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1、半導體專題實驗,實驗五氧化層之成長與厚度量測,以乾氧與濕氧方式成長氧化層量測其厚度探討氧化條件和厚度的關係,目的:,OxidationinSemiconductor,ATypicalMOSProfile,ScreenOxide,PadOxide,BarrierOxide,熱成長氧化層的機制與模型,乾氧生長(O2);濕氧生長(H2O)成長X厚度的SiO2需消耗0.44X厚度矽溫度越高生長速度越快氧化品質越佳,熱成長氧化層的機制與模型(I),為什麼叫做“消耗性”氧化層?將矽基材置於含氧的條件下，在矽表面氧化形成一層二氧化矽。由於該層二氧化矽會消耗部份的矽表層，我們將之歸類為消耗性氧化性成長,t,熱
2、成長氧化層的機制與模型(II),Model:FlickersLaw:J=D(No-Ni)/XoReactionrate:J=Ks*NidXo/dt=J/M=(D*No/M)/(Xo+D/Ns)A=2D/Ks,B=2D*No/M=Xi2/B+A*Xi/BXi為一開始氧化層的厚度X0可以看成Xo(t)=B/A(1+)當經過一段長時間後,Xo(t)=(Bt)1/2,J=D*No/(D/Ks+Xo),SiO2,Si,No,Ni,Xo(t)=A/2(1+(4B/A2)*(t+)0.5-1),熱成長氧化層的機制與模型(III),當氧化層有相當厚度時，氧在SiO2內的擴散常數會相對變低，因為氧的擴散能力不足
3、，Si-SiO2介面的氧分子濃度將趨於零，而SiO2表面的含氧量也因此將與氣相內的含氧濃度相當，此時的氧化速率將由氧分子在二氧化矽中的擴散速率所主導，又稱為diffusioncontrolcase。反之，在氧化層厚度很薄的狀況下，氧分子在SiO2的擴散係數相對於SiO2是足夠大時，此時的氧化速率將由氣氛中的氧分子濃度及氧化反應常數Ks所主導，又稱為reactioncontrolcase。,熱成長氧化層的機制與模型(IV),影響氧化的因素:氧化溫度晶片方向氧化壓力雜質濃度表面清洗,速率:溫度高溫度低,速率:(111)(110)(100),速率:壓力高壓力低,氧化層成長的方法及其應用,氧化層厚度與
4、其顏色之關係,隨著厚度的變化可以看到不同的顏色,雖然在現今先進的Fab廠中已不再使用來做為厚度觀測的方式,但仍然是一項可以快速用來觀察是否有明顯的不平坦的情況發生,DRY&WET,X2A*XB*（t）X表示氧化層厚度t表示反應時間為成長到nativeoxide厚度所需之時間,DealGroveModel,DealGroveModel,X2A*XB*（t）當t很短時，X很薄，X2A*X，上式趨近為A*XB*（t）XB*（t）/A,此時稱為lineargrowthregime或linearrateregimeB/A稱為LinearrateConstant，受控於K（反應速率）,DealGroveM
5、odel,X2A*XB*（t）當t很長時，X變厚，X2A*X，上式趨近為X2B*（t）,此時稱為diffusion-limitedregime或parabolicrateregimeB稱為ParabolicrateConstant，受控於D（oxidant在SiO2內之擴散速率）,氧化層厚度與其顏色之關係,利用氧化層顏色變化判斷厚度概值，主要是因為在氧化層表面反射和在矽晶片表面反射的兩道光線，因為具有光程差而形成干涉現象產生，而產生建設性干涉的條件為：2*N*利用HF進行蝕刻，將晶片上下進出HF溶液，將氧化層蝕刻出厚度漸變的梯度，從顏色的週期變化可以得知厚度範圍，再配合colorchart得知
6、較正確之厚度。,ColorchartofSiO2:,金氧半電容元件之電容電壓特性,從I-V可以得知oxidebreakdown特性，漏流大小及機制。從C-V可以得知氧化層內部電荷量，氧化層厚度，介面能階特性。可以配合加熱系統，量測I-V及C-V變化，得知穩定性。,橢圓儀的簡介,一種用於測量一束偏振光從被研究的表面或薄膜上反射後偏振狀態產生變化的光學儀器,用它可以得到表面或薄膜的有關物理參量的信息。1808年,馬呂斯探測到反射光線的偏振性,1889年P.K.L.德魯德建立了橢圓偏振測量的基本方程式,奠定了橢圓偏振測量技術的發展基礎。它是一種無損的測量方法,並且對於表面的微小變化有極高的靈敏性,例
7、如可以探測出清潔表面上只有單分子層厚度的吸附或污染。它在各個領域中,如物理化學材料和照相科學生物學以及光學半導體機械冶金和生物醫學工程中得到了廣泛的應用。,橢圓儀的原理,利用雷射光通過oxide，由反射之極化現象改變量，換算出厚度及折射係數n。oxide在=633nm之下時，折射係數n=1.46。採大的入射角，測出P偏極光與S偏極光反射量與相位差，進而算出各項參數。,在測量時，旋轉接收端的偏振片，使detector端能夠收到能量最小的光線。雷射通過偏振片而成為橢圓或是圓形偏振，而在經過反涉及二次反射後，若要形成最小光線，則通過analyzer的光線一定要轉為線性偏振(linearpolariz
8、ation)。在雷射光入射的角度上，選擇靠近Brewsterangle(在SiO2中約為70)，再針對反射回來的TE光進行偏振濾波。,橢圓儀的原理,橢圓儀結構示意圖,橢圓儀(ellipsometer),各種氧化層的應用,乾氧生長：生長速率漸慢，品質較佳，適合ScreenOxide、PadOxide、GateOxide濕氧生長：H2O於高溫下分解成HO，可快速擴散通過SiO2，生長速率快，適合MaskingOxide、BlanketFieldOxide、LOCOSOxide高壓生長：壓力越高，oxidant在oxide內之擴散流量越大，氧化越快，可縮短氧化時間，避免高溫下，之前佈植的雜質亂跑,乾
9、氧生長,在製造過程中，會使用HCl、N2、O2三種氣體。其用途分別如下：HCl：去除mobileions（例如Na+）用。N2：purgeN2做為Chamberpurge用，隨時打開；processN2具有高純度，於製程反應時參入，做為carriergas及調節分壓用。O2：做為反應材料。,濕氧生長,合成H2Ovapor至石英管的方法：BoilerSystem：將水溫升至100，蒸氣進入石英管。BubblerSystem：N2通過DIWater（接近100，但是未沸騰），將水氣帶入石英管。FlushSystem：DIWater水滴至加熱板蒸發，O2帶入石英管。,表面軌跡分析儀(SPM)示意圖,
10、步驟：,用丙酮，甲醇，和去離子水清洗晶片。用稀釋氫氟酸溶液將表層氧化層蝕刻，以去離子水沖洗五分鐘，再以氮氣吹乾。將數片晶片順序緩緩怡入高溫爐中，依條件成長氧化層，氧化完成後，使用石英拉桿將載有晶片的石英舟緩緩拉出，於爐口冷卻五分鐘後，再置入另一晶片。比對長有氧化層之晶片的顏色。使用橢圓儀(ellipsometer)量得氧化層厚度。,廢液回收,本實驗所產生的廢液包含丙酮、甲醇，所以應該傾倒在有機廢液回收筒。氫氟酸屬於高腐蝕性無機酸類，應另外存放於廢液回收筒中，不可以玻璃製容器呈裝。,注意事項:,石英桿須以單手操作以免燙傷，且在移動過程中勿碰觸其他東西。晶片放進furnace時要緩慢移動，以免晶片溫度變化過大而破裂。晶片依序放在插槽，確定不會滑落，且晶片都要放同一個方向。用橢圓儀量晶片厚度時，要量中間。,高溫爐系統圖,石英桿必須以單手操作以免燙傷。晶片移入高溫爐時要慢慢移動。,
