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1、一、填空题。1、电子技术包括（信息电子）技术和（电力电子）技术。2、电力电子器件可以分为（电真空器件）和（半导体器件）两类，目前广泛使用的是基于（半导体材料）的电力电子器件。3、电力电子器件工作在（开关）状态。4、电力电子器件的损耗包括（通态损耗）、（断态损耗）和（开关损耗）。5、按照电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可将电力电子器件分为（半控型器件）、（全控型器件）和（不可控器件）。6、写出以下电力电子器件的中英文名臣：常见的半控型器件为（晶闸管Thyristor），常见的不可控器件为（电力二极管Power Diode），常见的全控型器件为（门极可关断晶闸管GTO）、（电力晶体管GTR
2、）、（电力场效应晶体管Power MOSFET）和（绝缘栅双极晶体管IGBT）。7、电力二极管的基本工作原理为（PN结的单项导电性），常见的电力二极管主要有（普通二极管Genera; Purpose Diode）、（快恢复二极管Fast Recovery Diode-FRD）、（肖特基二极管SBD）。8、晶闸管又被称作（可控硅整流器SCR），有（螺栓型）和（平板型）两种封装结构，引出（阳极A）、（阴极K）和（门极G）三个连接端。9、写出下列晶闸管的派生器件的英文缩写：快速晶闸管（FST），双向晶闸管（TRIAC），逆导晶闸管（RCT），光控晶闸管（LTT）。10、GTO为（PNPN四层半导体）
3、结构，外部引出阳极、阴极和门极，结构上类似晶闸管，当给门极施加正的脉冲电流时，GTO导通，若要使其关断，则需（在门极施加负的脉冲电流）。GTO的（电压）和（电流）容量较大，多用在（兆瓦级）以上的大功率场合。11、GTR的三个极分别为（集电极）、（基极）和（发射极），通常采用至少由两个晶体管按（达林顿）接法组成的单元结构。12、电力场效应晶体管在导通时只有一种极性的载流子参与导电，是（单极型）晶体管，包括（漏极D）、（源极S）和（栅极G），为（电压）驱动型器件。13、GTO和GTR是（双）极型（电流）驱动器件。14、IGBT为（电压）驱动型器件，其三个极分别为（栅极G）、（集电极C）、（发射极E
4、），其驱动电压为（栅射极电压UGE）。二、简答题。1、什么是电力电子器件？可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。2、电力二极管有哪些部分组成？有几种封装形式？电力二极管由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成，主要有螺栓型和平板型两种封装。3、使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK 0且UGK0。维持导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流。若想使晶闸管关断，可利用外加电压和外电路的作用是流过晶闸管的电流降到接近零的某一数值以下，即降到维持电流以下。
