项目管理项目报告200MW建设项目环境影响报告书样本

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1、n更多企业学院: 中小企业管理全能版183套讲座+89700份资料总经理、高层管理49套讲座+16388份资料中层管理学院46套讲座+6020份资料国学智慧、易经46套讲座人力资源学院56套讲座+27123份资料各阶段员工培训学院77套讲座+ 324份资料员工管理企业学院67套讲座+ 8720份资料工厂生产管理学院52套讲座+ 13920份资料财务管理学院53套讲座+ 17945份资料销售经理学院56套讲座+ 14350份资料销售人员培训学院72套讲座+ 4879份资料n更多企业学院: 中小企业管理全能版183套讲座+89700份资料总经理、高层管理49套讲座+16388份资料中层管理学院46

2、套讲座+6020份资料国学智慧、易经46套讲座人力资源学院56套讲座+27123份资料各阶段员工培训学院77套讲座+ 324份资料员工管理企业学院67套讲座+ 8720份资料工厂生产管理学院52套讲座+ 13920份资料财务管理学院53套讲座+ 17945份资料销售经理学院56套讲座+ 14350份资料销售人员培训学院72套讲座+ 4879份资料苏州阿特斯阳光电力科技有限公司年产太阳能电池片200MW建设项目环境影响报告书简本一、项目简况项目名称:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司年产太阳能电池片200MW建设项目建设单位:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司建设规模:年产太阳能电池片200MW建设性质

3、:外商独资扩建建设地点:江苏省苏州高新区鹿山路199号厂区二期厂房预留车间内(一楼)投资总额9980万美元占地面积:总占地66660m2(本项目车间5000m2),总绿化面积19205m2(不变)二、现有项目情况1、现有建设项目主体工程及产品方案现有建设项目主体工程及产品方案序号工程名称(车间、生产装置或生产线)产品名称及规格设计能力年运行时数1太阳能电池片多晶硅有铬生产线(6条线)太阳能电池片100MW/a48002太阳能电池片单晶硅无铬生产线(4条线)太阳能电池片100MW/a3太阳能电池组件组装线(6条线)太阳能电池组件100MW/a(6条线)*现有一期项目申报并通过审批的100MW/a

4、太阳能电池组件组装项目目前尚未建设、生产,并将取消该项目,今后也不再建设、生产;2、现有项目公用配套工程现有项目公用配套工程一览表项目建设名称设计能力备注贮运工程原料等由供应商负责送货汽车(8t/d)产品由本单位用专车辆负责送货汽车(5t/d)公用工程给水、排水、供热、供汽、供气、供电、绿化等输送最大管径25cm雨污分流变压器最大输送500KVA由高新区统一供水1200万度/年由高新区统一供电绿化23685平方米厂房施工时实施环保工程废气处理酸碱雾洗涤塔4套(4个15米排气筒)一期项目已建设实施(8个排气筒)硅烷燃烧塔3套(3个15米排气筒)活性炭吸附塔1套(1个15米排气筒)酸碱废气洗涤塔处

5、理系统1套(1个25米排气筒)二期扩建项目已建设实施(5个排气筒)铬酸雾废气洗涤+塔处理系统1套(1个25米排气筒)有机废气活性炭吸附系统1套(1个20米排气筒)硅烷燃烧塔1套(1个20米排气筒)多孔碳酸钙+活性炭吸附塔1套(1个25米排气筒)制纯水设施膜过滤纯水设施(设计规模100t/h)一期项目已建设实施膜过滤制纯水设施(设计规模200t/h)二期扩建项目已建设实施废水处理酸碱废水处理+混凝沉淀系统(设计规模100t/h)一期项目已建设实施酸性废水处理+混凝沉淀系统(设计规模200t/h)二期扩建项目已建设实施含氢氟酸废水处理设施(设计规模50t/h)含铬酸废水处理设施(设计规模50t/h

6、)废水(尾水)后续处理系统(设计规模200t/h)固废处理零排放有资质单位回收处理不产生二次污染危废临时贮存场所50一、二期项目共建实施一般工业固废贮存场所50成品仓库100一般原料仓库100气罐区30危险品仓库100噪声隔音设施、合理布局、厂界绿化隔音已实施辅助工程办公建筑面积1174m2已实施用餐地点面积100m2门卫室1个依托工程苏州新区第二污水处理厂设计日处理8万吨/天,一期4万吨/天,运营稳定3、现有(一期)项目生产工艺流程简述及产污环节(1)一期项目工艺流程硅片腐蚀(制绒)、制纯水废水579.62清损耗6.262洗96.3自来水硅片甩干硅片扩散去硅玻璃硅片甩干加减反射膜硅片背面印刷

7、银铝浆W3 清排水烘干硅片背面印刷铝浆烘干硅片正面印刷银浆烧结刻蚀太阳能电池片纯水、N2POCl3、N2、O2纯水、HF纯水、N2SiH4、NH3、N2银铝浆铝浆银浆CF4、O2G1 HCl、HF、H2、异丙醇W1含 HF、HCl废水;W2含NaOH废水S1 含碱、异丙醇废液W3 清排水W5 清排水G2 Cl2、P2O5G4 HF、SiF4W4含 HF废水G5 NH3、SiH4S2 少量废铝浆G6 少量有机物S3 少量废铝浆G7 少量有机物S4 少量废银浆G8 有机物 G3 CF4、SiF4NaOH、异丙醇、HCl、HF、纯水委外加工单晶硅片(单晶电池片)现有项目生产工艺流程图(一期项目)一期

8、项目主要工序流程简述:1.硅片腐蚀(制绒)、清洗:P型单晶硅薄片,经碱腐蚀清洗烘干,制绒主要是使用碱性溶液腐蚀硅表面形成绒面。清洗主要是处理制绒后的硅片表面,使其净化,用氢氟酸清洗残留的碱性物质,接着用盐酸去除表面残留的物质,最后再用纯水清洗。此过程有废气产生,废气中含有HCl、HF、H2;此工序还有碱性废水、酸性废水产生,碱性废水中主要含有氢氧化钠,酸性废水中主要含盐酸、氢氟酸;另外在碱腐蚀过程还会有碱性废液产生,其中含有较高浓度的异丙醇。碱腐蚀的反应方程式为:2NaOH+Si+H2O=NaSiO3+2H22.硅片扩散:硅片扩散也称磷扩散,是在氧气存在的条件下,磷源分解在硅中扩散而形成P-N

9、结,POCl3为电子级纯度,在过程中所起作用是为扩散提供磷源,各反应化学式如下:5POCl3=3PCl5+P2O52P2O5+O2+6Si=4P+6SiO24PCl5+5O2=2P2O5+10Cl24POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2因而硅片扩散工序,有废气产生,该废气成分有P2O5、Cl2等。3.刻蚀:主要是去除边缘的N型硅,此工序为干法刻蚀,主要是利用四氟化碳和硅以及氧气的反应来去除边缘硅,其化学反应式为:CF4+Si+O2=SiF4+CO2因而此工序有未反应完全的四氟化碳和反应生成的四氟化硅气体逸出。4.去硅玻璃(PSG):主要是用氢氟酸腐蚀硅片表面的氧化层,即清除硅片表面的SiO

10、2层,反应生成为微量的SiF4和H2SiF62-少量的络合物,其一起进入酸性废水处理。因而此工序会有少量的氢氟酸和四氟化硅挥发。5.加减反射膜:利用硅烷、氨气之间的反应在硅片表面形成一层加减反射膜,N2不发生反应,作为保护气体,此工序会有少量的氨气和硅烷挥发。6.丝网印刷(即在硅片上印刷铝浆、银浆、银铝浆):使用浆料印刷电极,使之形成良好接触,收集电流。主要是使用银浆,铝浆,银铝浆,一般由金属粉末和有机溶剂以及固体树脂构成,经过烧结后有机溶剂和固体树脂都被挥发,剩余金属与硅形成合金层。7烧结烧结工序主要是将印刷好银浆、铝浆、银铝浆的电极放入烧结炉中,使浆料中的水分、树脂及某些有机物挥发出来。烧

11、结自然冷却后即为成品单晶硅太阳能电池片。(2)二期扩建项目工艺流程(多晶电池片)G10有机物太阳能电池片G3 Cl2 G4P2O5委外加工多晶硅片G1铬酸雾、HFG2 HCl、HF、异丙醇W1含铬、HF废水W2 HF、HCl废水S1 含铬、异丙醇废液三氧化铬、HF、纯水异丙醇、HCl烧结S4 少量废银浆银浆G9少量有机物S3 少量废铝浆铝浆G8 少量有机物S2 少量废铝银浆银铝浆G7 NH3、SiH4SiH4、NH3、N2W5 清排水纯水、N2G6 HF、SiF4W4含 HF废水纯水、HFG5 CF4、SiF4CF4、O2POCl3、N2、O2W3 清排水纯水、N2硅片正面印刷银浆烘干硅片背面

12、印刷铝浆烘干硅片背面印刷银铝浆加减反射膜硅片甩干去硅玻璃硅片扩散刻蚀硅片甩干硅片腐蚀(制绒)清洗二期扩建项目主要工序流程简述1.硅片腐蚀(制绒)、清洗:二期扩建项目使用原材料为P型多晶硅薄片,使用碱腐蚀已无法满足产品质量需求,因此本扩建项目使用铬酸腐蚀硅表面形成绒面(使用浓度约在1.25%)。清洗主要是处理制绒后的硅片表面,使其净化,用氢氟酸清洗残留的碱性物质,接着用盐酸去除表面残留的物质,最后再用纯水清洗。此过程有废气产生,废气中含有铬酸雾、HCl、HF、H2;此工序还有含铬废水、含氟废水、酸性废水产生,同时产生一定的废液,其中含有较高浓度的异丙醇。2.硅片扩散:硅片扩散也称磷扩散,是在氧气

13、存在的条件下,磷源分解在硅中扩散而形成P-N结,POCl3为电子级纯度,在过程中所起作用是为扩散提供磷源,各反应化学式如下:5POCl3=3PCl5+P2O52P2O5+O2+6Si=4P+6SiO24PCl5+5O2=2P2O5+10Cl24POCl3+3O2=2P2O5+6Cl2因而硅片扩散工序,有废气产生,该废气成分有P2O5、Cl2等。3.刻蚀:主要是去除边缘的N型硅,此工序为干法刻蚀,主要是利用四氟化碳和硅以及氧气的反应来去除边缘硅,其化学反应式为:CF4+Si+O2=SiF4+CO2因而此工序有未反应完全的四氟化碳和反应生成的四氟化硅气体逸出。4.去硅玻璃(PSG):主要是用氢氟酸腐蚀硅片表面的氧化层,即清除硅片表面的SiO2层,反应生成为为微量的SiF4和H2SiF62-少量的络合物,其一起进入酸性废水处理。因而此工序会有少量的氢氟酸和四氟化硅挥发。5.加减反射膜:利用硅烷、氨气之间的反应在硅片表面形成一层加减反射膜,N2不发生反应,作为保护气体,此工序会有少量的氨气和硅烷挥发。6.丝网印刷(即在硅片上印刷铝浆、银浆、银铝浆):使用浆料印刷电极,使之形成良好接触,收集电流。主要是使用银浆,铝浆,银铝浆,一般由金属粉末和有机溶剂以及固体树脂构成,经过烧结后有机溶剂和固体树脂都被挥发,剩余金属与硅形成合金层。7烧结烧结工序主要是将印刷好银浆、铝浆

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