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1、模拟电子技术测试题六一、填空题:(2分,每空1分)1、BJT是 控制器件,FET是 控制器件。2、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量,若两次读数都为,则此二极管_;若两次读数都接近零,则此二极管_;若读数一次很大,一次读数小,则此二极管_。3.简单的差分放大器双端输出时,对_信号有较强的抑制能力,而对_信号有较强的放大作用。4.差动放大电路两个输入端的电流分别是2v和3v,则共模信号是 v,差模信号为 v。5、要获得低频信号,可选用 振荡器;要获得高频信号可选用 振荡器。6、负反馈虽使放大电路的放大倍数_了,但其他的性能得到了改善:_、_、_、_。7、射极输出器的重要特点是_、_和_。8
2、、场效应管栅源间的输入电阻比晶体三极管基射间的输入电阻_。源极输出电路的重要特点是_,_和_。9、理想集成运放的条件是_、_、_、_和_。二、选择题:(20分,每题2分)1、PN结反向向偏置时,其内电场被( )。A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定2、三极管工作在饱和状态的条件是( )。A、发射极正偏,集电极正偏 B、发射极正偏,集电极反偏C、发射极反偏,集电极反偏 D、发射极反偏,集电极正偏3、PN结反向击穿电压的数值增大,小于击穿电压,( )。 a:其反向电流增大 b:其反向电流减小 c:其反向电流基本不变4、稳压二极管是利用PN结的( )。 a:单向导电性 b:反向击穿性 c:电容特
3、性5、二极管的反向饱和电流在20时是5A,温度每升高10,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40时,反向饱和电流值为( )。 a:10A b:15A c:20A d:40A6、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( )。A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态7、某NPN型三极管的输出特性如图所示,当Uce=6V时。其电流 放大系数为( )。A、=100 B、=50 C、=150 D、=25 8. 当超过下列哪个参数时,三极管一定被击穿()a集电极最大允许功耗b集电极最大允许电流c集基极反向击穿电压()9、右图为单相桥式整流滤波电路,U1为正旋波
4、,其有效值为U1=20V,f=50HZ。若实际测得其输出电压为28.28V,这是由于( )的结果。9题图a.开路 b.C的容量过小c.C的容量过大 d.RL开路10、在非线性失真中,饱和失真也称为( ) a 顶部失真 b 底部失真 c 双向失真三、判断题:(分,每题分)1、P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自 由电子。( )2、在三极管放大电路的三种基本组态中,共集电极放大电路带负载的能力最强。()3、负反馈可以提高放大电路的放大倍数的稳定值。()4、功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大,且转换效率高。()5、因为差动放大电路采用了直接耦合方式,故只能放大直流信号。()6、多
5、极放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越宽()7、二极管的反向偏置电压升高时,其正向电阻增大。()8、要稳定放大电路工作点,可以引入交流负反馈。()四、判断下列各图中,哪些电路能进行正常的放大:(6分)1 2. VCCR1R2RLvivoVCCRCRB Vs ( ) ( ) 五、综合题(38分)1.已知如图:V=12V,RB=100k,RW=400K, RC,.5当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 (设UBE = 0 )(8分) RW +V R R C2 1 RL=6+VEEVEEUi2、一双电源互补对称电路如图题所示,设已知Vcc12 V,RL6,vI为正弦波。求:(1)在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下,负载上可能得到的最大输出功率Pom;(2)每个管子允许的管耗 PCM至少应为多少?(3)每个管子的耐压 |V(BR)CEO|应大于多少?(10分)3题图3、在图所示单相桥式整流电容滤波电路中,已知RL=40,C=1000uF,u2=20sinwtV,现用万用表测量输出直流电压,如果出现下列几种情况,试分析哪个数据合理?那些不合理?会出现什么故障?(10分) UO=18V: UO=28V: UO=9V: UO=24V: 4、为了用低值电阻实现高电压增益的比例运算,常用一T形网络以代替,如图(4)所示,试证明(10分)