择 绿光对硅的破坏阈值远低于对TCO的破坏阈值,2020/7/26,关注要点 线宽、线貌、重叠率、光斑，绝缘性 可调参数 加工台移动速度、焦距、电流、频率,激光工艺关键参数对工艺影响,监控工具 显微镜、卡尺、万用表等,P5,P6,激光刻划效果图,激光一未刻断,光斑变形,线距编大,总线宽过宽,刻线相交,扫边膜层未完全去除,激光常见不良,不同激光工序参数以及刻划膜层,激光工艺具体介绍,不同激光工序刻划作用,激光工艺具体介绍,目的 加工方式 工艺选择 检测标准 异常处理,激光P1,目的 加工方式 工艺选择 检测标准 异常处理,激光P2,目的 加工方式 工艺选择 检测标准 异常处理,激光P3,目的 加工方式 工艺选择 检测标准 异常处理,激光P4,目的 加工方式 工艺选择 检测标准 异常处理,激光P5/异形,异形绝缘线,目的 加工方式 工艺选择 检测标准 异常处理,激光P6,附件制程管控与检验,附件制程管控与检验,附件制程管控与检验,附件制程管控与检验,附件制程管控与检验,附件制程管控与检验,附件制程管控与检验,Thank you！,
