书 山 有 路 mos管d、s反接的问题P沟道的，本来就是MOS管本身里有一个体二极管，是D级到S级，就按沟道不打开，电流不经过沟道过去，也可以先过它的体二极管到S级的S级有高电平后，不就S大于G了吗？这时候沟道不就打开了？电流就开始走沟道，而不走体二极管了如果D加正电位当然电流从D流向S，而S加正电位对于NMOS管是不推荐的因为MOS管从结构上来说实际上有4个电极，G/D/S和B衬底Bulk虽然说NMOS电流可以从D流向S也可以从S流向D，但是衬底B应该接最低电位，对于N管就是负电位，对于P管就是正电位也就是说D/S互换使用时，B也要改变连接的位置而在多数分立的MOS管中已经把B和定义为S的沟道一端连在一起了，只引出G/D/S三个电极，除非有的MOS管B极另有用途而单独引出这样一来如果D/S交换，开启电压/跨导/通导电阻等参数都会变坏，所以一般不建议这样使用要求双向导电的场合，可以用N管与P管并联的电路结构9不过有些DC/DC的防反接保护就是使用N型MOS管的S至D导通方向来实现的，那样应怎么解释呢？正如你自己所说的这是一个反接保护电路，一反接D就为正了，保护管就起作用了。
你还忽略了IRL3103的DS间还并联了一个保护二极管，当你没有接反时，正常电流主要通过这个二极管回流到电源负端，而反的DS电压不会超过二极管正向压降当你接反时，二极管不导电，电流全靠MOS控制，而MOS的G端变负或0而截止了不过注意IRL3103的GS是可以承受正负电压的 详细讲解MOSFET管驱动电路 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的 包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路 1，MOS管种类和结构 MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种 至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底 对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电 阻小，且容易制造所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOSMOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的 2，MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS 3，MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大3。