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ATLAS 输出窗口一些参数的含义 以锗为例 玻尔兹曼常数 元电荷 真空介电常数 温度 热电压 kt/q 相对介电常数 禁带宽度 电子亲和能 x 导带底有效状态密度 价带顶有效状态密度 本征载流子浓度 有效理查德常数 ATLAS 手册 139 页 不完全电离模型 ATLAS 手册 108 页 复合参数 ATLAS 手册 197 页 Etrap=0 Et-Ei=0 禁带中央是最有效的复合中心，半导体物理书第 5 章 5.4.2 138 页 带 -带遂穿参数 手册 235 页 3.6.6 热速度 饱和速度 每个区域用了哪些物理模型 关于物理模型，手册 3.6 节有讲，要看中文的就是唐龙谷的那本书 局部电子迁移率模型 ， 手册 3.6.1 154 页 载流子浓度依赖模型 ，手册 155 页 157 页 ：掺杂浓度对迁移率的影响，半导体物理 4.3 节 平行电场依赖模型 ，手册 189 页，半导体物理书 4.6节 关于每个具体的系数的含义可以去查看手册，都是一些公 式里面的一些系数，最后是结合半导体物理书看，关联性还是比较大的。 功函数 电阻 电容 电感 定义电极的时候，如果没有定义功函数，那么默认是欧姆接触
