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1、SMT名词辞典索引： * A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 中*-A-Anti-Static Material抗静电材料【静电防制】在静电防制的领域中，所指的抗静电材料乃是指其材料具有下列的特性时即可称之：(1)能抑制摩擦生电的材料(ESDA ADV 1.0)，或(2)能抑制摩擦生电至200V以下的材料(EIA 625)；而抗静电材料的定义并不是由量测其表面电阻率或体积电阻率来决定其特性，而是直接利用摩擦后的结果来测定的。回索引AOI自动视觉检查Automatic Optical Inspection【SMT】在自动化生产制
2、程中，以光学机器设备对产品进行视觉检查的一种设备。通常以CCD镜头将基板影像作分割照相后，再利用数字影像分析软件来对于零件之外型、标示、位置等及焊点之色泽来判定缺件、偏移、错件、空焊等问题；对于短路之色泽及形状判定目前技术上则显得有较差之倾向。对于非视觉可检测之部份如BGA焊点则非其能力可及。回索引B-Bead电感器【SMT】Bead一字原本意思为珠、串珠的意思，但在SMT制程中不知何时开始却有了一约定俗成的说法来泛指片状大小Chip-Size之积层电感器组件。回索引BGA(球状数组): Ball Grid Array【SMT】一种芯片封装技术，其中包括有PBGA、CBGA、VBGA等等，其典
3、型的构形为在一印刷有对应于裸晶I/O讯号输出线路的PCB载板上，将芯片搭载其上，并利用极微细金线打线连接芯片与PCB载板，而在载板下方则是以锡球数组来作为其与外界连接之媒介。因为BGA之I/O输出入连接是以2D状的平面锡球数组来构成，故其较传统的一维数组的仅能于四边有脚之QFP组件而言，在相同面积的形状下能有更多的I/O排列，且在相同的I/O条件下其间隔Pitch亦得以较大，这对于SMT以生产技术的观点上将可较容易生产且维持较高的良率。回索引Build up process(增层法):【前工程】一种印刷电路板的新技术，有助于PCB厂商缩短生产流程，提高良率与产量，同时提高PCB厂跨足高阶多层板
4、的领域。回索引C-Capacitor电容器【SMT】一种利用平行平面间电荷聚集累积电场而储存能量的组件。在以前传统的制程多以纸卷间隔的形式作成电解电容；而在SMT的小型化的制程中则以氧化铝等材料作成薄膜，再层迭印刷上银浆等材质作成感电电极之方式制成，称之为积层电容。其成品大小甚至可做到0201之微小零件程度。回索引Chip 集成电路:【SMT】（IC, Integrated Circuit）的一种。主要通称于计算机或相关产业。是把成千上万的晶体管逻辑闸如AND、OR、NOR设计浓缩在一片不到指甲大小的硅微片上，如此可缩小传统电子回路的体积。回索引Chip Carrier: 芯片载体【SMT】表
5、面组装集成电路的一种基本封装形式,它是将集成电路芯片和内引外线封装于塑料或陶瓷壳体之内, 向壳外四边引出相应的焊端或短引线;也泛指采用这种封装的表面组装集成电路. 回索引Chipset:【SMT】芯片组，被大幅缩小并置入到芯片当中的主板电路，负责连通主板上的各种组件，使组件与组件间能正确地沟通与运作，可说是主板上各项组件的桥梁。回索引CIG玻板内芯片接合Chip In Glass【前工程】指如同COG般但是将芯片包覆于玻璃板内之接合方式，主要应用于1”3”间之LCD panel制程。回索引CLCC陶瓷无引线芯片承载器Ceramic Leadless Chip Carrier【SMT】封装材质或
6、承载基材为陶瓷的LCC组件。回索引COB芯片式印刷电路板Chip On Board【SMT】COB为一种将芯片Die上之I/O以凸块技术Bonding凸显出来以便于将芯片像一颗微小型的BGA一样置件接合在印刷电路板的技术，或者是通指该类组件而言。回索引COG芯片/玻板接合Chip On Glass【前工程】如同COB般，只是在其接合面为玻璃材质时所称之。通常在这类情形时，在玻璃板表面会先以蒸镀等方式先将电路印刷上去再作接合的技术，主要是应用于6”左右大小的LCD Panel类的产品。回索引Conductive Materials导电材料【静电防制】表面电阻率小于1x105/square，或体积
7、电阻率小于1x104-CM的材料(EIA-625, MIL-263B,ESD ADV 1.0)。回索引Connector连接器【SMT】在电路上用以连接线材与基板间、或对各输出外围间之零件。依其所连接之部份不同而有相当多的外型及材料结构区分。一般而言连接器均为公母座成对匹配，才能相互连接形成电路导通。回索引Crystal晶体【SMT】利用硅等半导体结晶通上电压流时会有产生结晶高频共振的现象所作成之零件，最主要应用于通电后需要得到一个频率响应的电路设计上，如无线电载波、讯号混波编码等情形。回索引CSP(芯片型构装): Chip Scale Package【SMT】一种芯片封装技术，CSP构装是指
8、构装面积为芯片面积1.5倍以内者，即可称为CSP构装。回索引D-DIP双排钉脚包装型态Dual In Line Package【后工程】目前市面上电子零件材料行所能购得的大多数IC均为此型态，其外形为一矩形黑色塑料封装，从两侧延伸出向下之扁针状连接脚作为I/O输出入电极，因具有价格便宜的特性，故目前仍有相当大之应用范围。回索引Diode二极管【SMT】利用硅锗等三、五价的半导体材料接面单向导通的特性所作成的电子材料，其为电子等半导体工业之最基本组件之一，有广泛的应用。回索引E-ESD & EOS静电放电与过电压破坏”Electrostatic Discharge” & “Electrical
9、Over-Stress”【静电防制】一般来说，在静电不良分析的角度上来说最常见到的就是ESD与EOS这两个名词，ESD指的是当ESDS Item在遭受到本身或其他外部产生之静电压场瞬间由局部放电所造成的破坏情形，而EOS则是指其他测试机台、生产机台、仪器、治具等所产生之设计不当电压(流)、或是漏电流对组件所造成之破坏情形称之；两者在成因上有很大的不同，所以在分析时亦可依据一些特性可看出一些端倪。首先是绝大多数的情况下EOS的电流均远大于ESD所产生的电流，且破坏时间上ESD多为数nS而EOS则可到数S之久，所以在成相分析上EOS的破坏点多可见到焦黑的情形，而ESD则多仅可见漏电流产生路径之痕迹
10、或空洞罢了！回索引ESD Protective Area静电放电防护区域Electrostatic Discharge Protective Area【静电防制】内含ESDS组件的大范围工作区域，所有人员进入时皆应穿戴适当之接地设备，且所有行为亦需遵守其相关规定。回索引ESD Protective Package静电放电防护包装Electrostatic Discharge Protective Package【静电防制】能够限制摩擦生电、屏蔽静电场或免除静电放电对ESDS组件产生破坏的包装。回索引ESD Protective Workstation静电放电防护工作站Electrostatic
11、 Discharge Protective Workstation【静电防制】内含ESDS Item的特定工作区域，必须符合SSZ之要求，通常其范围较小，如SMT线、手插件区、测试区、重工区等等。回索引ESDS Item静电放电敏感组件Electrostatic Discharge Sensitive Item【静电防制】指对于静电放电敏感易被ESD破坏的组件、组件或模块。回索引F-FC触焊式芯片裸晶Flip Chip【SMT】通常单指从晶圆上切割下来的未经封装的芯片，其芯片上已经具有电路者；也有另一种制程是将芯片上之I/O以长凸块技术Bonding凸长出来而直接接合于电路上的，亦称之为FC裸
12、晶。回索引FPC可绕式印刷电路软扁平电缆Felxible Print Circuit(Cable)【SMT】在塑料片中印刷入铜箔线排使得扁平电缆得以仅有一张胶片般的厚度者，而且具有高度的可弯绕性，多应用于如打印机印字头的讯号连接扁平电缆、或笔记本电脑的Keyboard讯号连接等，在需要经常单向活动或受空间极度限制之位置使用之。回索引Fuse保险丝【SMT】在电路上用以保护电路断开过载电流的一种电子零件，最简单的一种为使用低熔断温度的金属丝作成，当其流通过的电流过大造成温度升高时即熔毁形成断路，以用来保护后段之线路不受损害。保险丝的种类很多，有热熔断型、快断型、延迟熔断型、及半导体材料的自复保险丝等多种类型。回索引G-H-I-ILB内引脚技术Inner Lead Bonding【前工程】为TA
