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1、.山东大学 软件 学院组成原理实验报告（实验）课程名称 计算机组织与结构 实 验 报 告学生姓名： 学 号： 指导教师：陈志勇实验地点：硬件实验室 实验时间：2014年12月11日一、实验项目名称：RAM实验二、实验目的： . 了解半导体静态随机读写存储器RAM的工作原理及其使用方法。 . 掌握半导体存储器的字、位扩展技术。三、实验内容：RAM实验结构图INTEL2114静态存储器：Intel2114RAM 存储器芯片为双列直插式集成电路芯片，共有 18 个引脚，各引脚的功能如下： A 0 -A 9 ： 10 根地址信号输入引脚。 ： 读写控制信号输入引脚，当 为低电 平时，使输入三态门导通，
2、信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。 I/O 1 I/O 4 ： 4 根数据输入输出信号引脚。：片选信号，低电平有效，通常接地址译码器的输出端。第一部分：采用1Kx4的芯片，构成1Kx8的存储器。第二部分：采用1Kx4的芯片，构成2Kx 4的存储器。四、实验要求： 采用1K x 4 的芯片，构成1K x 8的存储器。 选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的 读/写操作实验。 采用1K x 4 的芯片，构成2K x 4的存储器。 必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。 选择五个不连续的存贮单元地址
3、，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的 读/写操作实验。 选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。 分别设计实验步骤。 使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM芯片的地址范围。五、参考器件： RAM采用两片MM2114 隔离部件采用74LS125 译码器采用74LS138备注：为简化试验，地址可只用低4位（其余地址可接地）。六、实验数据记录及结果分析：字扩展的实验操作：1.初始化：将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。将k13（RAM片选信号）推至低电平，选中RAM。将k14(读写控制)
4、推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2.写入数据：将k0k3的四个开关调至想要输入的地址。将k4k11调整至想要的二进制输入值。将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。将k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。3.读取数据：将k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。位扩展的实验操作：1.初始化：将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关输入。将k13（第一块RAM片选信号）推至低电平，选中RAM，同时确保将k12（第二块RAM片选信号）推
5、至高电平，使RAM失效。将k14(读写控制)推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2.写入数据：将k0k3的四个开关调至想要输入的地址。将k4k7调整至想要的二进制输入值。将k15（74LS125的C信号）推至低电平，连接开关输入。将k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。3.读取数据：将k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM的写入。将k15（74LS125的C信号）推至高电平，断开开关对灯泡的影响，读取数据。欢迎您的光临，word文档下载后可以修改编辑。双击可以删除页眉页脚。谢谢！单纯的课本内容，并不能满足学生的需要，通过补充，达到内容的完善 教育之通病是教用脑的人不用手，不教用手的人用脑，所以一无所能。教育革命的对策是手脑联盟，结果是手与脑的力量都可以大到不可思议。.
