硅烷偶联剂KH_560改性纳米二氧化硅_刘会媛

Aš} ó4KH-560¿Ÿ,Ü=ÄA>öœ, 　 Ù£*, 　 Ù　’(ö=SÐýÄÐ",Šö063000)K　1:用硅烷偶联剂 KH-560 对纳米SiO2 样品表面进行接枝改性研究考察了纳米SiO2 的用量、KH-560百分含量、改性温度以及改性时间对改性效果的影响采用红外光谱、热重分析手段对表面改性前后的纳米 SiO2 进行表征纳米 SiO2 最佳工艺改性条件:纳米SiO2 用量4%, KH-560百分含量2%,改性温度90°C ,改性时间6 h 1oM:纳米二氧化硅;烷偶联剂;接枝改性Ïms Ë|:O 647 .11　　　ÓDS½’:AÓcI|:0367-6358(2011)08-0456-03Surface M odification of Nano-silica by Silane Coupling Agent KH-560LIU H ui-yuan , 　LI De-ling , 　LI Xing(Department of Chemistry , Tangshan Normal College, Hebei Tangshan 063000 , China)Abstract:The nano-silica surface w as m odified using silane coupling reagent KH-560.In order toinvestigate the best m odification conditions, the effects of the content of nano-silica and KH-560, reactiontime and temperature w ere studied .The modified SiO2 w as characterized by FT IR and TG techniques.The best modification conditions obtained w ere as follow s:the SiO2 content w as 4 %;KH-560 content w as2%;reaction temperature w as 90 ℃and reaction time w as 6 h .Key words:nano-SiO2 ;silane coupling agent;graft modificationlà°ù:2011-01-06;©í°ù:2011-06-21T€eº:>öœ(1970～ ),o,Ú)L=,ö1VY‹¿ŸL„”Ð, E-mail:h uiyuanliu123@ÍM Ÿ,¨í,ÜSiO2 ì09¨¿Ÿ †þ„Ä‹¥ùî|¤A÷rT。

®¿,ÜSiO2 µVë¸ër‹,0jr‹,¡40â¡r‹„+y;、È+Ÿ,ÚHEC`[#ÚÑ/¯ µ¥Ú]H®¿SiO2VëT£²µºÉÏ4[Ï΄sÛ,°¤A ž‹Ï,“4?èT¨[2] ,¹EçNC`?3ü³1 R ìVëÉ›¤¥¿ŸÈ¨¥¿Ÿ4µAš} ó4、›Ö
} ó4、ÑsÛ4©[3-6] ,µ1Aš} ó4¿Ÿ,ÜSiO2¥ùîXµÓD¡[ 7,8] Lùî¨,ÜSiO2¹ð,[γ-(2, 3-Ìd)dØJAš(KH-560)¹¿Ÿ4,Å!V룥,ÜSiO2 ,ìKD¿ŸHq1　L†s1.1　k4k4:J&(AR,?Ãgv´ÄÐk4Ì);KH-560(ý×9Ø,ÜSiO2¥¤¥q[8] 。

1.3.2　£“;ö©ç¨£SBruker Tensor 37° Ú=£“;öN(KBrâË)¿Ÿ-ª¥SiO2 ì0É›V˜,çŸsSiO2 ì0V뤥¿Ÿ¥f ƒ[ 8] 2　²TÐ)‚2.1　†yÍS¶YÊ2.1.1　SiO2¨¥’ç[20 mLJ&T¹·4,n5ë|0.1 g,ÜSiO2FÆJ&ÏÑ2sÛ,™î (¥ÇœA,ïv9FSiO2¥¨,°À™îT¥}´(nV1)V1　=ÄA¨’çFÆS iO2É/gJ&8/m LSiO2És”·nf ƒ0.2 20 1.1“¥Ç$A0.5 20 2.81 ¥Ç$A0.8 20 4.4 T¥$A1.2 20 6.4T¥}´ô L²T, SiO2J&Ï¥·n´Kv Vr6.4%,î[žŒLÏSiO2¨!¹1%、2%、4%、6%。

2.1.2　Aš} ó4KH-560iS¶’ç|SiO2¨¹4 %,Q‹HW¹6 h ,ѹ70°C ,¿MAš} ó4KH-560¥c,ìKH-560¥žŒ£ÜÊ|S¶(nV2)V2　KH-560iS¶’çKH-560c/ % 0.1 0.5 1 5 25 32SiO2¤¥q0.076923 0.079602 0.073286 0.072131 0.063333 0.066845®V V©,¿ŸªSiO2¥¤¥qyK H-560¥äsc7s,’KH-560¥i¹0 .5%H,SiO2¥¤¥qržKv,’KH-560cÉB„9vH,SiO2¥¤¥q{µ/†,?Ã9vK H-560¥c, SiO2¥¤¥qüA/†,ƒ^®¿ v¥KH-560£³ö†s1 ,éšQ‹FD >B >C,¿ŸHW•YKv,KD¿ŸHq¹:A4B3 C3D3 ,'¿ŸHW¹6 h,¿ŸÑ¹90 °C ,=ÄA¨¹4%,KH-560c¹2%。

2.3　£“;ös¿Ÿ-ª,Ü=ÄA¥£“;ömÂm1îU,®m V©,¿Ÿ-ª¥=ÄAû1100 cm-1¸ÍµBñKvl‚,¹Si-O-Sio¥Që%ê’î;800 cm-1¸Í^Si-O-Sio¥ë%ê’î;(/»462:)·458·Ä　　Ð　　W　　¸　 2011M2　9زT)‚(1)m³Ep³H,®¿0¥Ú„¦¥sOqîK,Ám³E²TÐ9Ø´µY v2) æ¨}”Ep³³1³ÖQBí=QZñ,iOÄQÎ1|cAi-1¥´}ÆZñ,nHn ï,Œ9زTÐ9Øñ½EMµ‚v3)1ÕZE,’Q‹1 óñ”9F[Àt¿íkH,5ô'íEp³4)9Øñ½Ep³eL、 y®、Ú’,7O V[ eŔ Ú,ƒÕZE¿)1 ó ØX
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