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1、集成电路介绍,张剑,无所不在的集成电路,凡是带电池或者接电的都有集成电路 比如手机，Ipad，电视，笔记本，冰箱，汽车、飞机、轮船、导弹、卫星。,集成电路的前身：分立元件,二极管 （1947年）,三极管 （1947年）,MOS管 （1960年）,电子管 （1906年）,第一代电子计算机(ENIAC),1946年2月14日 18000个电子管 占地170平方米 重达30吨 每小时耗电约150千瓦 每秒钟可进行5000次运算 美国国防部用来进行弹道计算,什么是集成电路,通过一系列特定的加工工艺 将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件 按照一定的电路互连 “集成”在一块半导体单晶片（如硅或
2、砷化镓）上 封装在一个外壳内 执行特定电路或系统功能,集成电路的诞生,1952年5月，英国科学家达默第一次提出了集成电路的设想。 1958年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路 1959年 美国仙童/飞兆公司（ Fairchilds）的R.Noicy 诺依斯开发出用于IC的Si平面工艺技术，从而推动了IC制造业的大发展。,仙童公司制造的IC,诺伊斯,集成电路的诞生,单晶硅,集成电路晶圆,经过氧化、光刻、腐蚀、注入等工艺在晶圆上“刻画”出各个元件，再通过合金将元件连在一起，成为满足需要的集成电路,集成电路的诞生,平面工艺技术：三极管,三极管是一个电流控制开关
3、元件：be端输入电流大小决定ce端输出电流大小,e,b,c,P,N,N,线宽,P,N,N,e,b,c,侧面,正面,集成电路的发展,12个 晶体管 1962年,1000个 晶体管 1966年,10万个 晶体管 1973年,15万个 晶体管 1977年,1000万个 晶体管 1993年,1亿个 晶体管 1994年,集成电路的发展,1962年，线宽25um 1970年，线宽8um 2000年，线宽180nm 2018年，线宽7nm 1mm=1000um=1000 x1000nm 一根头发直径大约75um!,集成电路的发展,集成电路的发展,集成电路的集成度每18个月就翻一番，特征尺寸每3年缩小1/2。
4、,戈登摩尔先生,摩尔定律,硅原子直径0.22nm！,iPad mini4,2018年 面积0.03平方米 重300克 每小时耗电4.5瓦 每秒钟可进行30亿次运算 娱乐平板,5600倍,ENIAC,10万倍,3万倍,60万分之一,军用,中国集成电路现状,中国目前是世界上最大的芯片消费市场 我国集成电路自给率水平偏低，核心芯片缺乏 2018年我国集成电路自给率仅为15.35% 核心芯片自给率更低。比如计算机系统中的MPU、通用电子系统中的FPGA/EPLD和DSP、通信装备中的Embedded MPU和DSP、存储设备中的DRAM和Nand Flash、显示及视频系统中的Display Driv
5、er等，国产芯片占有率都几乎为零 2014年6月，颁布集成电路产业发展推进纲要，将半导体产业新技术研发提升至国家战略高度。,谢 谢！,Back Up,集成电路材料,硅片（Si）：直径30CM P型材料：捕获电子（硼 - P） N型材料：提供电子（磷 - N）,MOS介绍,MOS管是集成电路的基础单元。 压控开关 整个电路就像城市，MOS管就像房子,MOS介绍,电压,电流,MOS管工艺制造,侧面,正面,氧化,P,MOS管工艺制造,侧面,正面,多晶硅淀积,P,MOS管工艺制造,侧面,正面,涂胶,P,MOS管工艺制造,侧面,正面,光刻&曝光,P,MOS管工艺制造,侧面,正面,清洗,P,MOS管工艺制
6、造,侧面,正面,腐蚀,P,MOS管工艺制造,侧面,正面,N注入,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,去胶,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,氧化,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,涂胶,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,光刻&曝光,P,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,清洗,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,腐蚀,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,清洗,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,合金,P,N,N,N,N,MOS管工艺制造,侧面,正面,合金,P,N,N,N,N,S,D,G,S,D,G,MOS管工艺制造,划片,封装,
