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1、20套答案第一套题答案！一、填空题（共8小题，每空1分，共20分）1、空1 信息电子技术2、空1 开关；空2 开关 3、空1 载波比；空2 同步；空3 分段同步4、空1 冲量；空2 形状 5、空1 MOSFET；空2 GTO；空3 IGBT6、空1 ；空2 7、空1 有源；空2 无源8、空1 VD1；空2 V1；空3 VD2；空4 V2；空5 VD1二、选择题（共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（B） 2、（D） 3、（C） 4、（C） 5、（D）6、（A） 7、（C） 8、（B） 9、（A） 10、（B）三、简答题（共 3 小题，共22分）1、（7分）晶闸管导通的条件是
2、：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触发电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流以上。导通后的晶闸管管压降很小。（3分）使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值维持电流以下。其方法有二：（1）减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压；（2分）（2）增加负载回路中的电阻。（2分）2、（8分）(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3) 阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反
3、馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。（3分）3、（7分）（1）外部条件：要有一个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于Ud；（2分）（2）内部条件：变流电路必须工作于90区域，使直流端电压Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。这两个条件缺一不可。（2分）当出现触发脉冲丢失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。当逆变角太小时，也会发生逆变失败。（3分）四、作图题（共 2 小题，每题12分，共24分）1、（12分）同步变压器的钟点数为Y/Y-10,4晶 闸 管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电
4、压+Uu-Uw+Uv-Uu+Uw-Uv同 步 电 压UsU-UsWUsV-UsUUsW-UsV2、（12分）五、计算题（共 1 小题，20分）1、(1) (a)Ud=0.9U2cos=0.9220cos600=99V（1分） Id=Ud/R=99/4=24.75A（1分）I2=Id=24.75A （1分）IdVT=1800/3600Id=24.75/2=13.38A（1分）IVT=（2分）（b）波形如图1所示（3分）（2）（a）Ud=0.9U2（1+cos）/2=0.9220（1+cos600）/2=148.5V（1分）Id=Ud/R=148.5/4=37.13A IdVT=（1800-）/3
5、600Id=（1800-600）/360037.13=12.38A（1分）（1分）（2分）IdVD=2/3600Id=2600/360037.13=12.38A（1分）（2分）（b）波形如图2所示（3分） 图1 波形图 图2 波形图试卷参考答案及评分标准( 2 卷)一、填空题：（本题共 6 小题，每空1分，共15分）1、空1 GTR；空2 IGBT 2、空1 基波电流相移；空2 电流波形畸变 3、空1 均压 4、空1 24 5、空1 交流变直流；空2 直流变交流；空3 直流变直流；空4 交流变交流 6、空1 V1；空2 VD1；空3 V2；空4 VD2；空5 第2二、选择题：（本题共 11 小
6、题，9，10，11小题每题2分，其余每题1分，共14分）1、（D） 2、（A） 3、（B） 4、（C） 5、（D） 6、（B） 7、（C） 8、（C） 9、（D） 10、（B） 11、（C）三、简答题：（本题共 4 小题，共30分）1、（7分）答：(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压基本无脉动；（2分）(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；（3分）(3) 阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反馈的无功提供通道，逆变桥各臂并联反馈二极管。（2分）2、（8分）答：图a不合理（1分），电流小于维持电流（2分）图b不合理（1分），最高电压大于额定电压（1分）图c合理（
7、1分），电流为150A小于1001.57（2分）3、（7分）答：储存电能升压（3分）；保持输出电压稳定（4分）。 4、（8分）答：出现换相重叠角，整流输出电压平均值Ud降低；整流电路的工作状态增多；（2分）晶闸管的di/dt 减小，有利于晶闸管的安全开通；（2分）有时人为串入进线电抗器以抑制晶闸管的di/dt；换相时晶闸管电压出现缺口，产生正的du/dt，可能使晶闸管误导通，为此必须加吸收电路（2分）；换相使电网电压出现缺口，成为干扰源。（2分）四、作图题：（本题共3小题，共26分）1、（8分）2、（12分）3、（6分）控制电路驱动电路检测电路主电路五、计算题：（本题共1小题，共15分）解：1
8、、wL=2fL=62.810R=10此为大电感负载，负载端电流波形平直。（3分）Ud=2.34U2cos=117V （3分）Id=Ud/R=117A （3分）I2=175.5A。 （3分） 波形绘制 （3分）试卷参考答案及评分标准( 3 卷)课程名称： 电力电子技术 选课课号： 适用专业/年级： 抽（命）题人： 考试方式： 闭卷 卷面总分： 100 分一、填空题（本题共7小题，每空1分，共20分）1、空1 GTR；空2 GTO；空3 MOSFET；空4 IGBT；空5 MOSFET；空6 GTR。2、空1 要有足够的驱动功率；空2 触发脉冲前沿要陡幅值要高；空3 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步
9、。3、空1 均流；空2 串专用均流电抗器。4、空1 正弦波；空2 方波。5、空1 180。6、空1 增加；空2 下降。7、空1 快速熔断器；空2 串进线电抗器；空3 接入直流快速开关；空4 控制快速移相使输出电压下降。二、选择题（本题共10小题，每小题1分，共10分）1、（A） 2、（C） 3、（B） 4、（A） 5、（A）6、（D） 7、（C） 8、（C） 9、（B） 10、（D）三、判断题（本题共10小题，每小题1分，共10分）1、（） 2、（） 3、（） 4、（） 5、（）6、（） 7、（） 8、（） 9、（） 10、（）四、简答题（本题共3小题，共32分）1、（12分）答：对IGBT、
10、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：（每格1.5分）器 件优 点缺 点IGBT开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTOGTR耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低电 力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动
11、功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置2、（10分）答：图是带有泵升电压限制电路的电压型间接交流变流电路，它在中间直流电容两端并联一个由电力晶体管V0和能耗电阻R0组成的泵升电压限制电路。当泵升电压超过一定数值时，使V0导通，把从负载反馈的能量消耗在R0上（5分）。其局限性是当负载为交流电动机，并且要求电动机频繁快速加减速时，电路中消耗的能量较多，能耗电阻R0也需要较大功率，反馈的能量都消耗在电阻上，不能得到利用（5分）。3、（10分）答：根据电路中主要的开关元件开通及关断时的电压电流状态，可将软开关电路分为零电压电
12、路和零电流电路两大类；根据软开关技术发展的历程可将软开关电路分为准谐振电路，零开关PWM电路和零转换PWM电路（4分）。 准谐振电路：准谐振电路中电压或电流的波形为正弦波，电路结构比较简单，但谐振电压或谐振电流很大，对器件要求高，只能采用脉冲频率调制控制方式（2分）。 零开关PWM电路：这类电路中引入辅助开关来控制谐振的开始时刻，使谐振仅发生于开关过程前后，此电路的电压和电流基本上是方波，开关承受的电压明显降低，电路可以采用开关频率固定的PWM控制方式（2分）。 零转换PWM电路：这类软开关电路还是采用辅助开关控制谐振的开始时刻，所不同的是，谐振电路是与主开关并联的，输入电压和负载电流对电路的谐振过程的影响很小，电路在很宽的输入电压范围内并从零负载到满负载都能工作在软开关状态，无功率的交换被消减到最小（2分）。五、作图题（本题共1小题，共16分）每图4分六、计算题（本题共1小题，共12分）4分2分2分2分2分试卷参考答案及评分标准( 4 卷)课程名称： 电力电子技术 选课课号： 适用专业/年级： 抽（命）题人： 考试方式： 闭卷 卷面总分： 100 分一、填空（本题共5小题，每空1分，共20分）1、空1 1.57；空2 157；空3 1.52；2、空1 阴；空2 阳；空3 60度；空4 120；空5 两；空6 阴；空7 阳；空8 不在同一桥臂上；3、空1 零电压电路；空2
