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1、双极型半导体三极管的特性曲线,这里，B表示输入电极，C表示输出电极，E表示公共电极。所以这两条曲线是共发射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间。 iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E 两电极取出。,输入特性曲线 iB=f(vBE) vCE=const 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const,本节介绍共发射极接法三极管的特性曲线，即,共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示。,图02.04 共发射极接法的电压-电流关系,简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论iB和vBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响
2、，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。 为了排除vCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使vCE=const(常数)。,(1) 输入特性曲线,vCE的影响，可以用三极管的内部反馈作用解释，即vCE对iB的影响 。,共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增 加时，曲线右移很不明 显。曲线的右移是三极 管内部反馈所致，右移 不明显说明内部反馈很 小。输入特性曲线的分 区：死
3、区 非线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线 线性区,当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE 1 V vBE 0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（动画2-2）,输出特性曲线可以分为三个区域:,饱和区iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的
4、下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。,放大区iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发 射结正偏，集电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。,半导体三极管的参数,半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 (1)直流参数 直流电流放大系数 1.共发射极直流电流放大系数 =（ICICEO）/IBIC / IB vCE=const,在放大区基本不变。在共发射极输出特性 曲线上，通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求 取IC / IB ，如图02.07所示。在IC较小时和IC较大 时， 会有所减小，这一关系见图02.08。,图02.08 值与IC的关系
5、,图 02.07 在输出特性曲线上决定,2.共基极直流电流放大系数 =（ICICBO）/IEIC/IE 显然 与 之间有如下关系: = IC/IE= IB/1+ IB= /1+ ,极间反向电流 1.集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。它相当于 集电结的反向饱和电流。,2.集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系 ICEO=（1+ ）ICBO 相当基极开路时，集电极和发射极间的反向 饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应 的Y坐标的数值。如图02.09所示。,图02.09 ICEO在输
6、出特性曲线上的位置,(2)交流参数 交流电流放大系数 1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const,在放大区 值基本不变，可在共射接法输出 特性曲线上，通过垂 直于X 轴的直线求取 IC/IB。或在图02. 08上通过求某一点的 斜率得到。具体方 法如图02.10所示。,图02.10 在输出特性曲线上求,2.共基极交流电流放大系数 =IC/IE VCB=const 当ICBO和ICEO很小时，、，可以不加区分。,特征频率fT 三极管的值不仅与工作电流有关，而且与 工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示
7、。,(3)极限参数 集电极最大允许电流ICM,如图02.08所示，当集电极电流增加时， 就 要下降，当值下降到线性放大区值的7030 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于值下降多少，不同型号的三极管， 不同的厂家的规定有 所差别。可见，当 ICICM时，并不表 示三极管会损坏。 图02.08 值与IC的关系,集电极最大允许功率损耗PCM,集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICVCBICVCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中 在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。,反向击穿电压,反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电 压的能力，其测试时的原理电
8、路如图02.11所示。 图02.11 三极管击穿电压的测试电路,1.V(BR)CBO发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。,2.V(BR) EBO集电极开路时发射结的击穿电压。,3.V(BR)CEO基极开路时集电极和发射极间的 击穿电压。 对于V(BR)CER表示BE间接有电阻，V(BR)CES表示BE间是短路的。几个击穿电压在大小上有如下关系 V(BR)CBOV(BR)CESV(BR)CERV(BR)CEOV(BR) EBO,由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流
9、区和击穿区，见图02.12。 图02.12 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区,半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B,第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管,第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,表02.01 双极型三极管的参数,注：*为 f,1.4.1 结型场效应三极管,(1) 结型场效应三极管的结构,图02.19 结型场效应三极管的结构,(2) 结型场效应三极管的工作原理,
10、现以N沟道为例说明其工作 原理。, 栅源电压对沟道的控制作用, 漏源电压对沟道的控制作用,VGD=VGS-VDS,(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线 图02.22 N沟道结型场效应三极管的特性曲线,(3)结型场效应三极管的特性曲线,2020/7/21,1.4.2 绝缘栅场效应三极管的工作原理,绝缘栅型场效应三极管MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)。分为 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道,(1)N沟道增强型MOSFET 结构,0VGSVGS(th),工作原理 1栅源电压VGS的控制作用,当VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的
11、 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。,VGS对漏极电流的控制关系可用 ID=f(VGS)VDS=const 这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。,进一步增加VGS，当VGSVGS(th) 时（ VGS(th) 称为开启电压)， 形成反型层。,随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGSVGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为 增强型MOS管。,图02.14 VGS对漏极电流的控制特性转移特性曲线,转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压 对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以 gm也称为跨导。跨导的定义式如
12、下 gm=ID/VGS VDS=const (单位mS),ID=f(VGS)VDS=const,当VDS为0或较小时相当VGDVGS(th)，沟道 呈斜线分布。,当VDS增加到使VGD=VGS(th)时，预夹断。,当VDS增加到VGDVGS(th)时， ID基本趋于不变。,当VGSVGS(th)，且固定为某一值时， VDS对ID的影响， 即ID=f(VDS)VGS=const这一关系曲线如图02.16所示。这 一曲线称为漏极输出特性曲线。,2漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用,2020/7/21,图02.16 漏极输出特性曲线,ID=f(VDS)VGS=const,(1) VDS 0，VG
13、S=0， ID不等于零。 （2）VGS0时，ID 。 （3）VGS0时，ID 。,(2)N沟道耗尽型MOSFET,图 N沟道耗尽型MOSFET的结构,(a) 结构示意图 (b) 转移特性曲线 图02.17 N沟道耗尽型MOSFET的结构 和转移特性曲线,(2)N沟道耗尽型MOSFET,(3)P沟道耗尽型MOSFET,P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流 子不同，供电电压极性不同而已。这如 同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。,图02.18 各类场效应三极管的特性曲线,绝缘栅场效应管,N 沟 道 增 强 型,P 沟 道 增 强 型,伏安特性曲线,绝缘栅
14、场效应管,N 沟 道 耗 尽 型,P 沟 道 耗 尽 型,结型场效应管,N 沟 道 耗 尽 型,P 沟 道 耗 尽 型,2.2.4 场效应三极管的参数和型号,(1) 场效应三极管的参数 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。, 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。, 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。, 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是1091015。, 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管的控制作用相似。gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。, 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。,
