高频习题课课件

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1、32 一晶体管组成的单回路中频放大器,如图所示。已知fo=465kHz,晶体管经中和后的参数为:gie=0.4mS,Cie=142pF,goe=55S,Coe=18pF,Yie=36.8mS,Yre=0,回路等效电容C=200pF,中频变压器的接入系数p1=N1/N=0.35,p2=N2/N=0.035,回路无载品质因数Q0=80,设下级也为同一晶体管,参数相同。试计算:,(1)回路有载品质因数 QL和 3 dB带宽 B0.7; (2)放大器的电 压增益; (3) 中和电容值。(设Cbc=3 pF),解: 根据已知条件可知,能够忽略中和电容和yre的影响。得,34 三级单调谐中频放大器,中心频

2、率f0=465 kHz,若要求总的带宽 B0.7=8 kHZ,求每一级回路的 3 dB带宽和回路有载品质因数QL值。,解: 每一级带宽相同,设为B1,,答:每级带宽均为15.7kHz,有载品质因数为29.6。,38 高频功放的欠压、临界、过压状态是如何区分的?各有什么特点?当EC、Eb、Ub、RL四个外界因素只变化其中的一个时,高频功放的工作状态如何变化?,答: 由动态特性曲线的A点位置处在放大区、临界线、饱和区来区分: A点处于放大区时的工作状态叫欠压状态,该状态电压利用率相对较低,输出功率和效率都比较低。 A点处于饱和区时的工作状态叫过压状态,此时集电极电流脉冲出现平顶凹陷,输出电压基本不

3、发生变化,电压利用率较高。 A点处于放大区和饱和区的分界线即临界线时,叫临界状态。此时的输出功率和效率都比较高。,当单独改变RL时,随着RL的增大,工作状态的变化是从欠压逐步变化到过压状态。 当单独改变EC时,随着EC的增大,工作状态的变化是从过压逐步变化到欠压状态。 当单独改变Eb时,随着Eb的负向增大,工作状态的变化是从过压逐步变化到欠压状态。 当单独改变Ub时,随着Ub的增大,工作状态的变化是从欠压逐步变化到过压状态。,39 已知高频功放工作在过压状态,现欲将它调整到临界状态,可以改变哪些外界因素来实现,变化方向如何?在此过程中集电极输出功率如何变化?,答: 可以通过采取以下措施 减小激

4、励Ub,集电极电流Ic1和电压振幅UC基本不变(略减),输出功率基本不变(略减) 。 增大基极的负向偏置电压,集电极电流Ic1和电压振幅UC基本不变(略减) ,输出功率和基本不变(略减) 。 减小负载电阻RL,集电极电流Ic1增大,IC0也增大,电压振幅UC略减,输出功率上升。 增大集电极电源电压,Ic1、IC0和UC增大,输出功率也随之增大。,312 某高频功放工作在临界伏态,通角 =75o”,输出功率为 30 W,Ec=24 V,所用高频功率管的SC=1.67V,管子能安全工作。(1)计算此时的集电极效率和临界负载电阻; (2)若负载电阻、电源电压不变,要使输出功率不变。而提高工作效率,问

5、应如何凋整? (3)输入信号的频率提高一倍,而保持其它条件不变,问功放的工作状态如何变化,功放的输出功率大约是多少?,解: (1),或利用临界线方程:,(2)可增加负向偏值,但同时增大激励电压,保证IC1不变,但这样可使导通角减小,效率增加。 (3)由于频率增加一倍,谐振回路失谐,集电极阻抗变小,电路由原来的临界状态进入欠压状态,输出幅度下降,故使输出功率和效率都下降。对于2的频率,回路阻抗为:,因此,输出功率下降到原来的2/3Q倍。,316 改正图示线路中的错误,不得改变馈电形式,重新画出正确的线路。,改正后的电路图,317 试画出一高频功率放大器的实际线路。要求(1)采用NPN型晶体管,发

6、射极直接接地;(2)集电极用并联馈电,与振荡回路抽头连接;(3)基极用串联馈电,自偏压,与前级互感耦合。,解:根据要求画出的高频功率放大器电路如下,318 一高频功放以抽头并联回路作负载,振荡回路用可变电容调谐。工作频率f=5 MHZ,调谐时电容 C=200 PF,回路有载品质因数QL=20,放大器要求的最佳负载阻抗RLr=50 ,试计算回路电感L和接入系数 P。,解:,321 如图示互感耦合输出回路,两回路都谐振,由天线表 IA测得的天线功率PA=10 W,已知天线回路效率 2=0 .8。中介回路的无载品质因数 QO=100,要求有载品质因数QL=10,工作于临界状态。问晶体管输出功率P1为

7、多少?设在工作频率L1=50,试计算初级的反映电阻rf,和互感抗M。当天线开路时,放大器工作在什么状态?,当天线开路时,反射电阻为零,初级回路等效并联阻抗增大,放大器将从临界状态进入过压状态。,43 图示是一三回路振荡器的等效电路,设有下列四种情况:(1) L1C1L2C2L3C3;(2)L1C1L3C3;(4)L1C1L2C2=L3C3。 试分析上述四种情况是否都能振荡,振荡频率f1与回路谐振频率有何关系?,解:根据给定条件,可知 (1)fo1f02f03,因此,当满足fo1f02ff03,就可能振荡,此时L1C1回路和L2C2回路呈感性,而L3C3回路呈容性,构成一个电感反馈振荡器。 (3

8、)fo1=f02f02=f03不能振荡,因为在任何频率下,L3C3回路和L2C2回路都呈相同性质,不可能满足相位条件。,44 试检查图示的振荡器线路,有哪些错误?并加以改正。,解: 改正过的电路图如下,48 在图示的电容三端式电路中,试求电路振荡频率和维持振荡所必须的最小电压增益。,解:,4-9 图示是一电容反馈振荡器的实际电路,已知C1=50 pF,C2=100 pF,C3= 10260pF,要求工作在波段范围,即f=1020MHz,试计算回路电感L和电容C。设回路无载Q0=100,负载电阻R=1k,晶体管输入电阻Ri=500若要求起振时环路增益K0kF=3,问要求的跨gm和静态工作电流 I

9、cQ必须多大?,共基极交流电路,Re,C1,C2,R,T,C3,L,解:,(按共基组态分析),反馈系数:,集电极接入系数:,空载电导:,负载电导:,谐振回路总电导:,折算到集电极的电导:,输入电导:,起振条件:,(按共射组态分析),415 图示是两个实用的晶体振荡器线路,试画出它们的交流等效电路,并指出是哪一种振荡器,晶体在电路中的作用分别是什么?,解:交流等效电路如下,图(a)电路是一个并联泛音晶体振荡器,晶体在电路中为等效电感,使电路构成电容反馈振荡器。 图(b)电路是一个串联晶体振荡器,晶体在电路中为选频开关。,416 试画出一符合下列各项要求的晶体振荡器实际线路; (1)采用NPN高频三极管; (2)采用泛音晶体的皮尔斯振荡电路; (3)发射极接地,集电极接振荡回路避免基频振荡。,解:所设计的电路如图,解4-10 (1)交流等效图如下,(a)是一个西勒振荡器,当忽略15pF的电容后,是一个电容三点式反馈振荡器;(b)是一个电容三点式反馈振荡器,(2),对于(b)电路,答:该电路的振荡频率可在2.285MHz到2.826MHz范围内调节。,因此,该电路的的反馈系数随着振荡频率的调节也发生改变,近似值为0.9,

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