《tanner L-edit 软件基本操作知识》由会员分享，可在线阅读，更多相关《tanner L-edit 软件基本操作知识（34页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、一 Tanner软件简介 TannerPro是一套集成电路设计软件 包括S Edit T Spice W Edit L Edit与LVS 各软件的主要功能整理如表1 1所示 Tanner软件简介 TannerPro的设计流程可以用右图1 1来表示 三 Tanner软件的安装 详细安装过程可以参看我编写的Tanner13 0安装流程 13 0版图在windows7里面可以安装 下面表格为Tanner对电脑的要求 三 使用L edit绘制版图 1 打开L Edit程序 在 开始 菜单 程序 里可以找到 也可以在桌面创建快捷方式 2 出现界面如下 3 L Edit会自动将工作文件命名为Layoutl
2、 sdb并显示在窗口的标题栏上 如上图所示 4 文件 保存 保存在自己所选目录下 注意不含中文 这里选择E L edit 并命名为EX1 三 使用L edit绘制版图 5 取代设定 选择 文件 替换设置 从Browse选择 D ProgramFiles TannerEDA L EditandLVS SPR Lights Layout lights tdb 主要是采用其内的DRC信息 layers信息 三 使用L edit绘制版图 6 编辑组件L Edit编辑方式是以组件 Cell 为单位而不是以文件 File 为单位的 每一个文件可有多个Cell 而每一个Cell可表示一种电路布局图或说明 每
3、次打开新文件时也自动打开一个Cell并将之命名为Ce110其中 编辑画面中的十字为坐标原点 三 使用L edit绘制版图 7 环境设定 绘制布局图 必须要有确实的大小 因此绘图前先要确认或设定坐标与实际长度的关系 选择 设置 命令 打开 设计 对话框 在其中的Technology选项卡中出现使用技术的名称 单位与设定 本范例中的技术单位Technologyunits为以Lambda为单位 而Lambda单位与内部单位InternalUnit的关系可在Technologysetup选项组中进行设定 我们设定一个Lambda为1000个InternalUnit 也设定一个Lambda等于一个Mic
4、ron 三 使用L edit绘制版图 8 选择绘图形状 绘制布局图 除了选择要绘制的图层外 还要在Drawing工具栏中选择绘图方式 如右图所示 三 使用L edit绘制版图 9 选择绘图形状 绘制布局图 除了选择要绘制的图层外 还要在Drawing工具栏中选择绘图方式 如图10 9所示 例如 选择工具 按鼠标左键拖曳可画方形 如要绘制一个方形的Poly图层 横向占据1个格点 1um 纵方向占据10个格点 10um 结果如图 注意左下角有状态栏 标明绘制的形状 图层 宽度 W 高度 H 面积 A 与周长 P 按住 Home 键可以全屏显示 三 使用L edit绘制版图 10 设计规则检查 由于
5、绘制的图样是要制作集成电路的掩膜图样 必须配合设计规则绘制图层 才能确保制程时的效率 选择工具 DRC命令 打开DesignRuleCheck对话框 如右图所示 报错 最小宽度少于两个Lambda 三 使用L edit绘制版图 11 检查错误 打开 设置 DRC设置 则可以观看详细的设计规则 从Ruleslist列表框中选择3 1PolyMinimumWidth选项中可以观看该条设计规则设定poly最小宽度为2个lambda 依此修改poly宽度为2个lambda 那么如何修改呢 三 使用L edit绘制版图 12 修改对象 可选择编辑 编辑物项命令 在Showbox表框中选择bottomle
6、ftcorneranddimensions选项 如图所示 再将Width微调框改为2 000 单击 确定 按钮 即可修改完成 也可以利用Alt键加鼠标拖曳的方式来修改对象大小 修改宽度为两个格点后 再进行设计规则检查 这时已无错误 三 使用L edit绘制版图 13 修改对象 可选择编辑 编辑物项命令 在Showbox表框中选择bottomleftcorneranddimensions选项 如图所示 再将Width微调框改为2 单击 确定 按钮 即可修改完成 也可以利用Alt键加鼠标拖曳的方式来修改对象大小 修改为宽度为两个格点后 再进行设计规则检查 这时已无错误 三 使用L edit绘制版图
7、 13 修改对象 此已经无错误 三 使用L edit绘制版图 14 绘制多边型 在长方形Poly旁间隔1个格点处 选择Drawing工具栏中的多边形工具 可利用鼠标左键拖曳并点出多边型的端点 单击结束 如右图 三 使用L edit绘制版图 14 设计规则检查DRC报错 查看DRC设置 发现两个相邻poly之间距离最小为2个lambda 三 使用L edit绘制版图 15 改错 移动对象 点中多边形 选择菜单栏中的 画 然后 移动至 如右图设置x为1 000 即右移一格即可或者选中多边形后 按住鼠标中间键不放向右移动一格也可 再做DRC检查则无错误 四 使用L edit绘制pmos版图 1 选取
8、图层 在画面左边有一个Layers面板 其中有一个下拉列表 可选取要绘制的图层 例如 Poly 则Layers面板会选取代表Poly图层的红色 在L Edit中的Poly图层代表制作集成电路中多晶硅 PolySilicon 所需要的掩膜图样 本范例绘制PMOS布局图会用到的图层包括 NWell图层 Active图层 NSelect图层 PSelect图层 Poly图层 Metal1图层 Metal2图层 ActiveContact图层 Via图层 其各自的绘制 四 使用L edit绘制pmos版图 2 绘制NWell图层 L Edit编辑环境是预设在P型基板上 故读者不需要定义出P型基板范围
9、而在P型基板上制作PMOS的第一步 流程上要先做出NWell区 即需要设计掩膜以限定NWell的区域 绘制NWell布局图必须先了解是使用哪种流程的设计规则 本范例是使用MOSIS ORBIT2 0USCNADesignRules观看NWell绘制要遵守的设计规则 可选择工具 DRCSetup命令 打开SetupDesignRules对话框 或单击按钮 再从其中的Ruleslist列表框选择1 1WellMinimumWidth选项 可知NWell的最小宽度有10个Lambda的要求 四 使用L edit绘制pmos版图 2 绘制NWell图层 接前一张 选取Layers面板下拉列表中的NWe
10、ll选项 使工具被选取 再从Drawing工具栏中选择工具 在Cell0编辑窗口画出占据横向24格纵向15格的方形NWell 如右图 四 使用L edit绘制pmos版图 3 截面观察 L Edit有一个观察截面的功能 可观察利用该布局图设计出的组件的制作流程与结果 选择工具 截面命令 或单击按钮 利用 pick 选择需要的截面 点击OK即可以了 注意processdefinefile选择D ProgramFiles TannerEDA L EditandLVS SPR Lights Layout lights xst 四 使用L edit绘制pmos版图 4 绘制Active图层 设计了NW
11、ell的布局区域之后 接着设计有源区 Active 图层图样 Active图层在流程上的意义是定义PMOS或NMOS的范围 Active以外的地方是厚氧化层区 或称为场氧化层 故需要设计掩膜以限定Active的区域 但要注意PMOS的Active图层要绘制在NWell图层之内 注意知Active的最小宽度有3个Lambda的要求 这里大小为横向10格纵向5格 四 使用L edit绘制pmos版图 5 设计规则检查 报错为 NotSelectedActive 查看设计规则 Active图层必须要与PSelect图层或NSelect重叠 而不能单独存在 否则设计规则检查会有错误 6 绘制PSele
12、ct图层 注意Active的边界要与PSelect的边界至少要有两个Lambda的距离 这是环绕 Surround 规则 这里画横向18格 纵向9格 要注意的是Active与PSelect交集处被定义为pdiff层 pdiff与NWell也有一个环绕规则 pdiff的边界与NWell的边界至少要距离5个Lambda 四 使用L edit绘制pmos版图 7 标尺工具的使用 点击90 标尺 数一下格子 则很容易得出边长 四 使用L edit绘制pmos版图 8 绘制Poly图层 接下来绘制Poly图层 Poly图层在流程上的意义是定义成长多晶硅 PolySilicon 需要设计掩膜以限定多晶硅区
13、域 同样 绘制Poly图层必须先了解是使用哪种流程的设计规则 Poly的最小宽度有两个Lambda的要求 这里画出横向2格 纵向7格 四 使用L edit绘制pmos版图 9 设计规则检查 有两个相同错误 错误 Poly图层必须延伸出Active区域有最小两个Lambda 而这里只有一个 因此增长为2个即可 四 使用L edit绘制pmos版图 10 绘制ActiveContact图层 PMOS的源区 基区各要接上电极 才能在其上加入偏压 各组件之间的信号传递 也需要靠金属线连接 在最底层的金属线是以Metal1图层表示 在金属层制作之前 组件会被沉积上一层绝缘层 氧化层 为了让金属能接触至扩
14、散区 源极与极汲 必须在此绝缘层上蚀刻出一个接触孔 此接触孔是为了能使金属层能与扩散区接触 Metal1与扩散区之间的接触孔以ActiveContact图层表示 查阅设计规则 发现其宽度限定为两个Lambda的大小 这里绘画为横向两格 纵向两格 四 使用L edit绘制pmos版图 11 设计规则 每步之后必须要做DRC 按照提示操作 修改 四 使用L edit绘制pmos版图 12 绘制Metal1图层 NMOS的源极与汲极都要接上电极 才能在其上加入偏压 各组件之间的信号传递也需要靠金属线连接 在最底层的金属线以Metal1图层表示 Metal1有最小宽度的限制 其宽度限定最小为3个Lam
15、bda 在Cell0编辑窗口的ActiveContact周围画出占据横向4格 纵向4格的方形左右两个扩散区各画一个Metal1区块 四 使用L edit绘制pmos版图 12 重新命名 将Cell0的名称重新命名 可选择单元 重命名命令 打开RenameCell0对话框 将cell名称改成pmos 就此 pmos绘制完毕 四 使用L edit绘制pmos版图 13 nmos绘制与pmos相似 只是不需要绘制Nwell 其中 Active宽为14个格点 高为5个格点 Poly宽为2个格点 高为9个格点 NSelect宽为18个格点 高为9个格点 两个ActiveContact宽皆为2个格点 高皆
16、为2个格点 两个Metal1宽皆为4个格点 高皆为4个格点 四 使用L edit绘制pmos版图 14 转化 将反相器布局图成果转化成T Spice文件 可选择工具 ExtractSetup命令 或单击按钮 打开SetupExtract对话框 单击其中的按钮 在弹出的对话框中Browser选择D ProgramFiles TannerEDA L EditandLVS SPR Lights Layout lights ext 再到Output选项卡 SPICEincludestatement文本框输入 includeE L edit bsim3 sample md 点击提取按钮就可以了 四 使用L edit绘制pmos版图 15 T Spice模拟 将nmos布局图转化出的结果nmos spc利用T Spice来进行模拟 栅极 4 一个阶跃信号 漏极 1 加方波信号 可序如下 加载包含文件 Vdd电压值设定 设定A的输入信号 分析设定 输出设定 进行模拟 设定完的结果如图 pmos同nmos 四 使用L edit绘制pmos版图 15 T Spice模拟 结果如右图所示 符合nmos的特
