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1、西企科环境技术有限公司 评价证书类别：乙 级环评报告2016 评价证书编号：第3604号西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司特大功率电力半导体器件性能产能提升和碳化硅器件研发项目环境影响报告表（送审稿）陕西企科环境技术有限公司二一六年十一月三十日建设项目环境影响报告表项 目 名 称：特大功率电力半导体器件性能产能提升 和碳化硅器件研发项目建设单位(盖章)：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 编制日期：2016年11月30日国家环境保护总局制建设项目环境影响报告表编制说明建设项目环境影响报告表由具有从事环境影响评价工作资质的单位编制。1、项目名称指项目立项批复时的名称，应不超过30个字（两
2、个英文字段作一个汉字）。2、建设地点指项目所在地详细地址，公路、铁路应填写起止地点。3、行业类别按国标填写。4、总投资指项目投资总额。5、主要环境保护目标指项目区周围一定范围内集中居民住宅区、学校、医院、保护文物、风景名胜区、水源地和生态敏感点等，应尽可能给出保护目标、性质、规模和距厂界距离等。6、结论与建议给出本项目清洁生产、达标排放和总量控制的分析结论，确定污染防治措施的有效性，说明本项目对环境造成的影响，给出建设项目环境可行性的明确结论。同时提出减少环境影响的其他建议。7、预审意见由行业主管部门填写答复意见，无主管部门项目，可不填。8、审批意见由负责审批该项目的环境保护行政主管部门批复。
3、项目名称：特大功率电力半导体器件性能产能提升和碳化硅器件研发项目文件类型：环境影响报告表 适用的评价范围：一般项目环境影响报告表 法定代表人：王晓平 （签章）主持编制机构：陕西企科环境技术有限公司 （签章）西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司特大功率电力半导体器件性能产能提升和碳化硅器件研发项目环境影响报告表编制人员名单表编制主持人姓名职（执）业资格证书编号登记（注册证）编号专业类别本人签名韩烨00015339B36040281000社会服务主要编制人员情况序号姓名职（执）业资格证书编号登记（注册证）编号编制内容本人签名1韩烨00015339B36040281000项目基本情况、评价适用标准
4、、工程分析、自然环境社会环境简况、环境影响分析2李珊珊00015340B36040270300防治措施及预期治理效果、环境质量状况、结论及建议建设项目基本情况项目名称特大功率电力半导体器件性能产能提升和碳化硅器件研发项目建设单位西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司法人代表陆剑秋联系人耿涛通讯地址西安市高新区锦业二路13号联系电话13891879825传真029-68935336邮政编码710201建设地点西安市高新区锦业二路13号立项审批部门西安高新区创新发展局批准文号西高新创新发2016(273)号建设性质新建改扩建技改行业类别及代码电力电子元器件制造（C3924）占地面积（平方米）400
5、0绿化面积（平方米）/总投资（万元）36742其中：环保投资（万元）60环保投资占比总投资比例0.16%评价经费（万元）/预期投产日期2018年12月工程内容及规模：一、项目由来西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司原为西安电力电子技术研究所，主要从事大功率电力半导体器件、各类新型电力电子器件、各种电力电子应用装置、检测技术和设备、可靠性技术、冷却技术等综合电力电子技术的开发和生产的基地，是我国著名的电力电子研究开发中心、国家工程研究中心、国家电力电子产品质量监督检验中心以及标准信息中心。2010年西电所将全部科研、生产整体化转成立了西安派瑞功率半导体变流技术有限公司，2010年12月通过了关
6、于成立西安派瑞半导体变流技术有限公司的批复（陕科改发2010151号），2015年12月取得了企业名称核准变更通知书（西工商）名称变内核字2015第002809号），公司名称变更为西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司。公司目前现有生产线年产普通晶闸管4万只，超大功率5英寸晶闸管0.2万只，特大功率半导体6英寸晶闸管0.5万只。根据公司的发展方向，为进一步提高阻断电压和直流导通电流以及实现SiC SBD和MOSFET的产业化，研制出600-10000V/30A以上系列SiC SBD二极管与MOSFET器件。并在此基础上研制SIC基PIN二极管、IGBT和晶闸管及其相关器件和技术，逐步实现产业化
7、。通过本项目的实施，建立一个覆盖晶闸管、SiC器件研制生产基地，将派瑞公司打造成为具有世界一流技术水平的、能够提供完整特大功率电力半导体器件产品及其应用解决方案的供应商。根据中华人民共和国环境影响评价法、建设项目环境保护管理条例、建设项目环境影响评价分类管理名录的有关规定，以及西安市环境保护局高新分局对工程环境管理的要求，该建设项目应进行环境影响评价，编制环境影响报告表。2016年9月，西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司正式委托陕西企科环境技术有限公司承担本项目环境影响评价工作，并编制建设项目环境影响报告表。接受委托后，我公司组织有关技术人员进行了现场踏勘，收集了建设项目所在区域的自然、社
8、会、生态环境和人文环境资料。在工程污染因素分析的基础上，通过实地监测、类比调查和资料收集，编制了特大功率电力半导体器件性能产能提升和碳化硅器件研发项目环境影响报告表。二、项目概况1、建设地点特大功率电力半导体器件性能产能提升和碳化硅器件研发项目建设地点位于西安市高新区锦业二路13号西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司厂区原厂房内。项目北邻特斯拉汽车销售服务（西安）公司和西安沃恩机床有限公司，南临锦业二路，西临丈八三路，东邻霍尼维尔生命安全集团和SEW-传动设备西安公司。项目地理位置见附图1。2、建设内容及规模本项目对现有1#建筑晶闸管工艺厂房、4#建筑化学品库、5#建筑动力站进行技术升级改造
9、，不涉及土建工程。1#建筑晶闸管工艺厂房位于厂区中部，紧挨西厂界，北侧为汽车库和综合办公楼；4#建筑化学品库位于1#建筑东侧靠北方向，东侧为空地；5#建筑动力站位于1#建筑东侧和4#建筑南侧，东侧为空地。本项目四邻关系图见图1。项目分两个阶段：第一阶段通过技术升级改造使现有生产线工艺设备达到特大功率8英寸晶闸管的顶级配置，向下兼容现有产品，包括普通晶闸管（大功率整流管、快速软恢复二级管、脉冲晶闸管、快速晶闸管）、直流输电用超大功率5英寸、6英寸晶闸管，增加新产品的同时，提高原有产品的性能与产能；第二阶段是在同时在晶闸管生产线的基础上，研发IGCT(普通元器件)和SiC器件等高端产品（完成8英寸
10、芯片生产线的基础上）。本项目具体建设内容及规模见表1，改造区布置图见附图2。图1 项目四邻关系图表1建设内容及规模建设位置建设内容建设规模1#建筑晶闸管工艺厂房一层纯水区增10t/h纯水处理系统与原系统实现并联运行改造工艺净化面积约为3600m2，动力面积约为280m2废水区进行局部改造，增加沉淀时间和距离，进一步提高对含氟废水的处理效果二层净化空调机组增加FFU（风机过滤器装置）数量，将FFU布置占比提高至80%，同时改造回风通道、铸铝镂空地板等，新增1台40000m3/h新风机组（含变频控制柜）热排风机组增加一台热排风机，形成1备1用，并增加相应的分支管路工艺真空机组增加1套工艺真空系统（
11、1备1用2台WS501罗茨干泵组，1个真空储气罐，管路、阀门等）有机排风机组增加1套有机排风系统（包括管路等）酸碱排风系统工艺线排出酸碱到排酸风机之间，增加一级或几级小的酸碱中和箱工艺改造区增添工艺生产设备，配电、照明等生产辅助动力系统进行改造4#建筑化学品库氢气、氧气改造现有汇流排（软连接改为弹簧硬管连接）改造面积约为50m25#建筑动力站冷却循环水改造增加1台冷却塔，新增1套循环系统（包括泵组、管道）改造面积约为70m2液氮罐区进行改造增装200m3/h气化器1套(包括气化器、管路改造等），备用液氮罐10m3一个，增强氮气供给能力本项目总投资为36742万元，用地性质为工业用地，土地文件见
12、附件1。主要产品方案见表2，项目新增设备见表3、4，项目主要组成情况见表5。表2产品方案序号产品名称新增年产量（万只）备注1普通元器件2第一阶段2直流输电用超大功率5英寸晶闸管0.33直流输电用超大功率6英寸晶闸管14直流输电用特大功率8英寸晶闸管0.35碳化硅器件0.6第二阶段表3第一阶段工艺设备清单（新增）序号设备名用途描述设备型号数量（台）1高温离子注入机碳化硅或硅片掺杂IH860DSIC12激光动态成像机实时电子版激光曝光ALDI-SLS138英寸3层扩散炉高温掺杂/548英寸双面曝光机规准曝光/358英寸单面曝光机精准曝光/26套刻测量仪光刻对准检查KLA510517PECVD结终端
13、钝化/18LPCVD沉积膜THERMCO 510419快速退火炉SHS2800离子注入退火SHS2800110涂胶显影轨道机匀胶显影MK-VZ211干法去胶机去除光刻胶MATTSONASPEN2ICP212箱式高真空退火炉掺杂或金属层退火/2138英寸腐蚀机湿法去胶、腐蚀/6148英寸清洗机硅片清洗/6158英寸甩干机清洗甩干SEMITOOL D800616电子束镀膜机电极制备/317扩展电阻测试仪扩散结果检测/118少子寿命分布测试仪少子寿命分布检测ELYMAT119台阶测试仪腐蚀轮廓测试DECTEK120IGCT静态态参数测试台IGCT动态参数测试/121IGCT动态参数测试台IGCT动态参数测试/1228英寸静态态参数测试台7英寸晶闸管参数测试/1238英寸动态参数测试台8英寸晶闸管参数测试/1248英寸浪涌电流测试台8英寸分立半导体器件/1258英寸冷焊机8英寸晶闸管封装/126电子扫描显微镜芯片微观检查S-4500127全自动硅片清洗机硅片清洗/528仿真设备和软件
