第2章 电力电子器件的基本特性

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1、 教案编写 肖强晖廖无限 授课教师 肖强晖 现代电力电子技术ModernPowerElectronics 第2章电力半导体器件的基本特性 2 1电力半导体器件的种类及应用 2 2半导体整流管 2 3晶闸管和可关断晶闸管 2 4功率场效应管和绝缘栅双极型晶体管 2 5电力半导体器件的功率损耗和冷却 重点和难点 电力电子器件的基本模型和分类电力电子器件指标和特性应用电力电子器件系统的组成电力电子器件的驱动和保护类型及原理 2 1电力半导体器件的种类及应用 电力半导体器件是电力电子技术及其应用系统的基础 电力电子技术的发展取决于电力电子器件的研制与应用 定义 电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半

2、导体电子器件称为电力电子器件 PowerElectronicDevice 广义上 电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类 本书涉及的器件都是指半导体电力电子器件 不可控器件 器件本身没有导通 关断控制功能 而需要根据电路条件决定其导通 关断状态的器件称为不可控器件 如 电力二极管 PowerDiode 半控型器件 通过控制信号只能控制其导通 不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件 如 晶闸管 Thyristor 及其大部分派生器件等 全控型器件 通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件 称为全控型器件 如 门极可关断晶闸管 Gate Turn OffThyristor 功率场效

3、应管 PowerMOSFET 和绝缘栅双极型晶体管 Insulated GateBipolarTransistor 等 一 按器件的开关控制特性可以分为以下三类 二 电力电子器件按控制信号的性质不同又可分为两种 电流控制型器件 此类器件采用电流信号来实现导通或关断控制 如 晶闸管 门极可关断晶闸管 功率晶体管 IGCT等 电压控制半导体器件 这类器件采用电压控制 场控原理控制 它的通 断 输入控制端基本上不流过控制电流信号 用小功率信号就可驱动它工作 如 MOSFET管和IGBT管 2 1 2电力电子器件的种类 附表2 1 主要电力半导体器件的特性及其应用领域 2 2半导体整流管 2 2 1P

4、N结型整流管 2 2 2其它类型的整流管 2 2半导体整流管 2 2 1PN结型整流管 PowerDiode结构和原理简单 工作可靠 自20世纪50年代初期就获得应用 快恢复二极管和肖特基二极管 分别在中 高频整流和逆变 以及低压高频整流的场合 具有不可替代的地位 整流二极管及模块 PN结的状态 2 2 2其它类型的整流管 除了PN结型的整流管外 还有肖特基整流管 快恢复二极管和同步整流管等 肖特基整流管 导通压降的典型值为0 4 0 6V 而PN结型整流管的通态压降典型值为1V左右 而且它的反向恢复时间为几十纳秒 它常被用于高频低压开关电路或高频低压整流电路中 快恢复二极管 它的容量可达12

5、00V 200A的水平 反向恢复时间为10纳秒数量级 常应用于三相380V高频PWM整流 逆变电路中 作为电力半导体器件缓冲吸收回路中的快恢复二极管 同步整流管 利用VDMOS管的栅极驱动信号与电源电压同步而构成的具有低导通电阻 低反向恢复时间等优良特性的一种整流器件 已经成功用于48VDC以下电压等级的开关电源的输出整流部分 用来提高高频整流电路的效率 估计可提高效率7 2 3晶闸管和可关断晶闸管 2 3 1晶闸管 SCR 2 3 2门极可关断晶闸管 GTO 2 3 1晶闸管 SCR 晶闸管 Thirsted 包括 普通晶闸管 SCR 快速晶闸管 FST 双向晶闸管 TRIAC 逆导晶闸管

6、RCT 可关断晶闸管 GTO 和光控晶闸管等 由于普通晶闸管面世早 应用极为广泛 因此在无特别说明的情况下 本书所说的晶闸管都为普通晶闸管 普通晶闸管 也称可控硅整流管 SiliconControlledRectifier 简称SCR 由于它电流容量大 电压耐量高以及开通的可控性 目前生产水平 4500A 8000V 已被广泛应用于相控整流 逆变 交流调压 直流变换等领域 成为特大功率低频 200Hz以下 装置中的主要器件 1 晶闸管及其工作原理 1 外形封装形式 可分为小电流塑封式 小电流螺旋式 大电流螺旋式和大电流平板式 额定电流在200A以上 分别由图2 3 1 a b c d 所示 2

7、 晶闸管有三个电极 它们是阳极A 阴极K和门极 或称栅极 G 它的电气符号如图2 3 1 e 所示 图2 3 1晶闸管的外型及符号 常用大功率晶闸管实物外形 螺栓型晶闸管 晶闸管模块 平板型晶闸管外形及结构 晶闸管的工作原理 晶闸管的内部结构和等效电路 导通条件 在A K两端施加正向电压 同时在门极和阴极之间也施加正向触发 电压 信号时 门极有电流IG流通 这时 即使去掉触发信号 这时晶闸管仍然能够自动维持导通 要使晶闸管由关断状态转变成导通状态 还有三种情况均无须门极触发信号 属于非正常导通 正向转折导通 提高UAK正向电压 阳极电流IA增加 直至晶闸管转入通态 温度导通 当温度增加时 流过

8、PN结 J2 的反偏漏电流随着增加 直至晶闸管转入导通 du dt导通 各PN结都存在着电容 在A K两端加正向变化的电压时 各PN结将流过充电电流 其作用也相当于阳极电流IA增加 直至晶闸管导通 阻断条件 当晶闸管A K间承受正向电压 而门极电流Ig 0时 上述T1和T2之间的正反馈不能建立起来 晶闸管A K间只有很小的正向漏电流 它处于正向阻断状态 2 晶闸管的伏安特性 图2 4晶闸管的伏安特性 晶闸管导通时的A K间的电压 导通压降 是非常小的 其典型的平均压降为1 2V 因此 晶闸管导通后相当于 低阻态 晶闸管门极特性偏差很大 即使同一额定值的晶闸管之间其特性也有所不同 所以在设计门极

9、触发电路时 必须考虑这种偏差 3 晶闸管的开关过程 从图2 5中可知 晶闸管的开通时间为 td为延迟时间 tr为上升时间 晶闸管的关断时间为 在晶闸管关断的时间内 必须严格控制重加du dt 避免晶闸管再次返回导通状态 引起关断失败 1 又称光触发晶闸管 是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管 2 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子 3 大功率光控晶闸管则还带有光缆 光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器 4 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘 且可避免电磁干扰的影响 因此目前在高压大功率的场合 如高压直流输电和高压核聚变装置中 占据重要的地位 图2 3 8控晶闸管的电气图

10、形符号和伏安特性a 电气图形符号b 伏安特性 光控晶闸管 LTT 4 晶闸管的派生器件 可允许开关频率在400HZ以上工作的晶闸管称为快速晶闸管 FastSwitchingThyrister 简称FST 开关频率在10KHZ以上的称为高频晶闸管 快速晶闸管为了提高开关速度 其硅片厚度做得比普通晶闸管薄 因此承受正反向阻断重复峰值电压较低 一般在2000V以下 快速晶闸管du dt的耐量较差 使用时必须注意产品铭牌上规定的额定开关频率下的du dt 当开关频率升高时 du dt耐量会下降 快速晶闸管 FastSwitchingThyrister FST 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成

11、有两个主电极T1和T2 一个门极G 正反两方向均可触发导通 所以双向晶闸管在第 和第III象限有对称的伏安特性 与一对反并联晶闸管相比是经济的 且控制电路简单 在交流调压电路 固态继电器 SSR 和交流电机调速等领域应用较多 通常用在交流电路中 因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值 图2 3 6双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a 电气图形符号b 伏安特性 双向晶闸管 TRIAC 1 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件 2 与普通晶闸管相比 逆导晶闸管具有正压降小 关断时间短 高温特性好 额定结温高等优点 3 根据逆导晶闸管的伏安特性可知 它的反向击穿电压很低 因此只

12、能适用于反向不需承受电压的场合 4 逆导晶闸管存在着晶闸管区和整流管区之间的隔离区 5 逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和整流管的额定电流表示 图2 3 7逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a 电气图形符号b 伏安特性 逆导晶闸管 RCT 2 3 2门极可关断晶闸管 GTO 可关断晶闸管 Gate Turn OffThyristor 简称GTO 它具有普通晶闸管的全部优点 如耐压高 电流大等 同时它又是全控型器件 即在门极正脉冲电流触发下导通 在负脉冲电流触发下关断 与普通晶闸管的相同点 PNPN四层半导体结构 外部引出阳极 阴极和门极 和普通晶闸管的不同点 GTO是一种多元的功率集成器件 内

13、部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元 这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起 图1 13GTO的内部结构和电气图形符号a 各单元的阴极 门极间隔排列的图形b 并联单元结构断面示意图c 电气图形符号 1 GTO的基本原理 1 GTO的导通机理与SCR是相同的 GTO一旦导通之后 门极信号是可以撤除的 但在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和 而不象普通晶闸管那样处于深饱和状态 这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态使其关断 2 在关断机理上与SCR是不同的 门极加负脉冲即从门极抽出电流 即抽取饱和导通时储存的大量载流子 强烈正反馈使器件退出饱和而关断 导通过程与SCR一样

14、只是导通时饱和程度较浅 需经过延迟时间td和上升时间tr GTO的关断特性 1 开通过程 2 GTO的开关特性 2 关断过程 采用很大的负门极电流迅速地减小阳极电流 并过一段时间后此微小 阳极 电流降为零 这时GTO才真正关断 GTO在应用中要注意以下方面的问题 明确门极开通和关断波形 驱动电路的电源选择 缓冲吸收回路的合理设计 阳极电路限流电抗器的合理设计 2 4功率场效应管和绝缘栅双极型晶体管 2 4 1功率场效应管 MOSFET 2 4 2绝缘栅双极型晶体管 IGBT 2 4 1功率场效应管 MOSFET 1 功率MOSFET的基本结构 功率MOSFET的基本结构 2 功率MOSFET的

15、静态输出特性 当栅极电压UGS10V 典型值为 15VDC开通 8VDC关断 3 功率MOSFET的开关特性 由于功率MOSFET没有载流子累积现象 所以本质上开关速度快 仅受各电极之间的寄生电容充放电速度的影响 其开关时间与寄生电容的充放电时间相当 功率MOSFET的工作频率可达100kHz 1000kHz范围 栅极驱动电路 电阻Ron和Roff 用于调整器件的充放电时间 从而可以分别控制功率MOSFET的开通与关断时间 4 安全工作区 正向偏置安全工作区 FBSOA 导通时间越短 最大功耗耐量越高 开关安全工作区 SSOA 曲线的应用条件是 结温TJ 150 ton与toff均小于1 s

16、换向安全工作区 CSOA 5 功率MOSFET的特点 工作频率高 开关速度仅受寄生电容充放电的影响 开关损耗小 易于直接并联 安全工作区宽 栅极输入阻抗高 且呈容性 输出容量较低 导通饱和压降相对较高 导通电阻Ron正比于UBR的2 5次方 因而制约了功率MOSFET耐压不能做得太高 2 4 2绝缘栅双极型晶体管 IGBT IGBT 绝缘栅双极型晶体管 InsulatedGateBipolarTransistor 兼具功率MOSFET高速开关特性和GTR的低导通压降特性两者优点的一种复合器件 IGBT于1982年开始研制 1986年投产 是发展最快而且很有前途的一种混合型器件 目前IGBT产品已系列化 最大电流容量达1800A 最高电压等级达4500V 工作频率达50kHZ 在电机控制 中频电源 各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域 IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场 IGBT基本上是功率MOSFET的漏极端追加P型半导体层的结构 等效成PNP型双极性晶体管和功率MOSFET的复合电路 在IGBT的栅极上施加正电压时 在栅极电极下N沟道形成导通的形式 这一点是与功率