功率晶体管(GTR)的特性.doc

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1、功率晶体管(GTR)的特性 功率晶体管(GTR)具有控制方便、开关时间短、通态压降低、高频特性好、安全工作区宽等优点。但存在二次击穿问题和耐压难以提高的缺点,阻碍它的进一步发展。 、结构特性 1、结构原理 功率晶体管是双极型大功率器件,又称巨型晶体管或电力勗体管,简称GTR。它从本质上讲仍是晶体管,因而工作原理与一般晶体管相同。但是,由于它主要用在电力电子技术领域,电流容量大,耐压水平高,而且大多工作在开关状态,因此其结构与特性又有许多独特之处。 对GTR的要求主要是有足够的容量、适当的增益、较高的速度和较低的功耗等。由于GTR电流大、功耗大,因此其工作状况出现了新特点、新问题。比如存在基区大

2、注入效应、基区扩展效应和发射极电流集边效应等,使得电流增益下降、特征频率减小,导致局部过热等,为了削弱这种影响,必须在结构上采取适当的措施。目前常用的GTR器件有单管、达林顿管和模块三大系列。 三重扩散台面型NPN结构是单管GTR的典型结构,其结构和符号如图1所示。这种结构的优点是结面积较大,电流分布均匀,易于提高耐压和耗散热量;缺点是电流增益较低,一般约为1020g。图1、功率晶体管结构及符号图2、达林顿GTR结构(a)NPN-NPN型、(b)PNP-NPNxing 达林顿结构是提高电流增益的一种有效方式。达林顿GTR由两个或多个晶体管复合而成,可以是PNP或NPN型,如图2所示,其中V1为

3、驱动管,可饱和,而V2为输出管,不会饱和。达林顿GTR的电流增益大大提高,但饱和压降VCES也较高且关断速度较慢。不难推得IC=IB1.VCES=VCES1+VCES2(其中12) 目前作为大功率开关应用最多的是GTR模块。它是将单个或多个达林顿结构GTR及其辅助元件如稳定电阻、加速二极管及续流二极管等,做在一起构成模块,如图3所示。为便于改善器件的开关过程或并联使用,有些模块的中间基极有引线引出。GTR模块结构紧凑、功能强,因而性能价格比大大提高。图3、GTR模块的等效电路 2、特性参数 1)输出特性与电流增益 GTR的共射极输出特性如图4所示。可分为四个区,即:阻断区、线性区、准饱和区及深

4、饱和区。用作开关时,应尽量避免工作于线性区,否则功耗很大。进入深饱和区,虽功耗小,但关断时间长且安全工作区变窄.因此一般工作于准饱和区。饱和压降VCES是一重要参数,它越小,GTR的功耗越小。VCES随IC和温度的增加而增大。图4、共射极电路输出特性 GTR的共射极电流增益随集电极电流IC和结温Ti变化,如图5所示。可见,大电流时沒下降,限制了GTR的电流容量。图5、IC关系曲线 2)开关特性 开关过程可分四个阶段:开通过程、导通状态、关断过程、阻断状态。GTR开关过程的电流波形如图6所示。其中,开通时间ton包括延迟时间td和上升时间tc,关断时间toff包括存储时间ts和下降时间ti。一般

5、开关时间越短,工作频率越高。为缩短开通时间,可选结电容小的管子或提高驱动电流的幅值和陡度。为缩短关断时间,可选小的管子,防止深饱和,增加反偏电流等。图6、GTR开关过程的电流波形 电压上升率dv/dt和电流上升率di/dt会影响开关过程。为防止过高的dv/dt或di/dt对GTR造成危害,一般应加接缓冲电路。 3)二次击穿与安全工作区 二次击穿是集-射电压突然变低而电流激增的现象。GTR的二次击穿特性如图7所示,包括发射结正偏、开路和反偏三种情况。其中正偏二次击穿对GTR的威胁最大。图7、GTR的二次击穿特性 安全工作区SOA是指GTR能够安全运行的电流、电压、功耗的极限范围,分为正偏安全工作区和反偏安全工作区,如图8所示。其中正偏安全工作区受最大集电极电流ICM、最大耐压BVCEO、最大允许功耗PCM和二次击穿触发功率PS/B的限制。DC为直流情况,虚线为脉冲情况,反向偏置安全工作区受最大集电极电流、集-射维持电压和二次击穿功率的限制。来自海洋兴业仪器。图8、正偏安全工作区 4)其他特性参数 主要有集电极电压最大值、发射极电压最大值、集电极电流最大值ICM、基极电流最大值IBM、最大功耗PCM、最高结温TIM等。由干各参数均受温度影响,因此应采取有效散热措施,确保GTR结温不超过规定值。

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