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1、n国内外区熔硅单晶生产技术工艺发展路径及商业应用前景咨询报告区熔硅单晶也称区熔硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。区熔硅单晶是电力电子器件的关键材料。区熔硅单晶是较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率。区熔硅单晶采用的多晶硅材料成本大大高于直拉单晶硅所用材料，而其产品销售价格也数倍于直拉单晶。半导体单晶硅材料行业的高速发展，有利于分立器件行业的发展；如果上游行业处于低谷，而分立器件行业没有采取相应的应对策略，则分立器件行业亦将进入低谷。中国市场来说，区熔硅单晶的生产商只有几家。从全球来看，该趋势全球并购也非常明显，我们认为，未来进一步的整合还会继续。目前全球区熔硅单晶产业
2、集中度已经较高，主要为日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco 收购），丹麦TOPSIL、德国Siltronic (由Wacker Chemie AG 控股)、中环股份（环欧）等五家公司。目 录第一章 中国区熔硅单晶产品发展现状分析第一节 区熔硅单晶行业发展现状一、2010年国内区熔硅单晶行业发展概况二、国内区熔硅单晶行业企业竞争格局第二节 区熔硅单晶行业产业政策一、产业政策二、技术壁垒三、人民币升值影响分析第三节 区熔硅单晶产品供求格局一、2008-2010年区熔硅单晶市场产品总产量统计二、2008-2009年区熔硅单晶市场细分产品产量统计三、2005-
3、2010年区熔硅单晶市场产品市场容量统计四、2010-2012年我国区熔硅单晶市场供求预测第四节 区熔硅单晶行业产业链构成模型分析一、区熔硅单晶行业产业链构成二、区熔硅单晶行业产业链模型分析第二章 2008-2009年区熔硅单晶产品生产技术市场调查第一节 区熔硅单晶产品构成一、区熔硅单晶行业产品分类标准二、区熔硅单晶行业主要产品市场份额第二节 国内区熔硅单晶产品生产技术应用现状第三节 国外区熔硅单晶产品生产技术应用现状第四节 我国区熔硅单晶产品技术应用成熟度分析第五节 区熔硅单晶产品生产技术与应用市场关系第三章 2008-2009年区熔硅单晶当前生产工艺革新路径第一节 区熔硅单晶生产工艺介绍第
4、二节 区熔硅单晶生产工艺发展历程第三节 国外区熔硅单晶生产工艺发展阶段比较第四节 我国区熔硅单晶生产工艺革新路径第五节 国内区熔硅单晶生产设备介绍第六节 国内区熔硅单晶生产设备应用现状第七节 我国区熔硅单晶技术研发现状第四章 国内外典型区熔硅单晶企业生产技术工艺应用调查第一节 中环股份一、企业基本情况二、企业技术发展历程三、企业技术实力分析第二节 企业生产技术工艺应用情况一、企业区熔硅单晶产品生产技术选择二、企业区熔硅单晶工艺设备配置三、企业区熔硅单晶生产技术研发与革新状况第五章 国内外区熔硅单晶产品技术工艺研发动态第一节 国内区熔硅单晶产品技术工艺研发动态第二节 国外区熔硅单晶产品技术工艺研
5、发动态第三节 2011-2012年区熔硅单晶技术工艺研发趋势分析第四节 国内外企业竞争力对比分析1. 研发竞争力分析2. 生产竞争力分析3. 销售竞争力分析4. 管理竞争力分析第五节 国外主要代表性企业研究一、德国瓦克（Wacker Chemie AG）二、日本信越（Shin-Etsu Handotai）三、日本小松四、丹麦Topsil第六节 区熔硅单晶产品现行技术同类替代技术发展第六章 2009-2012年区熔硅单晶产品技术工艺应用前景研判第一节 国外区熔硅单晶产品技术工艺应用前景第二节 我国区熔硅单晶技术工艺应用前景第三节 我国区熔硅单晶技术工艺发展对行业项目投资的影响第七章 我国区熔硅单
6、晶行业典型投资项目分析第一节 项目总投资估算一、固定资产建设投资估算二、流动资金估算三、项目总投资第二节 资金筹措及投资计划一、资金来源与出资方式二、项目筹资方案三、投资使用计划四、借款偿还计划第三节 项目财务评价一、计算依据及相关说明二、总成本费用估算三、销售收入、销售税金及附加和增值税估算四、损益及利润及分配第四节 盈利能力分析一、投资利润率，投资利税率二、财务内部收益率、财务净现值、投资回收期三、项目财务现金流量表四、项目资本金财务现金流量表五、盈亏平衡分析六、敏感性分析第五节 效益分析一、经济效益二、社会效益第八章 2010-2012年区熔硅单晶市场行情第一节 市场状况分析及预测（20
7、10-2012年）第二节 供需状况分析及预测（2010-2012年）第三节 进出口状况分析一、2005-2010年区熔硅单晶市场产品进口量统计二、2008-2009年区熔硅单晶市场产品出口量统计三、2010-2012年区熔硅单晶市场产品出口预测第九章 区熔硅单晶销售策划第一节 国内外市场分布第二节 部分国内需求厂家及联系方式第三节 部分国外需求厂家及联系方式第十章 区熔硅单晶技术开发、项目投资、生产及销售注意事项第一节 产品技术开发注意事项第二节 项目投资注意事项第三节 产品生产注意事项第四节 产品销售注意事项第十一章 华经纵横主要研究结论及策略建议第一节 策略建议主要理论及数据支持说明第二节
8、 针对客户需求给出独家策略建议一、宏观策略角度二、中观产业角度三、微观企业角度第一章 中国区熔硅单晶产品发展现状分析第一节 区熔硅单晶行业发展现状 一、2010年国内区熔硅单晶行业发展概况区熔硅单晶也称区熔硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。区熔硅单晶是电力电子器件的关键材料。区熔硅单晶是较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高电阻率。区熔硅单晶采用的多晶硅材料成本大大高于直拉单晶硅所用材料，而其产品销售价格也数倍于直拉单晶。半导体单晶硅材料行业的高速发展，有利于分立器件行业的发展；如果上游行业处于低谷，而分立器件行业没有采取相应的应对策略，则分立器件行业亦将进入低谷。二、国内区
9、熔硅单晶行业企业竞争格局中国市场来说，区熔硅单晶的生产商只有几家。从全球来看，该趋势全球并购也非常明显，我们认为，未来进一步的整合还会继续。目前全球区熔硅单晶产业集中度已经较高，主要为日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco 收购），丹麦TOPSIL、德国Siltronic (由Wacker Chemie AG 控股)、中环股份（环欧）等五家公司。第二节 区熔硅单晶行业产业政策 一、产业政策高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高端微电
10、子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，也显示出巨大的应用前景。区熔硅单晶的具有重要的战略意义，2011年科技重大专项项目指南中，我们看到了区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制项目。面向高压大功率IGBT芯片产品制造需求，我国研究开发直径150mm和200mm区熔硅单晶片产业化技术，形成性能稳定的批量生产能力；满足1200V3300V IGBT芯片产业化对区熔硅单晶的要求和45006500V以上IGBT芯片的研制需求。2012年提供生产线用户考核认证，2013年形成5000片/月以上的销售。研究开发国产区熔单晶炉，2012年进入生产线考核并通过用户验证，形成批量供货，提供I
11、GBT材料项目使用。主要产业政策如下：1、调整和振兴规划出台电子信息产业企稳回升态势明朗2009年4月15日电子信息产业调整和振兴规划发布。规划提出，今后三年电子信息产业要围绕计算机、电子元器件、视听产品、集成电路、新型显示器件、软件、通信设备、信息服务、信息技术应用等9个重点领域，完成确保骨干产业稳定增长、战略性核心产业实现突破、通过新应用带动新增长三大任务。2、3G牌照发放通信制造业保持平稳发展 工业和信息化部1月7日正式宣布，批准中国移动通信集团公司增加基于TD-SCDMA技术制式的第三代移动通信(3G)业务经营许可，中国电信集团公司增加基于CDMA2000技术制式的3G业务经营许可，中
12、国联合网络通信集团公司增加基于WCDMA技术制式的3G业务经营许可。中国电信业全面进入3G时代。2009年前10个月，我国3G发展总体进展顺利，3G用户总数达到977万，其中中国移动TD用户达到394万。 3、物联网等新业态兴起战略性新兴产业成为新增长点 2009年8月，温家宝总理指示要加快传感网研究，把传感系统和3G中的TD技术结合起来，尽快建立“感知中国”中心。9月，中国传感器网络标准工作组成立。除了物联网以外，以可再生能源技术、节能减排技术、清洁煤技术及核能技术支撑的新能源产业，以传感网、物联网关键技术、后IP时代相关技术支撑的信息网络产业，以微电子及光电子材料和器件、新型功能材料、高性
13、能结构材料、纳米技术和材料支撑的微电子和光电子材料和器件产业，以医疗器械关键核心技术支撑的先进医疗设备制造等，逐渐成为战略性新兴产业和新的经济增长点。下游的推动将会直接扩大区熔硅单晶市场需求。从世界范围来讲，我国出台十项措施时机选得比较好，是对金融危机的危险性看准摸清了火候到了的时候才出手的。我国出台十项措施对我国的区熔硅单晶行业也是利好，有利于企业自主创新和结构调整，有利于技术进步和产业升级。我国的人民币汇率实现了有限的浮动政策，人民币的升值压力逐渐释放。我国货币的升值不可避免的使得进口产品的价格竞争力增加。区熔硅单晶市场的价格目前还处于高位运行，国内外产商均通过维持市场高价来获取高额利润。
14、如果我国的汇率继续向着人民币升值的方向发展，将会有利于我国进口。预计未来几年随着我国汇率的调整和人民币的升值，国内的区熔硅单晶进口价格的下降趋势，这主要体现在我国人民币升值带来的一系列好处。与此同时，国外市场的疲软，对于国内区熔硅单晶行业来说是一个好机会，引入技术和设备的成本也比较低，将很好的促进国内区熔硅单晶行业的技术更新和产品改造工作，也降低了国内区熔硅单晶的成本和价格。二、技术壁垒高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制，最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。由于技术封锁，研制和生产大直径区熔硅单晶的工艺条件需要摸索，特别是加热线圈结构和
15、拉晶参数。购买国际先进的技术仪器，仿效学习并研发出自己的技术，前期购买仪器成本太高，一般的小型公司难以承担先进的Typ-FZ系列仪器高昂的价格。因此，国内企业只有在生产中不停地摸索，克服技术壁垒，逐步研发并填补我国大直径区熔硅单晶生产技术的空白。在半导体单晶硅材料产业链中，多晶硅是生产硅单晶的原料，是半导体器件的上游基础材料。2006年国内包括半导体器件和硅晶体太阳能电池的多晶硅年需量超过10,000吨，而国内的生产能力仅为300吨/年左右，因此多晶硅材料绝大部分依赖进口。单晶硅材料的支撑体系薄弱，所需的关键设备和检测仪器主要依赖进口，形成了产品更新一代就必须从国外引进新一代设备的局面，这就客观上加大了产业发展的投入，在一定程度上制约了国内半导体材料企业的发展。三、人民币升值影响分析我国的人民币汇率实现了有限的浮动政策，人民币的升值压力逐渐释放。我国货币的升值不可避免的使得进口产品的价格竞争力增加。区熔单晶硅市场的价格目前还处于高位运行，国内外产商均通过维持市场高价来获取高额利润。如果我国的汇率继续向着人民币升值的方向发展，将会有利于我国进口。预计未来几年随着我国汇率的调整和人民币的升值，国内的
