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1、IC产业链的分工 目前微电子产业已逐渐演变为设计 制造和封装三个相对独立的产业 IC制作 tw 0IC制造技术 1 晶片制备2 掩模板制备3 晶片加工 Diffmodule PHOTOmodule ETCHmodule Iniox Sisub PR Thinfilmmodule Iniox Sisub Diff PHOTO ETCH T F FinalTest IC制造过程 IC內部结构 NPN双极型晶体管 三极管 第一块IC MOS结构 0 1晶片制备 1 材料提纯 硅棒提纯 2 晶体生长 晶棒制备 3 切割 切成晶片 4 研磨 机械磨片 化学机械抛光CMP 5 晶片评估 检查 0 1 1材
2、料提纯 硅棒提纯 提纯原理 盐水结冰后 冰中盐的含量较低 在液态硅 熔区 中 杂质浓度大些提纯方法 区域精炼法 液态物质降温到凝固点以下 有些原子 分子会趋于固体结构的排列 形成较小的核心 晶粒 控制晶粒取向 可得到单晶结构的半导体 例如 8 晶片的晶棒重达200kg 需要3天时间来生长 0 1 2晶棒生长 直拉法 0 1 3切割 切成晶片 锯切头尾 检查定向性和电阻率等 切割晶片晶片厚约50 m 0 2掩模板制备 特殊的石英玻璃上 涂敷一层能吸收紫外线的鉻层 氧化鉻或氧化铁 再用光刻法制造光刻主要步骤涂胶曝光显影显影蚀刻 光刻工艺 掩模板应用举例 光刻开窗 0 3晶片加工 主要步骤 氧化开窗
3、掺杂金属膜形成掺杂沉积钝化 0 3 1氧化 氧化膜 SiO2 SiNH 的作用 保护 如 钝化层 密度高 非常硬 掺杂阻挡 阻挡扩散 实现选择性掺杂绝缘 如 隔离氧化层介质 电容介质 MOS的绝缘栅晶片不变形 与Si晶片的热膨胀系数很接近 在高温氧化 掺杂 扩散等公益中 晶片不会因热胀冷缩而产生弯曲 氧化 氧化方法 溅射法 真空蒸发法 CVD 热氧化法等例 干氧化法 Si O2 SiO2 均匀性好 湿氧化法 Si O2 SiO2 生长速度快 Si 2H2O SiO2 H2 0 3 2开窗 0 3 3掺杂 扩散 扩散原理杂质原子在高温 1000 1200度 下从硅晶片表面的高浓度区向衬底内部的低
4、浓度区逐渐扩散 扩散浓度与温度有关 1000 1200度扩散快 0 3 4扩散 扩散步骤 1 预扩散 淀积 恒定表面源扩散 扩散过程中 硅片的表面杂质浓度不变 温度低 时间短 扩散浅 控制扩散杂质的数量 2 主扩散有限表面源扩散 扩散过程中 硅片的表面杂质源不补充 温度高 时间长 扩散深 控制扩散杂质的表面浓度和扩散深度 或暴露表面的氧化 扩散 扩散分类及设备 按照杂质在室温下的形态分为 液态源扩散 气态源扩散 固态源扩散 0 3 5薄膜淀积 金属化 薄膜 一般指 厚度小于1um薄膜淀积技术 形成绝缘薄膜 半导体薄膜 金属薄膜等金属化 多层互连 将大量相互隔离 互不连接的半导体器件 如晶体管
5、连接起来 构成一个完整的集成块电路 0 3 5 1薄膜淀积 薄膜 小于1um 要求 厚度均匀 高纯度 可控组分 台阶覆盖好 附着性好 电学性能好薄膜淀积方法 1 物理气相淀积 PVD 2 化学气相淀积 CVD APCVD LPCVD PECVD 薄膜淀积 物理气相淀积 PVD PVD 利用某种物理过程 例如蒸发或溅射现象 实现物质转移 即原子或分子从原料表面逸出 形成粒子射入到硅片表面 凝结形成固态薄膜 1 真空蒸发PVD2 溅射PVD 真空蒸发PVD 溅射PVD 溅射镀铝膜 薄膜淀积 化学气相淀积 CVD CVD 利用含有薄膜元素的反应剂在衬底表面发生化学反应 从而在衬底表面淀积薄膜 常用方法 1 外延生长2 热CVD 包括 常压CVD APCVD 低压CVD HPCVD 3 等离子CVD PECVD CVD原理示意图 0 3 5 2金属化 多层互连 金属化 多层互连 将大量相互隔离 互不连接的半导体器件 如晶体管 连接起来 构成一个完整的集成块电路 多层互连工艺流程 互连 介质淀积 平坦化 刻孔 再金属化最后 钝化层
