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1、,1、共基极短路电流放大系数及其截止频率,上式中：,3.7.5 电流放大系数与频率的关系,当,时，,令,称为 信号延迟时间，表示信号从发射极到集电极总的延迟时间，则 可写为：,由上式可见，在直流或极低频下， ，相角= 0。随着频率的提高， 的幅度 下降，相角滞后 。,定义：当 下降到 时的角频率和频率分别称为 的截止角频率 和 截止频率，记为 和 ：,这时 与 的区别仅在于用 代替 。,的频率特性主要由 和 决定，即：,下面讨论两种情况：,(1) 对截止频率不是特别高的一般高频管，例如 fa 500 MHz的晶体管，基区宽度 此时 ，,2、共发射极短路电流放大系数及其截止频率,将 代入，得：,
2、若忽略 ，得：,已知：,的截止角频率 和 截止频率，记为 ：,定义：当 下降到 时的角频率和频率分别称为,这时 又可表为：,的关系：,在忽略 的情况下，,所以有：,相角 = - 900 。所以在此频率范围内， ic 比 ib 滞后 900，且 | |与 f 成反比，即 按频率每加倍，| | 减小一半。由于功率正比于电流平方，所以 频率每加倍，功率增益降为 1/4 。,3、 随频率的变化；特征频率 fT,已知：,因 所以 fT 可表为：,当忽略 时，有：,对于 fa 500 MHz 的晶体管，ec 中以b 为主，这时:,定义：当 降为 1 时的频率称为 特征频率 ，记为 fT 。,由 可解出:,
3、fT 的测量： 实际测量 fT 时，不一定真的测到使 下降为1 时的频率，而是在 的条件下测量 （可以大于1），然后根据 ，即可得到：,由于上式，fT 又称为晶体管的 增益带宽乘积。,高频管的工作频率一般介于 f 与 fT 之间。,对 fT 有影响的还有其它一些次要因素，如,发射区延迟时间：,对 的修正：,CTC 中还应包括延伸电极的寄生电容，等等。,积累超量储存电荷的时间,缓变基区晶体管,例：某C 波段低噪声小信号晶体管，具有如表 3-4（p. 142）所示的设计参数(陈星弼 张庆中 陈勇 著 微电子器件 第三版）。经计算可得：,由于忽略了一些次要因素，实际的 fT 可能只有 7 GHz 左右。,4、高频晶体管的 fT 与ec,当WB 较大， fT 较低时，提高 fT 的主要措施是减小WB 。,在上例中， 这时 。,如果WB 增大到 1 m，其余参数不变，则：,但当WB 已很小时，仅仅靠减小WB 来提高 fT 的作用就开始减弱。特别是当 WB 0.1 m 后，再减小 WB 几乎对提高 fT 不起多少作用，反而产生诸如提高 rbb ，降低 VA 等副作用。,小结：,
