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1、纳米加工平台工艺申请表（2010年8月版）批号:申请人申请人电话申请人邮箱申请人签字付费人课题编号付费人邮箱付费人签字申请日期所属单位试验目的及说明样品材料样品尺寸样品数量与编号序号工艺名称工艺要求及说明日期工艺记录和检测结果工艺员计价和确认备注清洗样品数量：2片；需清洗材料：氮化铝，尺寸：4英寸；预去除污染物：清洗液：使用设备：八槽清洗机/超声清洗机/手动容器废液处理方法：设备类型：开始时间：完成时间：废液处理方式：检测结果：本步工艺程序确认：合格（签字）：不合格（签字）：工艺负责人确认：工艺申请人确认：匀胶KS-L150ST22KW-4A加工数量：3片；衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸、6英
2、寸；光刻胶类型：AZ1500；厚度：1.20.4微米HDMS预处理：需要；使用匀胶机类型：SSE、国产小匀胶机、Track匀胶机类型：开始时间：完成时间：衬底尺寸：匀胶次数：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：光刻MA6/BA6URE-2000/35加工数量：3片；衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；光刻最小线宽：2微米；套刻要求：正反面对准，对准精度：5微米；使用光刻机类型：SussMA6/BA6,国产光刻机光刻机类型：开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：
3、步进式光刻机NSR1755i7B加工数量：3片；衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻胶类型/厚度：EPL/1-1.6微米；光刻最小线宽：2微米；套刻精度：1微米；开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：电子束光刻JBX-5500ZA加工数量：1片；衬底材料/尺寸/厚度：硅片/4英寸/525微米；光刻胶类型/厚度：AZ1500/1-1.6微米；光刻最小线宽：30nm；套刻要求：套刻误差小于40nm；拼接要求：误差小于40nm开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：显影OPTIs
4、pinST22加工数量：3片；衬底：材料：硅片，尺寸：4英寸；显影液类型：标配TMAH；使用显影机类型：SSE,Track显影机类型：开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：干法去胶M4L加工数量：3片；批次：1批材料：硅片，尺寸：4英寸或碎片；需去除光刻胶类型：AZ1500需去除胶厚：50nm；去胶功率：300W开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：喷胶ST20i加工数量：3片；衬底材料：硅片，尺寸：4英寸；光刻胶类型：AZ4620；目标胶厚：30微米图形深宽比：1：2开始时间：完成时间
5、：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：晶片键合CB6L加工数量：3对；材料：硅片和玻璃尺寸：4英寸；键合类型：阳极键合；是否需要套刻：是（套刻精度：5微米）键合对数：单次键合用时：开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：磁控溅射LAB18加工数量：3片；批次：1批衬底材料：硅片，尺寸：2英寸膜层材料/厚度：Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm厚度均匀性要求：5%衬底加热温度：200工艺气体：Ar或N2溅射批数：开始时间：完成时间：本工艺总用时：溅射各层材料/厚度：检测结果：本步
6、工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：电子束蒸发ei-5zEBE-09加工数量：3片；批次：1批衬底材料：硅片，尺寸：6英寸膜层材料和厚度：Ti/Al/Ti/Au,50nm/200nm/50nm/100nm厚度均匀性要求：5%衬底温度：200蒸发台类型：ei-5z,EBE-09使用蒸发台：蒸镀批数：开始时间：完成时间：本工艺总用时：蒸镀各层材料/厚度：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：热蒸发EVA-09-2加工数量：1片；批次：1批衬底材料：硅片，尺寸：2英寸膜层材料和厚度：AG/Au,500nm/200nm厚度均匀性要求：5%衬底温度：蒸镀次数：开始时间：完成时
7、间：本工艺总用时：蒸镀材料/厚度：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：PECVDOXFORD100加工数量：3片；批次：3批衬底材料：硅片，尺寸：6英寸膜层材料和用途：SiO2、绝缘层厚度：1000nm折射率:1.46厚度均匀性要求：5%衬底温度：300开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：光学薄膜蒸发OTFC-900加工数量：3片；批次：1批衬底材料：硅片，尺寸：4英寸膜层材料和厚度：SiO2/ITO,50nm/200nm厚度均匀性要求：2%衬底温度：200蒸镀次数：开始时间：完成时间：本工艺总用时：蒸镀各层材料/厚
8、度：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认氧化HDC8000A加工数量：20片；批次：1批衬底材料尺寸：6英寸氧化类型：干氧、湿氧、干湿氧厚度：1000nm厚度均匀性要求：3%开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：快速退火RTP-500加工数量：3片；批次：1批衬底材料/尺寸：GaN片/2英寸退火温度和时间：600，15sec开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：管式退火炉L4508-07-1L4508-07-2加工数量：3片；批次：1批衬底材料/尺寸：GaN片/2英寸
9、退火温度/时间：600/120min退火气氛：N2、压缩空气、氢气开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：IBE刻蚀IBE-A-150加工数量：3片；批次：1批需刻蚀材料：硅片，尺寸：2英寸或碎片；掩膜材料：光刻胶，Ti等刻蚀深度：2微米；粘片：需要开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：RIETegal903e加工数量：3片；批次：3批需刻蚀材料：SiO2/SiNx，尺寸：6英寸或4英寸；掩膜材料：光刻胶刻蚀尺寸：深度：2微米；线宽：2微米粘片：需要开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结
10、果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：III/VICP刻蚀ICP180加工数量：3片；批次：1批需刻蚀材料/尺寸：GaN片/2英寸或碎片；掩膜材料：SiO2刻蚀尺寸：深度：2微米；线宽：2微米粘片：需要开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：深硅刻蚀STSMPXHRM加工数量：3片；批次：3批材料：Si片/SOI，尺寸：6英寸；掩膜材料：SiO2、光刻胶刻蚀尺寸：深度：10微米；线宽：2微米侧壁陡直度/粗糙度：89+/-1度/100nm开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：解
11、理TitanOSM-80TP-YLoomisLSD100加工数量：3片；需解理材料/尺寸：蓝宝石/2英寸管芯形状：长方形；管芯大小：280320um2；切深要求：24微米；使用划片机类型：Titan、OSM-80TP-Y、LSD100划片机类型：开始时间：完成时间：本工艺总用时：解理刀数：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：压焊747677E压焊点数：30点；焊盘：材料：金，尺寸：8080微米；焊线：材料：金，线径：25微米；压焊工艺类型：球焊，楔焊；开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：裂片OBM-90TP加工数量：
12、3片；需裂片材料/尺寸/片厚：GaN/2英寸/80微米；管芯形状：长方形；管芯尺寸：300300微米；开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：倒装焊FC150加工数量：3片；基底：材料：Si，尺寸：1010毫米；基底焊盘材料：金，尺寸：5050微米；芯片：材料：Si，尺寸：1010毫米；芯片焊盘材料：金，尺寸：5050微米；焊料：金锡温度/时间：200/30min工艺气体：甲酸、N2焊接工艺类型：热压焊，回流焊；开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：回流炉SRO702加工数量：3片；批次：1批基底：材料：Si，尺寸：1010毫米；基底焊盘材料：金，尺寸：5050微米；芯片：材料：Si，尺寸：1010毫米；芯片焊盘材料：金，尺寸：5050微米；焊料：金锡温度/时间：200/30min真空度：5mTorr开始时间：完成时间：本工艺总用时：检测结果：本步工艺计价：￥工艺负责人确认：工艺申请人确认：CMP减薄HRG-150加工数量：3片；批次：3批需减薄材料/
