全国各地高考物理分类汇编磁场.doc

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1、2013年全国各地高考招生物理试题汇编-磁场5(2013重庆卷)如题5图所示,一段长方体形导电材料,左右两端面的边长都为a和b,内有带电量为q的某种自由运动电荷。导电材料置于方向垂直于其前表面向里的匀强磁场中,内部磁感应强度大小为B。当通以从左到右的稳恒电流I时,测得导电材料上、下表面之间的电压为U,且上表面的电势比下表面的低。由此可得该导电材料单位体积内自由运动电荷数及自由运动电荷的正负分别为A,负 B,正 C,负 D,正答案:C21【2013广东高考】如图9,两个初速度大小相同的同种离子a和b,从O点沿垂直磁场方向进人匀强磁场,最后打到屏P上。不计重力。下列说法正确的有Aa、b均带正电Ba

2、在磁场中飞行的时间比b的短Ca在磁场中飞行的路程比b的短Da在P上的落点与O点的距离比b的近答案:AD13【2013上海高考】如图,足够长的直线ab靠近通电螺线管,与螺线管平行。用磁传感器测量ab上各点的磁感应强度B,在计算机屏幕上显示的大致图像是答案:C15【2013江苏高考】. (16 分)在科学研究中,可以通过施加适当的电场和磁场来实现对带电粒子运动的控制. 如题15-1 图所示的xOy 平面处于匀强电场和匀强磁场中,电场强度E 和磁感应强度B 随时间t 作周期性变化的图象如题15-2 图所示. x 轴正方向为E 的正方向,垂直纸面向里为B的正方向. 在坐标原点O 有一粒子P,其质量和电

3、荷量分别为m 和+q. 不计重力. 在t = 时刻释放P,它恰能沿一定轨道做往复运动.(1)求 P在磁场中运动时速度的大小 v0;(2)求B0 应满足的关系;(3)在t0(0t0 0),质量为m的粒子沿平行于直径ab的方向射人磁场区域,射入点与ab的距离为R/2。已知粒子射出磁场与射入磁场时运动方向间的夹角为600。,则粒子的速率为(不计重力 ) A qBR/2m BqBR/m C 3qBR/2m D 2qBR/m 答案:B解析:带电粒子沿平行于直径ab的方向射人磁场区域做匀速圆周运动,运动轨迹如图。设运动半径为r,圆心为O,连接OC、OO,OO垂直平分弦长CD。已知粒子射出磁场与射入磁场时运

4、动方向间的夹角为600,所以C OD=600, 又CE= R/2,所以C OE=300,则C O O=C OO= 300,C O=CO,即r=R。再根据洛仑兹力提供向心力有, 解得,所以B选项正确。15(2013安徽高考)图中a、b、c、d为四根与纸面垂直的长直导线,其横截面积位于正方形的四个顶点上,导线中通有大小相等的电流,方向如图所示。一带正电的粒子从正方形中心O点沿垂直于纸面的方向向外运动,它所受洛伦兹力的方向是A向上 B向下 C向左 D向右【答案】B23(2013安徽高考)(16分)xabcByOPEv0如图所示的平面直角坐标系xoy,在第象限内有平行于轴的匀强电场,方向沿y正方向;在

5、第象限的正三角形区域内有匀强电场,方向垂直于xoy平面向里,正三角形边长为L,且边与y轴平行。一质量为、电荷量为q的粒子,从y轴上的点,以大小为的速度沿x轴正方向射入电场,通过电场后从x轴上的点进入第象限,又经过磁场从y轴上的某点进入第象限,且速度与y轴负方向成45角,不计粒子所受的重力。求:(1)电场强度E的大小;(2)粒子到达点时速度的大小和方向;(3)区域内磁场的磁感应强度的最小值。【答案】(1)(2)方向指向第IV象限与x轴正方向成450角r450xabcByOPEv0(3)【解析】(1)设粒子在电场中运动的时间为t,则有 联立以上各式可得 (2)粒子到达a点时沿负y方向的分速度为 所

6、以 方向指向第IV象限与x轴正方向成450角 (3)粒子在磁场中运动时,有 当粒子从b点射出时,磁场的磁感应强度为最小值,此时有 所以(2)(2013山东理综)霍尔效应是电磁基本现象之一,近期我国科学家在该领域的实验研究上取得了突破性进展。如图丙所示,在一矩形半导体薄片的P、Q间通入电流I,同时外加与薄片垂直的磁场B,在M、N间出现电压UH,这个现象称为霍尔效应,UH称为霍尔电压,且满足,式中d为薄片的厚度,k为霍尔系数。某同学通过实验来测定该半导体薄片的霍尔系数。若该半导体材料是空穴(可视为带正电粒子)导电,电流与磁场方向如图丙所示,该同学用电压表测量UH时,应将电压表的“+”接线柱与_(填

7、“M”或“N”)端通过导线相连。已知薄片厚度d=0.40mm,该同学保持磁感应强度B=0.10T不变,改变电流I的大小,测量相应的UH值,记录数据如下表所示。根据表中数据在给定区域内(见答题卡)画出UHI图线,利用图线求出该材料的霍尔系数为_(保留2位有效数字)。该同学查阅资料发现,使半导体薄片中的电流反向再次测量,取两个方向测量的平均值,可以减小霍尔系数的测量误差,为此该同学设计了如图丁所示的测量电路,S1、S2均为单刀双掷开关,虚线框内为半导体薄片(未画出)。为使电流从Q端流入,P端流出,应将S1掷向_(填“a”或“b”), S2掷向_(填“c”或“d”)。 为了保证测量安全,该同学改进了

8、测量电路,将一合适的定值电阻串联在电路中。在保持其它连接不变的情况下,该定值电阻应串联在相邻器件_和_(填器件代号)之间。21答案(2)M如右图所示,1.5(1.4或1.6)b,c;S1,E(或S2,E)23(2013山东理综).(18分)如图所示,在坐标系xoy的第一、第三象限内存在相同的匀强磁场,磁场方向垂直于xoy面向里;第四象限内有沿y轴正方向的匀强电场,电场强度大小为E. 一质量为、带电量为的粒子自y轴的P点沿x轴正方向射入第四象限,经x轴上的Q点进入第一象限,随即撤去电场,以后仅保留磁场。已知OP=d,OQ=2d,不计粒子重力。(1)求粒子过Q点时速度的大小和方向。(2)若磁感应强

9、度的大小为一定值B0,粒子将以垂直y轴的方向进入第二象限,求B0;(3)若磁感应强度的大小为另一确定值,经过一段时间后粒子将再次经过Q点,且速度与第一次过Q点时相同,求该粒子相邻两次经过Q点所用的时间。23.解:(1)设粒子在电场中运动的时间为,加速度的大小为a,粒子的初速度为,过Q点时速度的大小为v,沿y轴方向分速度的大小为,速度与x轴正方向间的夹角为,由牛顿第二定律得 由运动学公式得 联立式得 (2)设粒子做圆周运动的半径为,粒子在第一象限的运动轨迹如图所示,为圆心,由几何关系可知O1OQ为等腰直角三角形,得 由牛顿第二定律得 联立式得 (3)设粒子做圆周运动的半径为,由几何分析(粒子运动

10、的轨迹如图所示,、是粒子做圆周运动的圆心,Q、F、G、H是轨迹与两坐标轴的交点,连接、,由几何关系知,和均为矩形,进而知FQ、GH均为直径,QFGH也是矩形,又FHGQ,可知QFGH是正方形,QOG为等腰直角三角形)可知,粒子在第一、第三象限的轨迹均为半圆,得 粒子在第二、第四象限的轨迹为长度相等的线段,得 设粒子相邻两次经过Q点所用的时间为t,则有 联立得 22(2013北京高考)(16分)如图所示,两平行金属板间距为d,电势差为U,板间电场可视为匀强电场;金属板下方有一磁感应强度为B的匀强磁场。带电量为+q、质量为m的粒子,由静止开始从正极板出发,经电场加速后射出,并进入磁场做匀速圆周运动

11、。忽略重力的影响,求:匀强电场场强E的大小;粒子从电场射出时速度v的大小;粒子在磁场中做匀速圆周运动的半径R。解析:匀强电场的电场强度的大小:E=Ud (2)根据动能定理有: qU=12mv2,解得:v=2qUm (3)粒子在磁场中做匀速圆周运动时,洛伦兹力提供向心力,有: qBv=mv2R,将上述v=2qUm代入解得:R=1B2mUq 24(2013北京高考).(20分)对于同一物理问题,常常可以从宏观与微观两个不同角度进行分析研究,找出其内在联系,从而更加深刻地理解其物理本质。一段横截面积为S、长为L的直导线,单位体积内有n个自由电子,电子电量为e。该导线通有电流时,假设自由电子定向移动的

12、速率均为V。求导线中的电流I将该导线放在匀强磁场中,电流方向垂直于磁感应强度B,导线所受安培力大小为F安,导线内自由电子所受洛伦兹力大小的总和为F,推导F安=F。正方体密闭容器中有大量运动粒子,每个粒子质量为m,单位体积内粒子数量n为恒量。为简化问题,我们假定:粒子大小可以忽略;其速率均为V,且与器壁各面碰撞的机会均等;与器壁碰撞前后瞬间,粒子速度方向都与器壁垂直,且速率不变。利用所学力学知识,导出器壁单位面积所受粒子压力f与m、n和v的关系。(注意:解题过程中需要用到、但题目没有给出的物理量,要在解题时做必要的说明)解析:1 设t时间内通过导体横截面的电量为q,由电流定义,有I=qt=neSvtt=neSv2 每个自由电子所受的洛伦兹力F洛=eBv设导体中共有N个自由电子,则N=nSL导体内自由电子所受洛伦兹力大小的总和F合=NF洛=nSLeBv 由安培力公式,有F安=BIL,将中的电流式代入有F安=neSvBL可得F

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