[提分冲刺]北京高考物理专题训练:法拉第电磁感应定律(一).docx

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1、提分冲刺2012北京高考物理专题训练:法拉第电磁感应定律(一)由下向上 D沿经过地磁极的那条经线由北向南水平飞行时,金属杆中一定没有感应电动势2(10年山东高考)如图所示,空间存在两个磁场,磁感应强度大小均为B,方向相反且垂直纸面,MN、 PQ为其边界,OO为其对称轴一导线折成边长为l的正方形闭合回路abcd,回路在纸面内以恒定速度v0向右运动,当运动到关于OO对称的位置时下列说法错误的是() A穿过回路的磁通量为零 B回路中感应电动势大小为2Blv0 C回路中感应电流的方向为顺时针方向 D回路中ab边与cb边所受安培力方向相同第2题图第3题图3(11年广东模拟)如图所示,在磁感应强度B1.2

2、T的匀强磁场中,让导体PQ在U型导轨上以速度v010m/s向右匀速滑动,两导轨间距离L0.5m,则产生的感应电动势的大小和PQ中的电流方向分别为() A0.6V,由P向Q B0.6V,由Q向P C6V,由P向Q D6V,由Q向P4如图所示,ab为一金属杆,它处在垂直于纸面向里的匀强磁场中,可绕a点在纸面内转动;S为以a为圆心位于纸面内的金属圆环;第4题图在杆转动过程中,杆的b端与金属环保持良好接触;A为电流表,其一端与金属环相连,一端与a点良好接触当杆沿顺时针方向转动时,某时刻ab杆的位置如图,则此时刻() A有电流通过电流表,方向由cd;作用于ab的安培力向右 B有电流通过电流表,方向由cd

3、;作用于ab的安培力向左 C有电流通过电流表,方向由dc;作用于ab的安培力向右 D无电流通过电流表,作用于ab的安培力为零5(11年广东模拟)第5题图如图所示,光滑的“U”形金属框架静止在水平面上,处于竖直向下的匀强磁场中,现使ab棒突然获得一初速度v向右运动,下列说法正确的是() Aab做匀减速运动 B回路中电流均匀减小 Ca点电势比b点电势低 DU形框向右运动6如图所示,在水平放置的光滑绝缘杆ab上,挂有两个金属环M和N.两环套在一个通电密绕长螺线管的中部,螺线管中部区域的管外磁场可以忽略当变阻器的滑动触头向右移动时,第6题图两环将怎样运动() A两环一起向左运动 B两环一起向右运动 C

4、两环互相靠近 D两环互相离开7用相同导线绕制的边长为L或2L的四个闭合导体线框、以相同的速度匀速进入右侧匀强磁场,如图所示在每个线框进入磁场的过程中,M、N两点间的电压分别为Ua、Ub、Uc和Ud.下列判断正确的是()第7题图 AUaUbUcUd BUaUbUdUc CUaUbUcUd DUbUaUdUc8两根足够长的光滑导轨竖直放置,间距为L,底端接阻值为R的电阻将质量为m的金属棒悬挂在一个固定的轻弹簧下端,金属棒和导轨接触良好,导轨所在平面与磁感应强度为B的匀强磁场垂直,如图所示除电阻R外其余电阻不计现将金属棒从弹簧原长位置由静止释放,则()第8题图 A释放瞬间金属棒的加速度等于重力加速度

5、g B金属棒向下运动时,流过电阻R的电流方向为ab C金属棒的速度为v时,所受的安培力大小为Feq f(B2L2v,R) D电阻R上产生的总热量等于金属棒重力势能的减少9如图所示,一导线弯成半径为a的半圆形闭合回路虚线MN右侧有磁感应强度为B的匀强磁场,方向垂直于回路所在的平面回路以速度v向右匀速进入磁场,直径CD始终与MN垂直从D点到达边界开始到C点进入磁场为止,下列结论不正确的是() A感应电流方向不变 BCD段直导线始终不受安培力 C感应电动势最大值EmBav D感应电动势平均值eq xto(E)eq f(1,4)Bav第9题图第10题图10如图所示,固定放置在同一水平面内的两根平行长直

6、金属导轨的间距为d,其右端接有阻值为R的电阻,整个装置处在竖直向上磁感应强度大小为B的匀强磁场中一质量为m(质量分布均匀)的导体杆ab垂直于导轨放置,且与两导轨保持良好接触,杆与导轨之间的动摩擦因数为.现杆在水平向左、垂直于杆的恒力F作用下从静止开始沿导轨运动距离l时,速度恰好达到最大(运动过程中杆始终与导轨保持垂直)设杆接入电路的电阻为r,导轨电阻不计,重力加速度大小为g.则此过程() A杆的速度最大值为eq f(Fmg)R,B2d2) B流过电阻R的电荷量为eq f(Bdl,Rr) C恒力F做的功与摩擦力做的功之和等于杆动能的变化量 D恒力F做的功与安培力做的功之和大于杆动能的变化量11空

7、间有一个水平向里的有界匀强磁场,如图所示,一刚性正方形线圈,质量为m,边长为L,从磁场上方距磁场上界h1处自由落下(线圈总沿竖直平面运动),若线圈刚好匀速穿过磁场区域,则有界磁场的宽度h2_;线圈穿过磁场过程中产生的内能为_第11题图12如图所示,平行金属导轨间距为d,一端跨接一阻值为R的电阻,匀强磁场磁感强度为B,方向垂直轨道所在平面,一根长直金属棒与轨道成60角放置,当金属棒以垂直棒的恒定速度v沿金属轨道滑行时,电阻R中的电流大小为_(不计轨道与棒的电阻)第12题图13如图,一直导体棒质量为m、长为l、电阻为r,其两端放在位于水平面内间距也为l的光滑平行导轨上,并与之密接;棒左侧两导轨之间

8、连接一可控制的负载电阻(图中未画出);导轨置于匀强磁场中,磁场的磁感应强度大小为B,方向垂直于导轨所在平面开始时,给导体棒一个平行于导轨的初速度v0.在棒的运动速度由v0减小至v1的过程中,通过控制负载电阻的阻值使棒中的电流强度I保持恒定导体棒一直在磁场中运动若不计导轨电阻,求此过程中导体棒上感应电动势的平均值和负载电阻上消耗的平均功率第13题图9. 某年级名学生在一次百米测试中,成绩全部介于秒与秒之间将测试结果分成组:,得到如图所示的频率分 布直方图如果从左到右的个小矩形的面积之比为,那么成绩在的学生人数是_【答案】【解析】成绩在的学生的人数比为,所以成绩在的学生的人数为。【2012北京市门

9、头沟区一模理】11某单位招聘员工,从400名报名者中选出200名参加笔试,再按笔试成绩择优取40名参加面试,随机抽查了20名笔试者,统计他们的成绩如下:分数段人数1366211由此预测参加面试所画的分数线是 【答案】【2012北京市东城区一模理】(11)在如图所示的茎叶图中,乙组数据的中位数是 ;若从甲、乙两组数据中分别去掉一个最大数和一个最小数后,两组数据的平均数中较大的一组是 组【答案】84 乙【2012北京市石景山区一模理】13如图,圆内的正弦曲线与轴围成的区域记为 (图中阴影部分),随机往圆内投一个点,则点落在区域内的概率是【答案】【解析】阴影部分的面积为,圆的面积为,所以点落在区域内

10、的概率是13分) 甲、乙两位同学进行篮球三分球投篮比赛,甲每次投中的概率为,乙每次投中的概率为,每人分别进行三次投篮 ()求乙至多投中2次的概率; ()求乙恰好比甲多投进2次的概率的可能取值为:0,1,2,3 1分 的分布列如下表:0123 4分 5分 ()乙至多投中2次的概率为 8分 ()设乙比甲多投中2次为事件A,乙恰投中2次且甲恰投中0次为事件B1, 乙恰投中3次且甲恰投中1次为事件B2, 则为互斥事件 10分 所以乙恰好比甲多投中2次的概率为 13分【2012北京市门头沟区一模理】17(本小题满分13分) 将编号为1,2,3,4的四个材质和大小都相同的球,随机放入编号为1,2,3,4的

11、四个盒子中,每个盒子放一个球,表示球的编号与所放入盒子的编号正好相同的个数()求1号球恰好落入1号盒子的概率;()求的分布列和数学期望【答案】() 设事件表示 “1号球恰好落入1号盒子”,所以1号球恰好落入1号盒子的概率为 5分()的所有可能取值为0,1,2,4 6分 (每个1分)10分所以的分布列为11分数学期望 13分【2012北京市朝阳区一模理】16. (本小题满分13分) 某次有1000人参加的数学摸底考试,其成绩的频率分布直方图如图所示,规定85分及其以上为优秀. ()下表是这次考试成绩的频数分布表,求正整数a, b的值;区间75,80)80,85)85,90)90,95)95,10

12、0人数50a350300b (II)现在要用分层抽样的方法从这1000人中抽取40人的成绩进行分析,求其中成绩为优秀的学生人数; ()在(II)中抽取的40名学生中,要随机选取2名学生参加座谈会,记“其中成绩为优秀的人数”为X,求X的分布列与数学期望. 【答案】解:()依题意,. 4分()设其中成绩为优秀的学生人数为x,则,解得:x=30, 即其中成绩为优秀的学生人数为30名. 7分()依题意,X的取值为0,1,2,所以X的分布列为X012P ,所以X的数学期望为. 13分【2012北京市东城区一模理】(16)(本小题共13分) 某工厂生产甲、乙两种产品,甲产品的一等品率为,二等品率为;乙产品的一等品率为,二等品率为.生

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