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1、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 if u 非线性 uD V 0 400 8 10 iD mA 5 10 15 A 10 0 6 30 30 硅二极管2CP10的伏安特性 A V R D iD vD 二极管的伏安特性及电流方程 1 工作区的划分 死区 开启电压Uth 材料开启电压 硅Si0 5V 锗Ge0 1V 当外加正向电压很低时 由于外电场还 不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动 的阻力 故正向电流很小几乎为零 这一区 域称之为死区 uD V 0 400 8 10 iD mA 5 10 15 A 10 0 6 30 30
2、二极管的伏安特性及电流方程 1 工作区的划分 导通区 导通压降Uon 外加正向电压超过死区电压时 内电场 大大削弱 正向电流迅速增长 二极管进入 正向导通区 电压再继续增加时 电流迅速 增大 而二极管端电压却几乎不变 此时二 极管端电压称为导通压降 材料导通压降 硅Si0 5 0 8V 0 7V 锗Ge0 1 0 3V uD V 0 400 8 10 iD mA 5 10 15 A 10 0 6 30 30 二极管的伏安特性及电流方程 1 工作区的划分 反向截止区 反向饱和电流Is 在二极管两端加反向电压时 将有很小 的 由少子漂移运动形成的反向饱和电流 Is 通过二极管 材料反向饱和电流 硅
3、Si1 A以下 锗Ge几十 A 随温度的上升增长很快 在反向电压不超过某一范围时 反向电流的 大小基本恒定 uD V 0 400 8 10 iD mA 5 10 15 A 10 0 6 30 30 二极管的伏安特性及电流方程 1 工作区的划分 反向击穿区 反向击穿电压UBR 外加反向电压超过反向击穿电压UBR时 反向电流突然增大 二极管失去单向导电性 进入反向击穿区 电击穿 可逆 雪崩击穿 掺杂浓度低 齐纳击穿 掺杂浓度高 热击穿 不可逆 uD V 0 400 8 10 iD mA 5 10 15 A 10 0 6 30 30 二极管的伏安特性及电流方程 2 二极管的电流方程 I mA I u
4、A 正向特性为 指数曲线 反向特性为横 轴的平行线 1 DT uU Ds iI e 26mv T kT Uv q 常温 TD UU sD eIi 正向偏置 sD Ii 反向偏置 UthUon 温度电压当量 T 在电压不变情况下电流 正向特性左移 T 反向饱和电流IS 反向特性下移 二极管的伏安特性及电流方程 3 伏安特性受温度影响 增大1倍 10 uD V 0 400 8 10 iD mA 5 10 15 A 10 0 6 30 30 二极管的伏安特性及电流方程 4 二极管动态电阻和静态电阻 静态电阻 D D D V R I 二极管的伏安特性及电流方程 4 二极管动态电阻和静态电阻 动态电阻 内阻 D D D V r I 二极管的伏安特性及电流方程 1 工作区的划分 3 二极管的电流方程 4 伏安特性受温度影响 5 二极管动态电阻和静态电阻 I mA I uA UthUon 2 重要参数
