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1、單位 2LCD工程一部報告者 林吉宏 液晶滴下式注入 ODF 介紹VLA 7000C 報告內容大綱 裝置構成及各部機構介紹 製程主要參數 ODF製程相關不良 ODF注入方式介紹 裝置構成 VLA 7000C LC滴下部 對位 組立部 框膠硬化部 LC滴下部 Dispenser Dispenser構成 Dispenser作動程序 DispenserLayout SupplyValve LimitValve Plunger Syringe LCbottle Nozzle Filter SupplyValveOpen Plunger上升至原點 補充LC SupplyValveOff LimitVal
2、veOpen Plunger步進下降 LC滴下 Plunger下降至LC滴完位置 LimitValveOff Dispenser精度及LC比抵抗維護 精度 LC比抵抗 液晶移載方式 Dispenser存放環境 Parts清潔組立程序 LC脫泡程序 Dispenser脫泡程序 精度確認 0 5 LC滴下Pattern及SealPattern SealPattern LCPattern Pattern設計重點 1 頭尾結合點位置點2 MainsealtoBM距離3 Dummytomainseal距離 LCpattern設計重點 1 滴下點至mainseal距離 25 30mm 2 滴下點間間距 3
3、0 40mm 3 滴下點大小 80 100Pulse LC滴下MARGIN 對位組立部機構 CFTFT 靜電chuck M LOADCELL C C 真空CHAMBER 加壓機構 ESC靜電吸著板構造 A電極 B電極 TOPVIEW 對位組立程序說明 Chamber上蓋下降 ESCON 同壓配管ON CHAMBER抽真空 真空度1pa時 上ESC下降執行粗對位 真空度0 8pa時 上ESC下降至微對位置 執行微對位 加壓力 對位完成 最終加壓力 脫離除電 真空開放 N2Purge 大氣加壓保持 Chamber上蓋上升 UVseal硬化製程 對位組立製程主參數及設備ISSUE 壓合STEP 壓合
4、壓力 靜電ESC施加電壓值 電壓Type A B 及電壓施加時機 Chamber真空度 ESC靜電消除電壓值及電壓施加時機 製程主參數 設備MainIssue Chamber真空度維護 上下ESCStage平面度及平行度維護 ESCMaintenance 製程Tacttime UV照射部構造 基板 DUVcutfilter IRcutfilter Mirror UVLamp UV波長cut 300nm以下cut UV照射強度 80 160mw cm2 UV照射能量 SEAL種類 協立 三井 UV照射照度 照射時間 段階 積算光量 UV照射均勻性 20 以下 UV照射部相關參數 ODF製程相關不
5、良 1 靜電chuck平行度 SPEC 15umchamber真空度Seal斷膠 貫通 局細 剝離等異常 Bubble AirBubble VacuumBubble 液晶滴下量不足PS高度異常Dispenser精度 ODF製程相關不良 2 GravityMura LCDispenser精度管理 0 5 LCquantityV S PSheightPSDensity ODF相關sealdefect SealinBM 結合點 塗佈Shift 膠寬過大Mainseal異物壓寬 ESC上異物LC貫穿 滴下點至mainseal距離 ESC平坦度 平行度空氣貫穿 斷膠 框膠局細 UV硬化前置時間過長Seal剝離 ESC靜電殘留 真空壓殘留 ODF製程相關不良 3 ESC除電不完全 除電時間同壓配管閥動作不良 同壓配管內殘壓影響對位完成基板基板PURGE壓力高or流量大 PURGE壓力 流量調整對位SOFT不良 對位完成後再補正 ESC和基板吸著力不足 ESC電壓 STAGE平行度UV照射前基板移載不良 Mis assembly ODF製程相關不良 4 RingMura 上下ESC內異物 UVStage內異物 AL UV部頂Pin壓傷 PSdensity ODF製程相關不良 5 ChuckMura
